脉冲激光沉积氢化锂薄膜(英文)

用脉冲激光沉积制备了氢化锂薄膜,对薄膜的结构和表面形貌进行了,给出了氢气压和靶基距与沉积速率的关系。运用扫描电镜和X射线衍射仪测试薄膜的性质。测试结果显示,氢气压为10-1mbar时,薄膜表面粗糙且呈现多晶态。对薄膜粗糙度与氢气压的关系进行了讨论。     

非晶态和纳米晶碳化硅薄膜的制备及力学性能

以SiC超细粉为原料、利用热等离子体PVD(TPPVD)技术快速制备出了优质非晶态和纳米晶SiC薄膜.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱、红外分光谱对薄膜的微结构进行了观察和分析.用纳牛力学探针测量了薄膜的力学性能.研究结果表明,只有当基板温度低于600℃、粉末供给速度不超过20mg/min时可沉积非晶态SiC薄膜,最大沉积速度达到25nm/s;当基板温度在600℃～1000℃时沉积的β-SiC薄膜是晶粒大小为3 nm～5 nm的纳米晶薄膜,最大沉积速度达到230 nm/s.非晶态和纳米晶SiC薄膜的硬度分别达到33.8 GPa和38.6 GPa.     

大气压等离子体制备类二氧化硅薄膜的实验研究

本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为硅的先驱粒子,氮或氩气为稀释气体,进行了大气压等离子体化学气相沉积类二氧化硅薄膜的实验研究.运用红外光谱(FTIR)、光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对沉积的薄膜进行结构和表面分析.实验表明,当功率一定时,在低的HMDSO含量下,硅衬底上得到了一层平整、致密、连续的薄膜沉积.红外吸收谱分析呈现出明显的Si-O-Si吸收峰,表明了类二氧化硅结构,其中的[Si]/[O]含量比达到1∶1.56.当HMDSO含量增加时,薄膜中含碳键成分增加,薄膜表面的大颗粒增多.相对地氮气而言,氩气在大气压下更容易获得稳定均匀的等离子体和更大的生长速率/功率比.     

等离子体源增强磁控溅射沉积Al2O3薄膜研究

采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜。X射线光电子谱和X射线衍射分析表明，在600℃沉积温度下，Si（100）基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ－Al2O3薄膜。薄膜的折射率为1．7，与稳定的α－Al2O3体材料相当。     

VLS机制生长SiC晶须研究

采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须.运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响.     

陶瓷氧化铝—金刚石薄膜复合材料的研究

以有机高分子化合物酒精和氢气为反应气体,用热丝CVD法在Al2O3陶瓷基片上沉积出金刚石薄膜,用拉曼光谱,X射线衍射等方法进行了表征,探索了碳源浓度、热丝温度、基片温度和预处理工艺对金刚石薄膜结构和性能的影响。并且得到了最佳的工艺条件。探讨了金刚石在Al2O3衬底上的成核和生长机理。     

陶瓷氧化铝-金刚石薄膜复合材料的研究(英文)

以有机高分子化合物酒精和氢气为反应气体,用热丝 CVD法在 Al2O3陶瓷基片上沉积出 金刚石薄膜 ,用拉曼光谱, X射线衍射等方法进行了表征。探索了碳源浓度、热丝温度、基片温度 和预处理工艺对金刚石薄膜结构和性能的影响,并且得到了最佳的工艺条件。探讨了金刚石在 Al2O3衬底上的成核和生长机理。     

微波等离子CVD法在石英玻璃上生长金刚石薄膜

在真空条件下采用氢气刻蚀二氧化硅形成硅膜，用微波等离子化学气相沉积法在玻璃上生长金刚石薄膜，并用X射线衍射、Raman光谱和光电子能谱对石英玻璃上的金刚石薄膜进行分析，指出其形成中间层SiO2/Si/SiC/C（金刚石）是在石英玻璃上生长金刚石薄膜的关键。     

退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响

首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。     

真空沉积强荧光稀土配合物薄膜的研究

通过真空加热沉积方法，制备了强荧光稀土配合物三（α-噻吩甲酰三氟丙酮基）一（9－丁基甲胺基－4，5－二氮杂芴）台铕（Ⅲ）的均匀薄膜，用X射线衍射、红外谱、X射线光电子谱、荧光光谱和透射电镜对该薄膜进行了研究。