Ba铁氧体溅射薄膜的研究

研究了射频溅射制备Ｂａ铁氧体薄膜的成膜条件对晶化、晶体结构及磁性能的影响。我们的工作表明，为了使射频溅射Ｂａ铁氧体薄膜形成磁铅石结构的晶体，基板温度需高于６００℃，更高的基板温度可获得好的Ｃ轴垂直取向。非晶膜经热处理晶化所需温度要比直接溅射温度高得多。过大、过小的氧气分压不利于垂直膜的生成。使用挡板对最小溅射角限制以后，可在小的基板－靶间距情况下定得Ｃ轴垂直取向的薄膜。     

NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展

综述了近10年来国内外NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展，并对其发展进行了展望。其中，溅射、喷雾热分解、脉冲激光沉积等技术得到了有效应用；而对一些新的工艺方法，如溶胶-凝胶法、超声波增强化学镀技术等也进行了深入的研究。     

尖晶石型铁氧体薄膜的化学镀技术及其应用

介绍了最新的铁体磁性薄膜的化学镀技术，沉积机理及其应用 。     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用ＲＦ磁控溅射法，在纯Ａｒ气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ｂａ铁氧化薄膜，研究了退火温度对薄膜Ｃ轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好Ｃ轴垂直膜同的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ｍｓ＝２９６ｅｍｕ／ｃｍ＾３，Ｈｃ＝３０８７６１Ａ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。     

溅射法制备Mn-Zn铁氧体薄膜的磁性与微结构

以交替真空溅射的方法使用成分分别为MnFe2O4与ZnFe2O4的双靶制备了成分变化的系列Mn1-xZnxFe2O4铁氧体薄膜,衬底为Si(100)。薄膜的成分通过控制不同靶的溅射时间来进行调整。沉积态的薄膜呈非晶结构,在真空炉中以适当的温度对薄膜进行退火之后能够得到多晶Mn-Zn铁氧体薄膜。组成成分为Mn0.5Zn0.5Fe2O4的薄膜呈现了相对最高的饱和磁化强度。同时还研究了制备条件对薄膜结构与磁性的影响,如溅射氧分压,退火真空度,退火温度及薄膜厚度等等。制备的薄膜相对于块状材料具有较高的矫顽力,进而讨论了应力对薄膜矫顽力的影响。     

电泳沉积法制备锶铁氧体厚膜

通过表面活性剂十二烷基苯磺酸(DBSA)包覆锶铁氧体,在1-丁醇中制备了稳定的悬浮液并成功电泳沉积锶铁氧体厚膜。从理论和实验上研究了沉积量及膜厚与电场强度、电泳时间和电极距离等的关系。结果表明电泳法能够制备质量优异的锶铁氧体厚膜,但沉积条件对厚膜有重要影响。烧结温度为1000℃时可获得磁性能良好的厚膜,其比饱和磁化强度为45A·m2/kg,剩磁比为0.556,矫顽力为4840Oe。经过分步沉积膜厚可达40μm左右。利用该方法制备的膜可用于设计带宽较宽的非互易微波铁氧体器件。     

铁氧体表面无铅焊接薄膜的磁控溅射制备研究

随着环保要求的不断提高,特别是2006年欧盟新环保指令禁止电子产品含有铅、六价铬等重金属,铁氧体以往的电镀焊接薄膜将被明确禁止。本文采用磁控溅射技术在铁氧体表面制备无铅焊接复合薄膜,从理论和实验上研究分析了薄膜的结构、厚度与膜层的结合、焊接性能。研究发现：当膜层结构为Cr（150 nm）/Ni-Cu（460 nm）/Ag（200 nm）时,其平均抗拉强度可达6.15 MPa,焊接合格率大于98%,能经受450℃1、0 s的高温无铅焊锡熔蚀,性能远远好于电镀膜层,而且工艺无污染。     

软磁铁氧体材料和生产技术的新进展

本文着重介绍开关电源用高频低功耗铁氧体材料、彩色显示系统用铁氧体材料以及甚高磁导率铁氧体材料国内外最新进展和国外生产技术的新动向,并对国内生产技术以及生产设备的国产化作了展望。     

磁控溅射法制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜的工艺研究

采用磁控溅射在硅晶基体上制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜,研究了溅射功率对溅射(沉积)速率和微观形貌的影响规律:随着溅射功率由80W增大到150W,薄膜的沉积速率增大;薄膜却由整齐均匀分布的小颗粒状向片状结构变化,分布也不均匀,晶粒明显长大.由此确定最佳溅射功率为120 W,薄膜的微观形貌最理想,溅射(沉积)速率也很快.     

钡铁氧体垂直磁化膜磁各向异性研究

钡铁氧体垂直磁化膜可用作高密度磁记录介质。本文研究用低温ＲＦ磁控溅射法制备非晶薄膜，经晶化处理所得到的垂直磁化膜的饱和磁化强度Ｍｓ、矫顽力Ｈｃ及垂直磁各向异性常数Ｋｕｌ、Ｋｕ２与退火温度Ｔ的关系，并对所呈现出的变化规律作了简单解释。介绍了依据转矩曲线的形状来判断薄膜垂直性优劣的方法，从转矩曲线出发，探讨了影响薄膜磁各向异性的因素。     

陶瓷涂层的无损检测

无损检测可避免有损检测带来的使用安全隐患,这是一种值得推广应用的技术.为此,介绍了陶瓷涂层常见缺陷种类及产生原因,阐述了陶瓷涂层无损检测的几种重要方法的基本原理以及目前国内外在这方面的研究现状.     

