MAX16834：HBLED驱动器

Moxim推出电流模式、高亮度LED（HBLED）驱动器MAX16834,用于升压、于卜／降压、SEPIC及高边降压结构。该器件可降低固态照明（SSL）设计（如：MR16聚光灯）的尺寸、复杂度和成本,从而简化了绿色照明技术的设计实施。器件集成了高边电流检测放大器、PWM亮度控制MOSFET驱动器以及可靠的保护电路。     

MAX16834：大功率高亮HBLED驱动方案

Maxim公司的MAX16834是电流模式高亮度LED（HBLED）驱动器，可用于升压、升压-降压、SEPIC和高边降压拓扑。利用开关控制器，除了可以驱动由开关控制器控制的N沟道功率MOSFET开关外，还能驱动N沟PWM调光开关来实现LEDPWM调光。MAX16834集成了成为固定频率HBLED驱动器所需的所有内置结构块，能够进行宽范围调光控制。     

MAX5098A：汉路输出、高开关频率DC-DC转换器

Maxim公司宣布推出MAX5098A,MAX5098A是双路输出、高开关频率DC-DC转换器,集成高边或低边n沟道开关。每路输出可配置为buck转换器或boost转换器。配置为buck转换器时,转换器1和转换器2输出电流分别为2A和1A。MAX5098A也集成了抛负载保护电路,可承受汽车应用中高达80V的瞬态电压。抛负载保护电路采用内部电荷泵驱动外部n沟道MOSFET栅极。当出现过压或抛负载时,串联保护MOSFET可吸收高压瞬变以防止损坏低压器件。     

Maxim双路、低电压、线性稳压控制器

Maxim推出一款双路、大功率、线性稳压控制器——MAX8737，通过外部n沟道MOSFET产生笔记本电脑所需的两路低压电源。稳压器可提供0．5V至2．5V的低电压输出，外置MOSFET、高精度（1％）稳压输出允许灵活的负载电流设计，最高可达5A。MAX8737可工作在低输入电压下，从而降低外部n沟道MOSFET的功耗。外部电阻分压器提供折返式限流保护，降低了总功耗。输出欠压超时检测为低成本应用中省去了检流电阻。线性稳压器具有可调节的软启动功能，并能产生延时的电源就绪信号，在MAX8737处于稳压状态时提供指示。限流和热保护特性可避免器件损坏。     

Maxim推出高电压、高亮度LED驱动器

Maxim推出MAX16812高电压、开关模式、高亮度(HB)LED驱动器,内置模拟和PWM调光控制.为减少元件数并降低成本,该器件集成高边/差分LED电流检测放大器以及PWM调光MOSFET驱动器.     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

用于WCDMA功率放大器的新型DC-DC转换器MAX1820/MAX1821

MAXIM公司开发的芯片MAX1820/MAX1821是一种脉宽调制（PWM）DC-DC降压转换器，这是一种专为WCDMA蜂窝电话功率放大器供电设计的IC芯片，其供电电压范围为2.6-5.5V，输出电流可达600mA，1MHz PWM开关频率允许采用小尺寸外部元件，跳频模式使轻载静态电流降低至180μA.MAX1820可以动态控制，提供0.4-3.4V的输出电压范围，MAX1820/MAX1821内含一个低导通电阻的内部MOSFET开关和同步整流器，因而大大提高了转换效率，此外中还介绍了MAX1820/1821芯片的典型应用电路设计。     

可驱动外部MOSFE的双路低电压线性稳压控制器MAX8737

Maxim公司（NASDAO：MXIM）推出一款双路、高功率、线性稳压控制器MAX8737，通过外部n沟道MOSFET产生笔记本电脑所需的两路独立低压电源。稳压器可提供0．5～2．5V的低电压输出，外部MOSFET的高精度（1％）稳压输出允许灵活的负载电流设计，最高可达5A。     

高度集成的高电压LED驱动器

Maxim Integrated Products推出MAX16831具有高电压、大功率、恒定电流LED驱动器，内置模拟和PWM调光。该驱动器集成浮置的LED电流检测放大器及调光MOSFET驱动器，可将元件数目降至最少，并满足采用高亮度（HB）LED的汽车和通用照明应用的高可靠性要求。MAX16831工作在5．4V～76V输入电压范围，可耐受恶劣的工作环境，因此可确保兼容于冷启动和甩负载（高达80V）。     

MAX14527/28：可调节过压保护器

Maxim推出过压保护器（OVP）MAX14527／28,能够在28V的故障电压下保护低压系统。这些器件采用内部100mΩ（典型值）低RON的MOSFET,防止过压时损坏电路。这种集成特性省去了外部n沟道MOSFET,从而节省了电路板空间并降低了成本。此外,器件还提供极大的设计灵活性,允许设计者通过可选的外部电阻,将过压保护门限调节至4V到12V范围内的任何电压。MAX14527／28理想用于蜂窝电话、媒体播放器、PDA以及其它需要精确过压保护的便携式设备。     

