一种新型MOS控制功率器件

介绍了一种被称为ＭＢＭＴ的ＭＯＳ控制功率器件，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生长ｎ＾－外处层。该器件被设计中常开器件，当外加一个正向栅压时就可使器件通过阳极电流。该器件具有导通电阻低，开关速度快，导通电流密度大的优点，是一种发展前途较大的大电流，高效率开关器件。     

采用BSIT（或SITH）的高载波SPWM变频器

介绍一种电压型ＰＷＭ静音式变频器，其主电路选用新型全控型器件－－双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）和静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）。系统采用高载波（２０ｋＨｚ）ＳＰＷＭ结构，提高了变频器的性能。文中还提出了一种对两种新器件都实用的驱动电路和高载波ＳＰＷＭ波形生成法，最后给出了试验结果。     

带过流自保护功能高压大功率VDMOSFET的研究

研制出一种高可靠性、具有过流自保护功能的高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ器件,它采用与常规ＶＤＭＯＳＦＥＴ工艺相同,结构不同的设计。该器件的漏＝源击穿电压大于２００Ｖ〈正常工作电流大于２Ａ,过流自保护小于４Ａ,它能大大提高应用的可靠性。     

用于三相桥式电路的600V驱动集成电路

介绍了一种６００Ｖ单片式智能驱动集成电路，它可连接ＴＴＬ，ＣＭＯＳ逻辑电路与三相桥式电路之间，用以驱动ＭＯＳ栅极器件。本文给出了该驱动电路在步进电机，高频镇流器中的应用电路。     

MOS控制晶闸管（MCT）的设计

讨论了ＭＣＴ的结构设计及耐压设计。通过对结构参数的最佳化选择，制造出开关电流９Ａ，耐压９００Ｖ的ＭＣＴ芯片。ｎ沟ＭＯＳ阈值电压为２Ｖ，ｐ沟ＭＯＳ阈值电压为－５Ｖ。当门极加－７Ｖ电压时，其关断电流密度为２２０Ａ／ｃｍ＾２。     

用于电机的VMOSFET低压驱动电源

论述了开关管采用ｎ沟道ＶＭＯＳＦＥＴ构成中功率步进电机低压驱动电源的设计；给出了斩波开关控制电路，运行或锁定稳态电流自调节电路，边沿加速电路及电机驱动用功率半导体器件的选择。     

功率MOSFET变换器在开关磁阻电动机驱动系统中的应用

本文介绍了一种新型调速系统－开关磁阻电动机驱动系统，分析了驱动系统的特点及其对功率变换器的要求，并论述了在中小功率场合应用功率ＭＯＳＦＥＴ作为功率变换器的意义，同时对该系统的功率变换器器件设计、功率ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动与保护作了研究。     

静电感应晶体管作用机制的理论研究

针对静电感应晶体管的小电流工作区，从电势方程出发，利用设定的边界条件，导出了二维势函数的近似解析表达式，并以此为据对ＳＩＴ的作用机制进行了系统分析，进而对ＳＩＴ的中，大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论。指出大电流时，ＳＩＴ的电流－电压特性与空间电荷限制效应密切相关。     

新型电力半导体器件BSIT的基本特性及部分应用

介绍了一种我国首创的新型电力半导体器件ＢＳＩＴ的基本结构和特性；讨论了ＢＳＩＴ的驱动问题；给出了它在直流变换系统中的一种应用电路。实验表明，ＢＳＩＴ具有其它同容量半导体器件所不具备的优良特性。     

新型电力半导体器件

电力半导体器件的发展是不断实现器件特性理想化的过程，该文中介绍了ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ、ＭＣＴ和ＰＩＣ等新型器件，并指出目前水平是ＩＧＢＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ，ＳＩＴ为１５００Ｖ、３００Ａ、ＳＩＴＨ为４５００Ｖ、２５００Ａ、ＭＣＴ为３０００Ｖ、１０００Ａ、ＰＩＣ是智能化的功率集成电路。同时列表比较ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ和ＭＣＴ四种电力半导体器件的性能。最后指出：ＭＣＴ、ＰＩＣ器件处在不     

