压电陶瓷银层附着力及其影响因素

通过瓷件表面粗糙度、瓷件的清洗方式、烧渗银温度和曲线等工艺过程的试验,研究了压电陶瓷银层附着力的影响因素。结果表明主要影响因素是瓷件表面粗糙度、清洁度以及银层烧结温度和曲线。在实际应用中,如果用天然石榴石金刚砂W40微粉细磨瓷件表面,再采用超声波清洗及煅烧,然后在780℃左右烧渗银,可使附着力达到最大,约1800N/cm2。     

空间行波管输能窗组件贮存失效分析

高频组件是空间行波管的主要部件,是管内传播高频电磁波的重要传输部件,其中陶瓷封接部位一般采用银焊料进行焊接,它一般存放于真空柜中.存放一段时间后,组件表面出现了发黑现象.分析表明真空柜中放置的橡胶制品导致了高频组件银焊料焊接部位发生硫化,导致贮存失效.结合实验结果和理论分析,在大气状态下,橡胶套中的硫是比较稳定的.然而在真空状态下,硫是比较容易从橡胶套中升华进入真空柜中的,从而会在真空柜中弥漫大量硫蒸气,这些硫蒸气与银焊料发生化学反应形成Ag2S,因此含硫的橡胶套不宜放入真空柜.     

陶瓷件的封接与珐琅粘接剂

<正> 采用某种粘接剂,或通过某种结合方法将瓷件与瓷件或瓷件与金属件相连接,统称为陶瓷封接。它既可以解决陶瓷生产中因形状复杂而给成型、烧成工艺造成的困难,使产品性能可靠,又保证了经济合算地进行生产。陶瓷封接包括钎接、烧接、焊接、套接和粘接等。     

钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧

阐述了钨金属化与氧化铝陶瓷高温共烧工艺的特点,分析了烧结过程中温度曲线和露点等工艺参数对钨金属化与瓷件结合强度、密封气密性和收缩率的影响。通过反复的试验和烧结机理分析对比,给出了最佳的控制参数。     

1420铝锂合金双光束激光焊接气孔的控制

以焊前不对铝合金板材做任何处理为前提,采用扩散冷却板条CO_2激光系统,开展对1420铝锂合金的双光束激光焊接焊缝气孔控制的实验研究.实验结果表明:在激光表面扫描焊时,表面氧化膜对焊缝中气孔的影响大大高于背面氧化膜;但是,在激光对接焊时,焊缝气孔对背面氧化膜的敏感性和焊缝背面成形有直接的关系.经过实验得出了优化的焊接工艺以达到降低气孔率、提高焊缝质量的目的.还进行了1420铝锂舍金的对接焊焊接接头拉伸强度实验.数据显示:选用优化的对接焊工艺,焊接接头的平均拉伸强度可达336.1 MPa,为母材的87.5%.     

H2O2催化多孔硅的光致发光研究

采用H2O2催化的电化学法制备多孔硅,用原子力显微镜观察了样品的形貌,并测量了在不同电流密度下制得的多孔硅和在不同氧化时间高温氧化的多孔硅的光致发光谱。实验结果表明,采用H2O2催化的电化学法制备的多孔硅与常规电化学法制备的多孔硅相比,其表面更平整、细密、均匀。随着电流密度和氧化时间的增加,多孔硅的发光谱峰位蓝移。此实验结果符合量子限制模型。     

Al-Mg系铝合金脉冲激光焊接性能影响因素分析

为了研究铝合金表面状态和焊接工艺方法对焊接接头性能的影响,采用Nd:YAG脉冲激光器对Al-Mg系铝合金激光焊接方法进行了理论分析和实验验证,得到了焊接接头性能实验结果.结果表明,原始表面和碱蚀表面处理的试样焊接过程不稳定,阳极氧化试样焊接中形成了稳定的小孔效应,焊接过程较稳定;阳极氧化、两面焊、填粉焊都能有效提高焊缝熔深和深宽比;试样阳极氧化、双面焊、填粉焊可使焊缝抗拉强度提高1倍以上,其中Al-0.05Si填粉焊提升效果最好;表面处理试样硬度都有所提高,磷酸阳极氧化提高效果最好.双面焊工艺使焊缝和熔合区硬度提高,填粉焊焊缝中心硬度很低但熔合区硬度提高明显,双面焊、填粉焊热影响区硬度低于单面焊.阳极氧化表面处理、双面焊工艺可以有效地改善Al-Mg铝合金的激光焊接性.     