高集成度的电源管理解决方案

MAX16814集成了开关DC／DC控制器,用于产生驱动多串LED所需的电压。器件还具有4个带有片内功率MOSFET的线性电流吸收电路,为每串LED提供最高150mA的可编程电流。自适应输出电压控制架构优化了效率,极大地降低了LED电流吸收通路的功耗。     

单片开关电源VIPer22A的原理与应用

1引言VIPer22A器件是STMicroelectronics公司生产的低功耗离线式电流型脉宽调制单片开关电源集成电路。该器件内部集成了专用电流型PWM控制器和一个高压功率MOSFET,其中MOSFET采用了允许输出电流垂直通过硅片的专利智能电源技术。此芯片还带有60kHz固定频率振荡器、高压起动电流源、带隙基准、用于环路补偿的并联调整器、误差放大器以及过压、过流、过温保护等电路。采用此器件的开关电源与同类单片开关电源相比 ,具有电路设计简单、输入扰动响应快、应用灵活、成本低廉、保护功能更加完善等优点。2基本性能特点VIPer22A有两种封…     

带有可编程闪光计时器的电荷泵

MB39C015是一款采用内置开关FET、振动发生器、误差放大器、PWM控制电路、标准电压、电压检测电路的双通道De／De转换器。它的输入电压为2．5～5．5V，每个通道的输出电流最高可达800mA}开关频率可达2MHz，由于采用电流模式，输出电流一直处于被监测状态，电流一般控制在最大电流范围。该产品采用RDS（ON）仅为0.30Ω（P沟道）和0.20Ω（N沟道）的内部开关，对应100％ON Duty模式，转换效率为96％．     

2MHz脉宽调制器

MCP1631是2．0MHz高速脉宽调制器（PWM）,包含1A集成MOSFET驱动器和用于过压保护的高速比较器,并在同一小巧封装内备有电池电流及电压检测放大器。器件内还配备标准的保护功能,如欠压锁定和过温保护,可为锂离子电池、镍氢电池、镍隔电池及铅酸电池等不同类型的化学电池充电。     

热门产品

MAX622/623电源对高边n沟道- MOSFET开关和控制电路提供方便的栅极驱动电压源.使用充电泵电压转换器,集成电路产生了高于系统电压(V_(cc))11V的稳压电压.如果没有升高的栅极电压,就无法使用低成本的n沟道MOSFET.而必须选用一昂贵的5V逻辑电平的MOSFET或一效率相当低且昂贵的p沟道MOSFET或p-n-p晶体管.宽输入范围(3.5V到16.5V)和低静态电流(典型70μA)使得MAX622/623适用于许多开关和控制应用中,并且不论是市电供电、还是电池供电.两种芯片的电源准备好输出(PR)信号,指示在加电期间栅极驱动电压已达到一允许电平.MAX622以8引脚DIP或封装,并需要使用三个廉价的外接电容器.含有电容器不需要外部元件的MAX623为16引脚DIP封装.MAX622和MAX623都有经商业温度范围及工业温度范围测试合格的不同类型.MAX622起价为＄1.99(1000件),MAX623起价为＄3.95(1000件).     

模拟与混合信号

采样率达3GSps的ADC；14BIT和12BIT ADC；内含复杂模拟区块的高集成度模拟电路；采用SOT23封装的功率晶体管；具有关断功能的超低噪声放大器模块；安森美推出低VCE（sat）双极晶体管；电平移动式差动放大器；采用微型电源封装的轨至轨2A运算放大器；提供1A电流和真彩PWM调光功能的LED驱动器；电磁加热用1200V NPT沟道IGBT；低导电损耗的60V MOSFET；超小型高频MEMS继电器     

NTB54xxN：功率MOSFET

安森美半导体推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制（PWM）控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域（SOA）,新的MOSFET器件提供额外的安全裕量,避免应用受未预料的电压瞬态影响。     

采用小外形DFN封装的电子电路断路器免除了检测电阻器

引言一直以来,电子电路断路器(ECB)都是由一个MOSFET、一个MOSFET控制器和一个电流检测电阻器所组成的。LTC4213是一款新型电子电路断路器,它通过采用外部MOSFET的源漏开态电阻(RDS(ON))而取消了检测电阻器。这样做的结果是实现了一个简单、小巧的解决方案,可在低工作负载电压条件下显著地降低插入损耗。LTC4213具有两种针对变动负载条件的电路断路响应,以及三种可选跳变门限和一个用于外部N沟道MOSFET开关的高侧驱动器。过流保护SENSEP和SENSEN引脚(图1)通过外部MOSFET的RDS(ON)来监视负载电流,并用作至两个内部…     

输入电压高至75V的高性能同步DC／DC

IR3651是同步PWM控制IC，可编程开关频率最高可达400kHz，适用于电信及基站电源应用、网络服务器、汽车和工业控制等多种应用。它是为驱动最高为25A的一对外置N沟道MOSFET而设计的。当发生故障时，可以提供保护功能，例如可编程软启动、断续电流限制及欠压闭锁等，     

Maxim 8串WLED驱动器

Maxim内置MOSFET开关的8串白光LED（WLED）驱动器MAX17061采用内部开关型电流模式升压控制器驱动LED阵列，