陶瓷涂层在航空发动机涡轮叶片表面处理中的应用

从涂层材料、制备方法、涂层特点及存在的问题等几个方面介绍了作层技术的研究和发展状况,并针对航空发动机涡轮叶片,在分析了陶瓷涂层作为叶片热障涂层的应用研究状况和效能的同时,提出在叶片易磨损部位的修复中应用陶瓷涂层以及直接用陶瓷涂层作为叶片耐磨涂层的设想。     

陶瓷涂层材料及其应用

本文扼要地介绍陶瓷涂层材料及成型工艺方法。以热喷涂技术为主要成型工艺,概括性地介绍了高性能陶瓷涂层在宇航、航空及基础工业应用的部分实例,对陶瓷涂层材料的应用前景予以展望。     

电沉积功能陶瓷技术

本文评述了电沉积功能陶瓷技术的原理，以及该技术在制备超导陶瓷、生物活性陶瓷和铁电陶瓷等方面的应用，讨论了电沉积过程中一些主要实验条件对陶瓷镀层性能的影响。     

Studies for Laser Densification of Ceramic Coating

A mathematical analysis describing the densification of ceramic coating processed with a moving TEM₀₀, mode laser beam has been presented in this paper. Calculations of the depth of the heat affected zone in ZrO₂, A1₂O₃ and TiO₂ ceramic substances is performed by adopting a three-dimensional quasi-steady state heat conduction model based on the mechanism of viscous solid-phase densification. Also, a working range for these ceramics coating densification is predicted by varying the laser beam power, spot size and scanning velocity. The heat-affected layer in ZrO₂ compact is found to be confined within a depth of 50 μm from the surface and it is fully densified for grains of initial radius 5 μm. A simple expression for temperature distribution is presented, which is found to provide sufficiently accurate estimates within a limited region around the laser spot.     

超高温陶瓷涂层的研究进展

综述了近年来超高温陶瓷涂层的研究现状及其在航空航天领域的应用,归纳了常用的硅化物涂层、碳化物涂层、硼化物涂层、氧化物涂层以及复合涂层的研究进展。从其结构、性能及作用机理等方面进行了阐释,并对超高温陶瓷涂层的发展方向进行了展望。     

氧化铝瓷表面施加生物玻璃涂层的研究

本文探索了氧化铝瓷基板上涂二层生物玻璃的工艺,以保证生物活性。用上述工艺制备的样品植入家兔的骨和肌肉,发现无排异迹象并与骨组织紧密结合。     

陶瓷涂层加注管接头密封性能研究

球锥面密封结构是航空航天及化学工业中普遍采用的密封结构,对其密封性能研究及改进具有一定的工程应用价值。球锥面加注管接头的主要材料是1Cr18Ni9Ti,当重复使用时,接触表面极易发生磨损,影响密封特性。针对上述问题,采用涂层表面处理技术,提高表面抗磨损性能和密封性能。借助ANSYS有限元软件,模拟分析了接触表面的应力分布情况。陶瓷涂层弹性模量越大,接触应力越大,密封性越好,但粘结强度较低。当涂层与基体弹性模量相接近时,粘结强度较好。因此对4种陶瓷涂层进行等离子喷涂并进行密封及磨损试验研究。结果表明:TiN涂层加注管接头黏着磨损及磨粒磨损现象有较大改善,重复使用效果最好。     

含钙铁氧体磁性生物活性玻璃陶瓷热种子的制备与表征

本工作将钙铁氧体与溶胶-凝胶法制得的生物活性玻璃陶瓷复合,制备了含钙铁氧体磁性生物活性玻璃陶瓷磁热种子。对所制得材料的物相组成、磁性、体外生物活性、磁生热能力及磁热对肿瘤细胞的杀伤效应、组织相容性进行了表征。结果表明,材料主晶相为CaSiO₃、Ca₅(PO₄)₃F和CaFe₂O₄。充磁约8×10⁵ A·m-1时,材料饱和磁化强度约5 A·m²·kg-1,矫顽力约2×10⁴ A·m-1。暴露在342 kHz、1×10³ A/m的交变磁场下,0.1 g材料20 min内即能实现升温约40 ℃。在浸泡入模拟体液中14 d后,材料表面能形成不连续的含有碳酸根生物的活性层。MTT细胞增殖实验显示材料无细胞毒性,MG63细胞能在材料上粘附和生长。将材料与VX2细胞在交变磁场下复合培养20 min,材料周围出现明显的死亡细胞圈。兔肌肉植入实验显示材料组织相容性良好。     

高阻隔透明陶瓷膜蒸镀技术

对高阻隔透明陶瓷膜的发展概况及应用进行了综述,介绍了陶瓷膜的真空蒸镀技术、PECVD蒸镀技术的原理、特点和应用,并对陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望.