ST碳化硅肖特基二极管直接提高马达控制器能效

马达控制器和电源开关使用的普通硅二极管因为无法立即关断而导致电源能效损失1%,意法半导体(ST)最近率先推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅(SiC)二极管。STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管可用于马达控制器,全     

意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置,可提高安全性、能效并节省空间

正意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650 V且共阴极或串联配置的整流二极管,可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管,意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平,STPSC6/     

英飞凌推出第五代1200VthinQ!TM碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ！ TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1 200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

碳化硅二极管提高太阳能逆变器的效率

碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替代其直流母线升压电路中的硅(Si)PiN同类产品,并且很快就会出现在商用系统的逆变器部分。     

模拟／电源

NS创新技术为太阳能光伏系统挽回阴影电量损失 美国国家半导体（NS）最新推出了SolarMagic电源优化器,可为太阳能光伏（PV）电池板补偿由于局部或短时间阴影遮蔽而带来的低能效难题,从而为系统挽回高达57％的电量损失。在现实环境中,该电路能够减轻受太阳能模块自身的特性所限产生的阴影或者其他因素对太阳能系统造成的不良影响,进而提高太阳能电池板的发电效率。据测试,SolarMagic可为太阳能系统挽回了高达57％的电量损失。     

意法半导体（ST）推出新的改进版串联二极管

意法半导体推出第二代串联二极管（tandemdiodes）,让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效,目标应用包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。     

意法半导体公司推出一种可促进环保且具有高温性能的功率芯片

正意法半导体公司(STMicroelectronics,简称ST)新近发布了一种新产品,它让电源设计人员能够提高太阳能逆变器、电动汽车、企业计算和工业电机驱动器等诸多应用的能效。据报道,ST率先研制出工作温度达到200°C的高压碳化硅(SiC)功率MOSFET。碳化硅的固有属性使其比传统的硅功率晶体管节能至少50%,而且器件本身的尺寸还可以变得更小,击穿电压变得更高。这项技术被视为系统能效、微型化和成本优化连续改进的一项重要开发。计算机房和数据中心居高不下的用电成本让能效成为许多IT管理高层首要关注的问题。用碳化硅器件代替普通硅开关有助于提高大功率电源的     

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正2014年6月英飞凌科技股份公司推出第五代1 200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管。在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,且散热性能良好。该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中提高效率,且可     

英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容．可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。     

性能媲美碳化硅二极管的串联二极管

ST推出其第二代串联二极管（tandem diodes）,让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效,目标应用也包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。     

碳化硅二极管助力于提高太阳能系统的效率

碳化硅（SiC）二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅（Si）PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。     

Cree推出新型650V碳化硅肖特基二极管 助力先进高能效数据中心电源系统设计

科锐(Cree)公司日前宣布推出最新Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算,这样可以将能效提高多达5%。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的10%,任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。     

C4DXX120E：碳化硅肖特基二极管

科锐公司推出1200VZ—Rec碳化硅肖特基二极管,产品均采用行业标准的TO-252D-Pak表面贴装封装,提供额定电流分别为2A,5A,8A和10A的表面贴装器件。如太阳能微型逆变器等系统设计人员现在能拥有更多的选择来研发出更小、更轻以及成本更低的电源转换电路。此款表面贴装器件以更小的PCB尺寸和面积,并具备与科锐TO-220肖特基二极管相同的性能。     

蜂窝网络中基于D2D用户总能量效率保证的资源分配策略

在基于终端直连(D2D)通信的蜂窝网络中,文章提出了一种基于D2D用户能量效率保证的资源分配策略,我们的目标是尽量增大系统传输速率,并在同一时间,保证目标D2D用户能量效率。在文章提出的策略的第一阶段,采用加权二分匹配算法最大化系统传输速率,在目标D2D用户能效需求较低时,一阶段也可以满足需求,但D2D用户总能效需求变高时就需要进入第二阶段。因此,在第二阶段,先利用加权二分匹配算法最大化D2D用户能效并得到初始复用策略,然后使用局部搜索技术来改善初始复用策略。仿真结果表明,与已存在的基准策略相比,所提出的策略能够保证D2D用户能效并获得较高的系统传输速率性能收益。     

双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管以在大功率应用中提供高效率电源“或”和电源保持

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出0～18 V双通道理想二极管控制器LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源"或",且对电源电压的干扰最小。LTC4353调节外部N沟道MOSFET的正向压降,以在二极管"或"应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中,当电源切换时,控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353     

元器件与组件

用于保护高速电信设备和数据通信设备的浪涌抑制器件,用于长脉冲调制雷达的大功率UHF晶体管,整合肖特基二极管的单片MOSFET,提高并联服务器电源能效的MOSFET     

提供低损耗大功率的MOSFET

硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可     

太阳能光伏电源系统在移动通信基站的应用

文章首先介绍了太阳能光伏电源系统的优点,然后介绍了移动通信基站的供电要求,最后针对太阳能光伏电源系统设计进行了详细的说明。     

服务器的冗余电源技术

引言冗余电源是高可用系统中的关键组件。在最简单的解决方案中,两个电源可以采用二极管来驱动负载以共同为输出供电。这样,这两个电源既可以共同为负载供电,也可以一个工作,一个备用。场效应晶体管(FET) ORing控制器是一款更实用的解决方案,因为它避免了二极管电压降、功率损耗以及热损耗。因此可以用低电压损耗MOSFET来实现更具创新性且经济的系统。本文将讨论几个服务器冗余电源配置的示例。