退火与抛光对真空中瓷件飞弧特性的影响

为了研究表面抛光与退火对瓷件表面介电击穿特性的影响，已进行了多次实验。发现当陶瓷样品在１０００℃退火时，其表面的剩余应力降低，击穿电压上升。而抛光的样品，剩余应力的降低对击穿电压的上升幅度影响不大。介电击穿前观察到的表面辉光可推断由于绝缘表面缺陷而发生的荧光。     

厚钢板激光焊接的研究

通过能量平衡原理研究了厚钢板激光深熔焊接的热源模型,得出了激光功率与光斑大小、焊接速度等的关系,并讨论了激光光束质量.实验采用非稳腔输出的6～8kW高功率高质量的激光焊接4,6,8mm厚的A3钢板,其焊接速度分别为3.2, 2.2, 0.9 m/min,焊接深宽比均超过2:1,其中6 mm钢板深宽比达到4:1.着重研究了激光焊接工艺,并对焊接试样进行了拉伸强度测试和过轧机实验.     

镁合金厚板激光焊缝组织及抗拉强度研究

为了提高镁合金激光焊接认识程度,采用高功率CO2激光焊接了10mm厚AZ31镁合金,并对焊缝微观组织和接头抗拉强度进行了研究.在高温作用下,因为镁元素的高温蒸发与烧损,焊缝表面会形成难以克服的凹坑缺陷.在实验条件下,焊缝熔合区微观组织为等轴枝晶,且随着焊接热输入的减少,晶粒细化.抗拉强度测试表明,表面凹坑和焊缝内气孔缺...     

环境试验中凝露问题浅析

室外型大体积大功率的通讯设备环境实验过程表面温度低于实验箱中空气的露点温度,样品表面上就会出现凝露,影响环境实验对通讯设备的电气性能和机械性能变化情况的检查;一般在环境实验前对实验样品进行预热,破坏凝露形成的条件.     

H62黄铜激光焊接工艺与组织特征研究

为了研究H62黄铜激光焊接时母材难以熔合和Zn元素蒸发而导致的多孔焊缝,采用峰值功率300W Nd:YAG激光焊接设备,对3mm厚的H62黄铜进行焊接试验.通过控制激光脉冲波形、试样拼接紧密程度、激光加工参数和使用脉冲能量负反馈技术,结果表明:在使用前置尖峰脉冲波形与合适的激光加工参数条件下,焊接接头横截面整体形貌良好,没有发现气孔、夹杂等焊接缺陷.最后对焊接接头进行金相组织和焊缝上Cu、Zn元素成分分析,发现焊缝表面稍有凹陷,焊缝与母材具有完全冶金结合,焊接接头热影响区很窄和焊缝中心几乎全为细小晶粒的特征.     

高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究

报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .     

时间依赖性雾(TDH)的产生机理及其消除方法

阐述了Si片表面时间依赖性雾的形成过程、分布、形状、密度及识别和去除的方法.通过同样流程清洗、不同条件干燥处理的Si片在不同湿度条件下储存的实验,指出了时间依赖性雾是H与掺杂原子的联合体以及雾是Si片表面与H2O或O2反应生成SiO2颗粒两种解释的不准确性.提出了时间依赖性雾是含有离子或有机物沾污的水汽在Si表面浓缩而形成的光散射.在总结和比对分析实验结果的基础上,得到了控制时间依赖性雾的生成、延长Si片存储时间的有效方法.     

