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内部硅化法制备低成本C/SiC复合材料 总被引:1,自引:0,他引:1
采用内部硅化法制备了低成本C/SiC复合材料,通过三点弯曲法表征了复合材料的强度,采用X射线衍射(XRD)分析了基体组成,通过扫描电镜(SEM)研究了纤维/基体界面和复合材料断裂面的微观结构.结果表明,纤维表面沉积CVD-SiC保护涂层能够有效保护碳纤维不被硅侵蚀,调整硅粉和酚醛树脂配比使C∶Si摩尔比等于10∶ 9,可消除SiC基体中的残余自由硅.研制的低成本2D C/SiC复合材料的弯曲强度和剪切强度分别达到247MPa与13.6MPa.2D C/SiC复合材料的断裂行为呈现韧性破坏模式,在断裂面存在大量的拔出纤维,复合材料的断裂韧性(KIC)达到12.1MPa·m1/2. 相似文献
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超声液态浸渗法制备碳化硅增强铝预制丝 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报导了超声液态浸渗法制备碳化硅增强铝预制丝的由来及特点。介绍了经过改进的工艺所制得的预制丝的性能。其室温拉伸强度大于1000MPa,最小弯曲直径不大于30mm。金相和扫描电镜研究表明纤维与基体复合良好。 相似文献
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以M40石墨短纤维为增强体,LY12铝合金为基体,用挤压浸渗法制备了短碳纤维增强铝基复合材料,研究了浸渗工艺对复合材料的界面反应和组织与性能的影响,以及不同碳纤维体积分数下的常温及高温力学性能,结果表明,在冷却速度相同的情况下,浸渗温度即铝液的浇注温度对界面反应及复合材料的组织与性能影响较大,740~780℃时界面反应不明显或有轻微的界面反应,材料的性能较好.高于800℃时,碳纤维有氧化现象发生,材料的性能严重下降,甚至低于基体性能,随着碳纤维体积分数的增加,复合材料的常温及高温力学性能提高。 相似文献
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用自发熔化渗透法制备高TiC含量 (~75vol%) 的TiC/NiAl复合材料,研究了渗透温度和渗透时间对TiC/NiAl复合材料微观组织形成、硬度及断裂性能的影响。采用XRD 和TEM/EDS分析了复合材料的相组成、微观结构和NiAl相与TiC颗粒在高温渗透过程中的互溶情况。结果表明:自发熔渗法是制备致密的TiC/NiAl复合材料的有效方法,适当提高渗透温度,可大大缩短渗透时间。在完成渗透获得致密组织的前提下,渗透温度和渗透时间对TiC/NiAl复合材料的硬度及断裂韧性无显著影响。NiAl相和TiC颗粒结合良好,是渗透后复合物的仅有组成相。TiC少量地溶于NiAl,溶解度随渗透时间增长而增大,且在TiC颗粒外层,发现有少量的Al和微量的Ni。 相似文献
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利用透射电子显微镜(TEM),观测到未见报道的须状微结构,称为非晶须。提出非晶须可能的生长条件是淀积系统中出现大的过饱和气压。X 射线光电子能谱分析表明,非晶硅与其表面SiO_2之间存在化学成分为 SiO_x(0相似文献
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快速凝固Ni-34.6a.%Al薄带经1523K退火2h并以较快速度冷却扣形成以NiAl马氏体为基体,γ-Ni3Al沿晶界网状分布和少量残β-NiAl的组织,退火,室温弯曲延性良好。 相似文献
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探索了 SiC-B4C复合膜的热等离子体 PVD(TPPVD)法快速制备,研究了 SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能。实验结果表明:以 SiC和 B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备 SiC-B4C复合膜的有效方法。通过控制 SiC和 B4C粉末的供给,可以获得具有层状结构的 SiC-B4C致密优质复合膜,最大沉积速度达356 nm/s,高于常规 PVD和 CVD法两个数量级。膜的硬度随 B4C含量增加而增大,最大显微维氏硬度达到 35 GPa。SiC-B4C复合膜的电阻率和 Seebeck系数随 B4C含量增加而减小。最大 Seebeck系数为 550 μVK-1,在 973 K时最大功率因子达到640 μWm-1K-2,是SiC烧结体的21倍。 相似文献
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利用双臂电桥测量电阻的方法,研究了石墨球和基体组织对球墨铸铁电阻率的影响。研究结果表明,珠光体和混合基体球墨铸铁的电阻率随石墨球数增加而逐渐提高,而石墨球数对铁素体基体的球墨铸铁电阻率影响不显著;基体组织对球墨铸铁的电阻率有较大影响,随着铁素体量的增加,电阻率逐渐降低。石墨球数量增加导致球墨铸铁电阻率升高的原因是单位体积中石墨球与基体的晶界面积增多。 相似文献
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对比了采用先驱体浸渍法制备的三种不同纤维增强SiC基复合材料的性能差异,并从材料的微观结构特征入手分析了差异产生的原因。通过研究发现,采用Hi-Nicalon纤维增强的SiC基复合材料具有较好的性能,单向复合材料弯曲强度达到703.6 MPa, 断裂韧性达到23.1 MPa·m1/2;采用国产吉林碳纤维(JC)制备的SiC基复合材料也具有较好的性能,弯曲强度为501.1 MPa,断裂韧性为13.8 MPa·m1/2。 相似文献
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Al-SiC ELECTRONIC PACKAGES WITH CONTROLLED THERMAL EXPANSION COEFFICIENT BY A NEW METHOD OF PRESSURELESS INFILTRATION 总被引:3,自引:0,他引:3
A method is described whereby SiC preforms may be infiltrated in air by a molten aluminum alloy to yield a metal matrix composite with thermal expansion coefficients that are suitable for electronic packaging, such as in microwave integrated circuits. Crucible geometries and infiltration conditions may be designed to provide inexpensive and reusable containers and useful section thicknesses in ∼1 hr. Intricate geometries may be fabricated in the green state of the ceramic, prior to infiltration, thereby minimizing final machining of the composite. 相似文献