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相似文献
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介绍带自动调制控制的激光驱动器MAX3865的工作原理,内部结构,引脚功能及设计步骤,并给出典型应用电路。  相似文献   

3.
《今日电子》2012,(5):60-60
IRS2334SPbF采用SOIC20WB封装,而IRS2334MPbF则以QFN5X5封装供货,占位面积只有25mm^2,并按照合适的爬电与间隙距离要求来设计,确保产品坚固可靠,电压可高达600V。  相似文献   

4.
0.35μm CMOS激光二极管驱动器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了0.35μm CMOS工艺的激光二极管驱动器集成电路的设计。整个电路用Smart Spice模拟,模拟结果显示工作速率可以达到2.5Gb/s,调制电流幅度可以达到50mA以上,并且可以通过调节电压Vmod使调制电流幅度在0到50mA之间变化。  相似文献   

5.
《今日电子》2012,(6):70-70
该UCC27511与UCC27517驱动器是TI最新UCC2751x系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路。  相似文献   

6.
《变频器世界》2005,(6):20-20
Sprint Electric公司近日推出的340XRi、680XRi和1220XRi型直流驱动器,为四象限运行、再生制动驱动应用提供了一种圆满的解决方案。该系列驱动器可对应最大1.8kW,2马力的直流电机,采用微型面板设计,支持标准的DIN轨道安装方式。XRi系列驱动器可直接将制动能量回馈至电网,而无需借助复杂的中间能量存储、能耗电阻或附加桥路。随着各行业节能意识的日益增强,该特性的重要性不言自明。由于支持四象限运行,转矩可根据应用的需要迅速换向或者缓慢平滑换向。  相似文献   

7.
本文介绍了MC14489串行显示驱动器的性能特点、工作原理及其紧凑型单片机系统中物应用。  相似文献   

8.
《变频器世界》2009,(5):18-18
Technosoft公司日前发布了一款紧凑型智能伺服驱动器——IBL3605,新产品的尺寸仅为65mm×58mm×19mm.而最大峰值功率却高达600W。IBL3605集成了运动控制器、驱动器和PLC功能,由于外形极为紧凑,IBL3605可以安装在电机附近,从而大大缩短了电缆长度,减少了维护工作。  相似文献   

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于颖韬  杨爱武  刘舒书 《激光与红外》2006,36(12):1127-1129
文章介绍了激光二极管驱动源的基本构成,针对负载激光二极管电气特性和驱动源本身的特点,提出了利用硬件和软件进行双重快速保护的方案,对驱动电流过流、负载故障、模块电压故障、水冷故障等采取保护措施,提高了系统的可靠性。  相似文献   

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本文着重介绍任意个(1 ̄20个)高功率LED串联的恒流源驱动器。它能有效克服并联LED驱动器的缺点,明显扩展和提高了市场上已出现的高功率LED串联驱动器的应用范围和性能。  相似文献   

13.
金小东  赵志敏  张林 《应用激光》2009,29(6):521-522
小型测量仪及通讯仪器通常采用激光二极管作为其光源,这是因为它具有体积小、效率高、结构简单和价格便宜等优点.但是激光二极管的运行质量,与其驱动电源的性能密切相关,电流的起伏会引起光功率的变化,这就需要高性能电源驱动系统才能获得稳定、准确可调的光功率输出.根据激光二极管的工作原理,设计了以单片机控制为核心采用模糊控制技术以及附加一路参考信号的激光二极管光功率数字可调控制系统.系统利用智能模糊控制技术,可有效实现激光二极管光功率的实时控制和显示,可以获得稳定、准确可调的光功率输出.  相似文献   

14.
随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电的电磁场效应,如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视.简要介绍静电放电(ESD)的产生及在集成电路工艺、器件中的防护措施,并提供了现今流行的保护电路.  相似文献   

15.
采用CSMC0.6μm CMOS工艺设计实现了速率为622Mbps的4∶1复接器和激光二极管驱动器电路。4∶1复接器采用树型结构,由3个2∶1复接器组成。激光二极管驱动器电路由两级差分放大器和一级电流开关构成,级间采用源级跟随器隔离。电路芯片尺寸为1.5mm×0.7mm。电路采用单一正5V电压供电,功耗约为900mW。测试结果表明,电路的最高工作速率超过1.25Gbps速率,输出最大电流超过85mA。  相似文献   

16.
ESD是集成电路设计中最重要的可靠性问题之一。IC失效中约有40%与ESD/EOS(电学应力)失效有关。为了设计出高可靠性的IC,解决ESD问题是非常必要的。文中讲述一款芯片ESD版图设计,并且在0.35μm 1P3M 5V CMOS工艺中验证,成功通过HBM-3000V和MM-300V测试。这款芯片的端口可以被分成输入端口、输出端口、电源和地。为了达到人体放电模型(HBM)-3000V和机器放电模型(MM)-300V,首先要设计一个好的ESD保护网络。解决办法是先让ESD的电荷从端口流向电源或地,然后从电源或地流向其他端口。其次,给每种端口设计好的ESD保护电路,最后完成一张ESD保护电路版图。  相似文献   

17.
《今日电子》2006,(1):86-86
新的DPO7000系列包括速率为500MHZ的DPO7054、1GHZ的DPO7104、以及2.5GHz的DPO7254,都采用了基于IBM 7HP硅锗(SiGe)技术的新一代硬件平台,可以提供更高的性能来应付要求苛刻的应用。DPO7000在4个通道上提供高达10GS/s的采样速率,此外还能在4个通道上提供实时超采样,当4个通道同时以4X速度超采样时可获得16X超采样速率。  相似文献   

18.
CMOS片上电源总线ESD保护结构设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着集成电路制造技术的高速发展,特征尺寸越来越小,静电放电对器件可靠性的危害也日益增大,ESD保护电路设计已经成为IC设计中的一个重要部分.讨论了三种常见的CMOS集成电路电源总线ESD保护结构,分析了其电路结构、工作原理和存在的问题,进而提出了一种改进的ESD保护电源总线拓扑结构.运用HSPICE仿真验证了该结构的正确性,并在一款自主芯片中实际使用,ESD测试通过±3 000 V.  相似文献   

19.
从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路.在此基础上,构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构.该结构采用二极管正偏放电模式,以实现在较小的寄生电容情况下达到足够的ESD强度;另外,该结构在任意两个pad间均能形成ESD放电通路,同时将不同的电源域进行了隔离.  相似文献   

20.
一种CMOS IC片上电源ESD保护电路   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
随着集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,静电放电对CMOS器件可靠性的危害也日益增大,ESD保护电路设计已经成为IC设计中的一个重要部分.讨论了两种常见的CMOS集成电路电源系统ESD保护电路,分析了它们的电路结构、工作原理和存在的问题,进而提出了一种改进的电源动态侦测ESD保护电路.使用HSPICE仿真验证了该电路工作的正确性,并且在一款自主芯片中使用,ESD测试通过士3000 V.  相似文献   

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