镀镍电池壳脉冲YAG激光缝焊工艺

研究了低功率脉冲YAG激光对电池壳封焊的应用.封焊接头由缝焊形成,焊接过程中熔入到焊缝中的镀镍可导致焊接裂纹产生,为此脉冲YAG激光焊接工艺必须保证焊缝有足够的致密性、良好的焊缝成形和表面光洁度,以及裂纹的防止.脉冲激光焊接主要工艺参数有脉冲重复率、脉冲宽度、脉冲放电电压、激光光斑的离焦量、焊接速度,这些参数的合理匹配,可获得理想的激光平均功率、激光功率密度和激光峰值功率.本研究表明采用正离焦焊接时,当激光功率密度达到一临界值时,焊缝可有效地避免裂纹的形成,激光平均功率达到一定值时可保证工件熔透,并有适当的熔宽,但激光功率密度过大将导致焊缝出现切割效应,而激光平均功率过大则引起焊缝表面严重下凹而使焊缝成形恶劣.脉冲重复率和焊接速度的合理匹配是焊缝致密性和表面质量保证是主要因素.(PE3)     

粉末冶金材料激光深熔焊接工艺研究

用LSM 2 40全自动SLAB激光焊接机对Fe基、Ni基、Co基3种粉末材料进行焊接实验。研究了焦点位置、焊接速度、焊接线能量对粉末材料激光焊接焊缝质量的影响。结果表明,Ni对离焦量最敏感。并得到了焊接熔深H与输入线能量W的数学表达式。     

sol-gel法制备表面改性纳米氧化锌

采用Zn(NO3)2.6H2O和NH3.H2O及合适的表面改性剂,通过sol-gel前驱体法,制备了高纯度的纳米ZnO粉体。采用激光粒度分析、SEM、XRD等手段,对所制备的粉体进行了表征。并研究了主盐浓度、反应温度、反应体系的pH值、表面改性剂等因素对ZnO晶体形成过程和显微结构的影响。结果表明:在Zn2+浓度为0.1mol/L、反应体系温度为50℃、pH值为6.0,采用聚乙二醇(PEG-2000)作为表面改性剂,将制得的前驱体在400℃分解2h,获得了纯度高、分散性好、结晶完整、粒度分布窄、粒状的纳米ZnO粉体。     

西德镍皮烧氢后表面发灰的原因分析

前言上海 ZDCN 镍皮(O~#)和西德镍皮7~#、22~#样品(符合 N 6标准),经1200℃、20分钟氢气退火后,上海 ZDCN 镍皮表面保持光亮。而西德镍皮22~#样品表面发灰,7~#样品表面呈浅灰色。如果用这种镍皮作保热罩等零件,既影响外观质量,又影响阴极的电性能。为了搞清楚镍皮发灰的原因,合理使用各种镍皮,我们利用 PHI—550型表面电子能谱仪,S—450型扫描电镜和其他一些分析手段,作了比较深入的分析研究。分析结果表明,发灰的主要原因是西德镍皮表面形成 Ni O、MgO 等氧化物,同时对氧化机理作了初步的探讨,并提出改进的意见。     

电子管中Ag Cu焊料的蒸发

前言目前国内在进行金属与陶瓷的封接、金属与金属的焊接时,还大量应用Ag-Cu焊料。例如银(72％)铜(28％)的共晶焊料,它的熔点约779℃,焊接温度在780℃以上,焊料的蒸发在瓷封件焊接过程中是很明显的。用一块瓷片做试验,一半用清洁的瓷片覆盖住,另一半需和金属封接,在真空炉中用Ag-Cu焊料封接,取出后,在瓷片表面可以看到未覆盖部分有明显的灰色蒸发物。装管后,在制管工艺过程及管子工作过程中,Ag-Cu焊料蒸发可能污染瓷件的问题很少引起人们的重视。例如     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。