CMOS反相器高功率微波扰乱效应分析

通过对CMOS数字电路器件及RF脉冲扰乱效应的模拟分析,比较了注入不同频率与功率的RF扰乱脉冲时对CMOS反相器输出逻辑电平扰乱甚至翻转的效应过程。     

基于Cadence的CMOS反相器的特性分析与仿真

CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多.CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的基本单元之一,为了分析其直流特性和瞬态特性,用Cadence软件设计了一种CMOS反相器.由CMOS反相器的上升时间和下降时间表达式得到瞬态特性的影响因素,通过软件仿真加以验证.     

CMOS反相器高功率微波脉宽扰乱效应的建模和分析

本文对受脉宽影响的过剩载流子浓度分布及高功率微波(HPM)扰乱易发性进行解析建模,并利用仿真结果和实验数据对模型进行验证。利用机理分析与模型推导,得到过剩载流子主导闩锁效应中电流放大过程的结论。结果表明,P型衬底中的过剩载流子浓度分布确与HPM脉宽有关,HPM扰乱电压阈值Vp随着脉宽增宽而减小,同时这一变化存在一个拐点,这是由于P型衬底中的过剩载流子累积效应将随着时间推移而受到抑制。文中首次提出HPM脉宽扰乱效应的物理本质是过剩载流子的累积效应。实验验证认为,Vp解析模型能够对CMOS反相器的HPM扰乱易发性进行可靠和准确的预测,并同时考虑工艺、环境温度及版图参数等因素。从模型中可以得到,版图参数LB对脉宽扰乱效应有显著影响：LB较小的CMOS反相器更容易受到HPM的扰乱,这一结论将有助于提出反相器免于HPM扰乱的加固措施。     

一种圆锥形横电磁波传输室的分析

给出一种新型横电磁波传输室－圆锥菜横电磁波传输室,并在球坐标系下采用时域有限差分（FDTD）法对其场分布进行计算,分析了高阶模的影响,确定了传输室的上限工作频率范围。分析和计算结果表明,圆锥形横电磁波传输室的电场极化方向可任意改变,上限工作频率可达4GHz,具有广泛的应用前景。     

一种圆锥形横电磁波传输室的分析

给出一种新型横电磁波传输室－圆锥形横电磁波传输室,并在球坐标系下采用时域有限差分(FDTD)法对其场分布进行计算,分析了高阶模的影响,确定了传输室的上限工作频率范围。分析和计算结果表明,圆锥形横电磁波传输室的电场极化方向可任意改变,上限工作频率可达4GHz,具有广泛的应用前景。     

深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究

针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。     

单相时钟动态CMOS反相器分析与高速动态器件设计

从逻辑功能和工作速度等角度,分析总结了当前三种类型的单相时钟动态CMOS反相器,总结得出了构造各种高速CMOS动态D触发器的方法。并由此设计了新的高速移位寄存器、高速鉴频鉴相器,以0.8um CMOS工艺模型,经PSPISCE模拟,其最高工作频率分别达到了1.7GHz、700MHz以上,工作速度达到或超过了双极型ECL电路。     

CMOS反相器的瞬态分析

CMOS反相器在输入高、低电平V_(IH)、V_(IL)分别为V_(DD)和0的阶跃情况下的瞬态响应,已由J.R.Burns作了分析,并提供了实验验证.但当系统山两种或多种逻辑系列组成时,CMOS反相器的输入电平通常为V_(IH)0,本文针对这种更为一般的情况作了讨论,得到了比J.R.Burns所导出的更为一般的输出下降时间和上升时间的计算公式.这些公式已用于多种电平转换电路的设计,并得到了良好的结果.     

电磁波传播特性虚拟仿真实验教学

本文在电磁波传播特性理论分析的基础上,结合EastWave构建了均匀平面波在自由空间、理想导体分界面、理想介质分界面、半波长夹层介质和四分之一波长匹配层中传播的虚拟实验教学模型,对其入射、反射和折射进行了虚拟仿真,直观形象化地呈现电磁波传播过程以及遇到边界时电磁波实时动态变化.通过虚拟仿真实验教学验证了电磁传播特性,改...     

脉冲电磁波对人体作用的研究

用时域有限差分法和非均匀块状人体电磁模型研究了脉冲电磁场对人体的作用问题，首先用解析法计算无限长介质圆中脉冲波所引发的电流以验证计算方法，然后对核电磁脉冲照射下的二维和三维非均匀块状人体模型中产生的电流及所吸收的电磁能量进行了，计算了它们随时间的变化及其在全身的分布，在计算中没有考虑介质色散的影响。     

矩形波导中电磁波传播特性仿真分析

采用有限元法对矩形波导中主模电磁波传输特性进行仿真分析,得出矩形波导中截止波长随波导横截面长边的增加而线性增加的结论.同时给出波导中色散曲线和场分布图.证明有限元方法简单可行,计算精度较高.对分析任意截面波导中电磁波的截止波长及场分布提供方法.其结果对隧道等有限空间的无线通信研究有重要的参考价值.     

