MOS控制的晶闸管简介

本文简要介绍了ＭＯＳ控制的晶闸管（ＭＣＴ）结构及优点，较详细地介绍了Ｐ－ＭＣＴ的特点，同时对ＭＣＴ的发展作了一些探讨。     

一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化

传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管 ,称其为槽栅 MOS控制的晶闸管 (TMCT) .在该器件结构中 ,采用 U-MOS控制晶闸管的开启和关闭 .结构中不存在任何的寄生器件 ,因此 ,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题 ,所以 TMCT会有优良的电特性 .实验结果表明 ,多元胞 TMCT (6 0 0 V,有源区面积0 .2 m m2 )的开态压降在 30 0 A / cm2 时为 1.2 5 V,最大可控电流在栅压为 - 2 0 V和电感负载下达到了 2 96 A/ cm2 .     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管,称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中,采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件,因此,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题,所以TMCT会有优良的电特性.实验结果表明,多元胞TMCT（600V,有源区面积0.2mm2）的开态压降在300A/cm2时为1.25V,最大可控电流在栅压为-20V和电感负载下达到了296A/cm2.     

新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制

本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．     

低导通压降MOS控制晶闸管的研制

基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1 600 V,脉冲峰值阳极电流为3 640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。     

静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善ＳＩＴＨ器件性能的工艺和设计方法。     

先栅氧后场氧化MOS工艺研究

常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上改变这种流程，利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层，可明显改善栅介质层质量，简化工艺，提高成品率，统来很好的经济效益，经过十多年的反复应用试验，证明该工艺确实可行。     

功率器件发展及新型可关断晶闸管

本文介绍了功率器件的发展过程，重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构，工作机理，及它们各自的特点。     

复合多晶硅栅LDD MOSFET制造工艺研究

通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。     

一种改进的晶闸管触发电路研究

晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲,保证晶闸管在需要的时刻由阻断变为导通。为了在寒冷条件下对软起动器的晶闸管可靠触发,针对传统触发电路触发脉冲前端无强脉冲,在传统的触发电路基础上进行了改进。通过改进,使触发脉冲的电流前沿有了强触发脉冲。实验证明,该触发电路满足了实际的需要。     

发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造

介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计,制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信,引信,测距,小型雷达,模拟射击,游戏枪,车辆防碰撞等方面,也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。     

提高晶闸管结温的途径

探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,选用最低电阻率的单晶、偏长的基区、阴极加短路环、短路点,使小电流a2为零,经过严格的斜边清洗与钝化,使SCR最高工作结温尽量达到理论值.     

电镦过程中可控硅移相触发和过零触发电路的比较

对电热镦粗过程中可控硅移相触发方式和过零触发电路的工作原理进行了分析，并利用Labview图形化编程语言进行了频谱分析。实践结果表明，过零触发电路具有对电源污染少，负载易于获得良好的正弦波。具有广阔的应用前景。     

三重扩散IGBT的参数优化

采用三重扩散工艺制作ＩＧＢＴ是一种比较经济的方法。利用解析方法和二维模拟方法,优化了耐压为６００Ｖ三重扩散ＩＧＢＴ的部分参数,为实际利用三重扩散工艺制作耐压６００Ｖ的ＩＧＢＴ提供了参数依据。     

扩散炉反应管压力自平衡系统的设计

对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下,对反应管内气体排放进行调节,从而控制管内压力,使管内流速均匀,达到好的扩散效果。     

CF系列晶闸管触发器在可逆直流稳压电源的应用

介绍了一种由晶阐管及CF97033B触发器组成的新型可正反向供电或整流与逆变工作的直流稳压电源的电路结构及工作原理，并介绍了几种应用方式。     

TSC/TCR式消弧线圈的晶闸管控制电路分析

晶闸管控制电路是消弧线圈实现精确补偿的硬件基础,本文通过对TSC/TCR式消弧线圈的晶闸管控制电路设计的分析,实现对消弧线圈二次侧投入电容量与电感量的控制。