凝视PtSi红外焦平面列阵的结构和性能

ＰｔＳｉ红外焦平面列阵的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉ ＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描特点，对小象元尺寸，填充系数很难提高。而缩小象元尺寸，增大填充系数是大型凝视ＰｔＳｉ ＦＰＡ的发展方向和必由之路，为此，近年来国外采用了一些新的器件结构，如ＣＳＰ、ＬＡＣＡ、ＭＯＳ、ＤＳＩ、硅圆柱透镜列阵、混合式结构等，研制成了高性能的大型凝视Ｐｔ     

国内制成高分辨率线阵PtSi红外CCD

国内制成高分辨率线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ目前国内线阵位数最多的红外ＣＣＤ探测器──ＧＺ６１５１Ｃ型１０２４位扫描型线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ，于１９９３年９月在电子部４４所研制成功，并顺利地通过了产品设计定型鉴定。硅肖特基势垒红外焦平面列阵具有一系列独特的...     

Rt／Si 快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反庆形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５－－２０ｍｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０－－６００快速退火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基热垒接触。     

Pt／Si界面反应与肖特基势垒形成的研究

利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成，势垒特发生和势垒高度的影响。     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。     

新产品简介

新产品简介重庆光电技术研究所新产品简介ＣＭ６２４１Ｃ型１２８×１２８元ＰｔＳｉ肖特基势垒红外焦平面器件１工作原理采用背面进光模式工作，入射的红外光透过硅片衬底到达ＰｔＳｉ层，在ＰｔＳｉ中吸收红外光子，产生电子空穴对，有足够能量的空穴越过ＰｔＳｉ－Ｓｉ...     

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。     

高性能PtSi凝视红外焦平面列阵的研究与进展

本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于中红外波段（３～５μｍ）。象素数达５１２×５１２，１０２４×１０２４的凝视列阵已见报道。ＰｔＳｉＳＢＤＦＰＡ能在３００Ｋ实现热成象，其噪声等效温差（ＮＥａｒ）达到０．０３Ｋ。文中还介绍了我国研制的１２８×１２８元，２５６×２５６元ＰｔＳｉ凝视红外焦平面，并讨论了凝视ＦＰＡ的设计选择，最后对其特性进行了简要总结。     

IRCCD微透镜阵列的计算机模拟设计与分析

本文从理论上分析了用于红外电荷耦合器件（ＩＲＣＣＤ）的微透镜成像的机理，采用光线追迹法建立了微透镜阵列的数学模型和设计方法，并针对１２８×１２８元ＰｔＳｉ－ＩＲＣＣＤ进行了计算机模拟设计，研究了结果表明，采用微透镜阵列可使ＩＲＣＣＤ的填充因子达到１００％。     

MOD法制备PLZT（8／65／35）薄膜的电性能研究

本文对采用ＭＯＤ法制备的ＰＬＺＴ（８／６５／３５）铁电薄膜的电性能进行了研究。ＭＯＤ法可以在ＩＴＯ／Ｇ，Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ和Ｐｔ／ＬＮ基片上制备出具有优良铁电性能的ＰＬＺＴ铁电薄膜，采用Ｐｔ下电极的ＰＬＺＴ薄膜，Ｐｓ〉３２μＣ／ｃｍ＾２，而采用ＩＴＯ电极的也得到了Ｐｓ＝２７μＣ／ｃｍ＾２的好结果。本文还讨论了下电极和基片对薄膜电性能的影响。     

硅化物形成条的条件对Pt硅化物／硅势垒的影响

利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。     

PtSi／Si整流接触的研究

本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。     

PtSi红外图像传感器与热像仪

叙述了ＰｔＳｉ肖特基势垒红外图像传感器的性能，评述了国内外ＰｔＳｉ红外图像传感器的发展，介绍了ＰｔＳｉ热像仪的应用及其市场。     

Al2O3,Cu,Fe,Si,W的热物理性能

１９８５年，科学技术数据委员会（ＣＯＤＡＴＡ）公布了固体热物理性能研究小组的报告，报告分析适用数据并给出了推荐值：Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ、Ｗ和Ｆｅ的比热，Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ和Ａｌ２Ｏ３的热膨胀，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ和Ｐｔ的电阻率，Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ和Ｗ的热导率以及Ｐｂ、Ｃｕ和Ｐｔ的绝对热功率。研究小组组长由Ｙ．Ｓ．Ｔｏｕｌｏｕｋｉａｎ教授担任，直至１９８１年去世后，由Ｍｅｒｒｉｌｌ Ｍｉｎｇｅｓ博士担任。自上述报告     

a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

a－S1∶H CCD的转移特性分析

本文从ａ—Ｓｉ∶Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ—Ｓｉ∶Ｈ带隙态分布模型计算了ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料参数对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的动态特性影响的数值分析结果．理论结果表明，ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料带隙中的局域态分布对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响．而且在高频下，ａ－Ｓｉ∶Ｈ中的带尾态对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大．     

常规XRD对超薄PtSi/Si膜的表征技术的研究

由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术，测出厚度约为３ ｎｍ 的铂硅膜的物相成分为 Ｐｔ Ｓｉ， Ｐｔ２ Ｓｉ。     

PtSi红外摄像机

本文介绍了ＰｔＳｉ红外摄像机及市场，叙述了ＰｔＳｉ红外摄像机在军事、民用热成像和天文上的应用。     

电镜硅锂X－射线能谱仪的制备及修理技术

第一套电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器已经制成，探测器包括灵敏面积为２０ｍｍ￣２Ｓｉ（Ｌｉ）晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有７．５μ铍窗的低温装置和７．５升液氮杜瓦瓶。对￣（５５）Ｆｅ５．９ｋｅＶ射线，能量分辨率为１５２ｅＶ。此外报道ＴＲＡＣＯＲ电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器修理的结果，修理后能量分辨率为１４８ｅｖ，与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于１立升。     

一种新的基于单元的CPLD在交换网络中的应用

美国Ｌａｔｉｃｅ公司一直是在世界上处于领先地位的可编程逻辑器件的供应商，所生产的ｉｓｐＬＳＩ／ｐＬＳＩ１０００、２０００、３０００和６０００系列ＣＰＬＤ和ｉｓｐＧＡＬ、ｉｓｐＧＤＳ／ＧＤＸ等器件已广泛地应用在通信、ＲＩＳＣ／ＣＩＳＣ微处理器接口和数字信号处理等领域。文章以ＣＰＬＤｉｓｐＬＳ１６１９２ＤＭ在程控交换机的交换网络中的应用为例，介绍了ｉｓｐＬＳＩ／ｐＬＳＩ６０００系列产品的卓越性能和开发方法