Nd—Fe—B磁体的高性能化

衡量Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁体高性能化的一个标准是最大磁能积，至今已报道了烧结Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁体的最大磁能积（ＢＨ）ｍａｘ的最高值为４３２ＫＪ／ｍ＾３（５４ＭＧＯｅ），（ＢＨ）ｍａｘ为３６０ＫＪ／ｍ＾３（４５ＭＧＯｅ）的磁体已实现了工业化生产，采用快淬和热压工艺可获得磁体的最大磁能积为３８０ＫＪ／ｍ＾３（４８ＭＧＯｅ），对纳米晶Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ基永磁材料采用快淬工艺，可获得各向同性的磁体，剩磁和饱和磁化强度     

薄膜SOI LDMOS自加热效应的表征及相关因素探究

通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜ＳＯＩＬＤＭＯＳ的电热模拟对比,了二氧化硅低热导率对器件温度分布及Ｉ－Ｖ特性的应用。首次表征了仅由埋氧化所致的自加热效应。重点讨论了薄膜ＳＯＩ高压ＭＯＳＦＥＴ的自加热２与器件结构和工艺参数的关系。     

VMOS高线性度跨导运算放大器

本文提出由ＶＭＯＳ器件组成跨导运算放大器。分析了ＶＭＯＳ基本差动输入级的传输特性，提出一种高线性度的跨导可调ＶＭＯＳ跨导运算放大电路。     

精密高效大功率稳压稳流电源

介绍一种用高频开关电源作预稳级的精密稳压稳流电源。该电源的所有功率器件均采用功率ＭＯＳＦＥＴ,控制电路和保护电路均采用集成电路,既具有高精度、高效率,又具有小体积、轻重量,是一种可靠性高、应用面宽的大功率电源。     

掺铋二氧化锰纳米粉体的循环伏安行为

通过对掺铋二氧化锰纳米粉体的循环伏安行为的研究,讨论了掺杂Ｂｉ－ＭｎＯ２纳米电极的充放电机理。Ｂｉ（Ⅲ）的掺入完全改变了ＭｎＯ２电极的放电机理,但掺杂Ｂｉ－ＭｎＯ２纳米电极与常粒Ｂｉ－ＭｎＯ２电极的放电机理是类似的。在充放电的过程中,均形成一系列不同价态的Ｂｉ－Ｍｎ复合物,通过这些复合物的共还原和共氧化,有效地抑制电化学惰性物质Ｍｎ３Ｏ４的生成,从而极大地改善了电极的可充性能。ＭｎＯ２氧化度高的电极,其活性也大,但在充放电过程中形成Ｂｉ－Ｍｎ复合物之后,差别逐渐缩小,复合物的氧化还原过程与初始氧化态关系不大     

IGBT模块的研制

ＩＧＢＴ模块的研制ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ￥／／北京电力电子新技术研究开发中心李福旺（北京１０００８８）１前言绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）是集功率ＭＯＳ和双极型晶体管优点于一身的电压控制型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、通...     

新型半导体集成磁敏传感器的研究

本文论述了一种新颖的集成磁敏传感器，它是以互补三漏ＭＯＳ晶体管为磁敏器件，采用半导体集成电路技术，将放大电路，偏置电路与磁敏集成在同一芯片上。该传感器具有灵敏度高，功耗低和体积小等特点。     

PROCONTROL-P分散控制系统在西部电厂的应用

西部电厂西３号、西４号机组的热正工６大控制系统（ＭＣＳ、ＤＡＳ、ＢＭＳ、ＳＣＳ、ＤＥＨ、ＭＥＨ）是由ＡＢＢ公司制造的ＰＲＯＣＯＮＴＲＯＬ－Ｐ控制系统实现的,使用效果良好。该控制系统的组成结构、功能特点以及应用情况等,对大容量炎电机组分散控制系统的选型及应用可提供借鉴。     

国外新器件研制和应用现状

当前，电力半导体器件的发展重点是采用新的原理，开发新的ＭＯＳ双极器件（ＩＧＢＴ和ＭＣＴ）和场控器件（ＳＩＴＨ）。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状，以及这些器件的应用情况。     

高品质电流跟踪电压型逆变器

提出一种高性能的电流跟踪控制电压型ＭＯＳＦＥＴ逆变器。详细介绍了该逆变器的结构，工作原理，特点，给出了完整的电路图。实验证明，该逆变器性能优良，可靠性高。