基于TMD材料的CMOS反相器电路研究现状

对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展.对基于TMD的集成电路技术研究进行了介绍与分析.分别在结构设计、集成工艺、性能优化及电路集成等方面对基于TMD材...     

产生低失真正弦波的CMOS六角反相器

本设计实例提供了一种可作为微控制器替代品的简单、廉价及便携式设备电路，来为音频电路设计与调试提供各种低失真正弦波信号源。尽管从直接数字合成器（DDS）产生的正弦波具有更高的稳定性及更少的谐波成分和其他寄生频率成分，但这是一种能让设计人员采用凌特科技公司LTSpice免费件并磨砺其电路仿真技能的更具“颠覆性”的方法。振荡器包括一个频率测定网络以及一种用于防止电路饱和、波形削波及谐波产生的振荡幅度限制方法。许多音频振荡器设计均采用经典维氏电桥带通滤波器拓扑．并将白炽灯、热敏电阻器或JFET电路作为幅度敏感电阻器来自动改变反馈及限幅。     

CMOS反相器在高功率微波下闩锁效应的温度影响

The temperature dependence of the latch-up effects in a CMOS inverter based on 0.5 μm technology caused by high power microwave （HPM） is studied. The malfunction and power supply current characteristics are revealed and adopted as the latch-up criteria. The thermal effect is shown and analyzed in detail. CMOS in- verters operating at high ambient temperature are confirmed to be more susceptible to HPM, which is verified by experimental results from previous literature. Besides the dependence of the latch-up triggering power P on the ambient temperature T follows the power-law equation P = ATβ. Meanwhile, the ever reported latch-up delay time characteristic is interpreted to be affected by the temperature distribution. In addition, it is found that the power threshold increases with the decrease in pulse width but the degree of change with a certain pulse width is constant at different ambient temperatures. Also, the energy absorbed to cause latch-up at a certain temperature is basically sustained at a constant value.     

基于CMOS反相器石英晶体振荡电路的PSPICE仿真

石英晶体振荡器是很常用的电子器件,在电路设计和教学工作中经常需要对石英晶体振荡电路进行仿真分析。通过实例介绍使用PSpice仿真软件对石英晶体振荡电路进行模拟仿真的方法。针对石英晶体振荡器的等效电路,分析了石英晶体的串联和并联谐振频率。讨论了石英晶振的仿真模型,并在仿真器中观察其起振波形和稳幅波形,测试其振荡频率。通过对元件的参数扫描,分析不同参数对振荡器的影响。     

利用三维FDTD法分析非对称横电磁波室内场的分布

本文利用三维ＦＤＴＤ法分析了ＡＴＥＭ Ｃｅｌｌ内场的分布,着重介绍计算方法和不同频率ＡＴＥＭ Ｃｅｌｌ内场分布的特点,以及实际测量结果。     

电磁波极化的研究与仿真

为更好地理解电磁波的传播规律和极化形态,在软件中对不同极化类型的波进行建模与仿真,得到了不同极化波随时间变化的动画效果,使得抽象的概念变得直观,进而深层次地挖掘电磁波极化理论的应用价值。     

ELF/SLF电磁波传播的FDTD和GIS结合建模与分析

首次采用三维时域有限差分(3D-FDTD)经纬度模型和地理学信息系统技术(Geographic Information System,GIS)对地球-电离层波导系统进行几何建模,并对闪电、舒曼谐振中的极低频/超低频(ELF/SLF)的电磁辐射进行仿真实验.计算结果表明,当激励源放置在高空模拟闪电发生时,电磁波通过波导系统传播到观测点,并继续绕地球多次经过同一位置,直到完全衰减,其谐振频点与舒曼谐振点基本一致.发现地形地貌对于地表电磁波的电场分布有较大影响,而对地表电磁波的磁场分布几乎没有影响.     

全CMOS基准电压源的分析与仿真

文章基于CMOS0.18μm-工艺,在Hspice下,对四种MOS管基准电压源进行了分析和仿真,文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果.     

碳化硅CMOS反相器的特性

建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了SiC CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5μm的6H-SiC CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.657,3.156和1.470V,且随着温度的升高而减小.