CMOS图像传感器及其发展趋势

本文简要介绍了CMOS图像传感器的发展历程及工作原理.对CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点进行了比较,指出了CMOS图像传感器的技术优势,并讨论了CMOS图像传感器的发展趋势.     

CMOS图像传感器的发展及应用

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点，分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。指出随着CMOS传感器技术的发展，CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器，并预见了其发展趋势。     

CMOS图像传感器赶超CCD图像传感器

比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点，分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展，CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器，并对其发展趋势作了预见。     

CMOS图像传感器及其研究

介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.     

CCD图像传感器发展与应用

主要介绍了线阵CCD、面阵CCD、帧转移CCD、ITO-CCD和电子倍增CCD等图像传感器的发展现状.以CMOS器件作为比较,探讨和研究CCD图像传感器的应用领域以及未来发展趋势.     

CMOS图像传感器的研究进展

20世纪90年代以来,随着超大规模集成(VLSI)技术的发展,CMOS图像传感器显示出强劲的发展势头.简要介绍了CMOS图像传感器的结构及工作原理,详细比较了CMOS图像传感器与CCD的性能特点,讨论了CMOS图像传感器的关键技术问题.并给出了相应的解决途径,综述了GMOS图像传感器的国内外研究现状,最后对CMOS图像传感器的发展趋势进行了展望.     

CCD与CMOS传感器技术与应用

引言随着数码相机、手机相机的兴起,图像传感器正逐渐成为半导体产品中最耀眼的明星之一,而在图像传感器中,日商所独占的CCD传感器与百家争鸣的CMOS传感器都在尽力克服自身的缺点,希望成为市场上的主流技术。鉴于此,本文将首先简介CCD与CMOS传感器在原理方面的差异,再探讨领导厂商的技术发展蓝图,了解这些不同的图像传感器在应用市场上的发展趋势*。CCD与CMOS传感器技术简介CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送…     

图像传感器在数码产品中的应用

本文详细回顾了CCD与CMOS图像传感器的研发历史,介绍了这两种广泛使用的图像传感器的工作原理以及目前的发展现状。比较了CCD和CMOS多方面的优缺点。结合数码产品的特点,深度分析了两种图像传感器应用前景及发展趋势。     

基于CMOS工艺的图像传感技术研究与进展

比较了传统的CCD图像传感器和近几年发展起来的CMOS图像传感器的优缺点;讨论了CMOS图像传感器的关键技术;概述了国内外CMOS图像传感器发展的现状,预测了CMOS图像传感器的发展方向.     

CMOS图像传感器研究

结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。     

一种基于CMOS传感器的图像采集系统设计

CMOS型传感器比传统的CCD型传感器具有诸多优势,基于CMOS型传感器的图像系统已成为研究和开发的重点。设计一种以FPGA为核心控制芯片、基于USB接口和ADCS1121 CMOS型单色图像传感器的图像采集系统。介绍系统的构成及其硬件设计方法,给出USB固件程序、设备驱动程序及用户应用程序的实现方法。     

Scaling and Pixel Crosstalk Considerations for CMOS Image Sensor

With the scaling development of the minimum lithographic size, the scaling trend of CMOS imager pixel size and fill factor has been computed according to the Moore rule. When the CMOS minimum lithographic feature scales down to 0.35 μm,the CCD imagepixel size is not so easy to be reduced and but the CMOS image pixel size benefits from the scaling minimum lithographic feature. However, when the CMOS technology is downscaled to or under 0.35μm,the fabrication of CMOS image sensors will be limited by the standard CMOS process in both ways of shallow trench isolation and source/drain junction, which results in pixel crosstalk. The impact of the crosstalk on the active pixel CMOS image sensor is analyzed based on the technology scaling. Some suppressed crosstalk methods have been reviewed. The best way is that combining the advantages of CMOS and SOI technology to fabricate the image sensors will reduce the pixel crosstalk.     

CMOS图像传感器及其应用

CMOS图像传感器是近年来市场上出现的一种新的摄像器件,文中对CMOS图像传感器与CCD图像传感器作了比较,分析了CMOS像传感器的工作原理及其优越的性能,提供了CMOS像传感器的应用实例。CMOS成像器在红外成像领域具有广阔的应用前景。     

CMOS图像传感器在数码相机中的应用

对CMOS与CCD图像传感器的特点及其在数码相机中的应用进行了讨论，着重研究了CMOS图像传感器芯片的应用及其发展前景，针对CMOS图像传感器的特点设计了一个完整的数码相机，并利用PC机中的图像处理软件处理和显示所拍摄的图片。     

CMOS图像传感器固定模式噪声抑制新技术。

针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Chartered0.35μmCMOS工艺制作了测试ASIC芯片,试验结果表明动态数字双采样技术有效抑制了FPN噪声。     

CMOS图像传感器在智能车路径识别中的应用分析

CMOS图像传感器是一种固体成像传感器,其在智能车路径识别中的应用已成了一种发展趋势.路径识别是体现智能车智能水平的一个重要标志,而传感器是智能车进行路径识别的关键检测元件.本文将对CMOS图像传感器在智能车路径识别中的应用及相关影响因素进行分析.     

A sensitivity and linearity improvement of a 100-dB dynamic range CMOS image sensor using a lateral overflow integration capacitor

In a CMOS image sensor featuring a lateral overflow integration capacitor in a pixel, which integrates the overflowed charges from a fully depleted photodiode during the same exposure, the sensitivity in nonsaturated signal and the linearity in saturated overflow signal have been improved by introducing a new pixel circuit and its operation. The floating diffusion capacitance of the CMOS image sensor is as small as that of a four transistors type CMOS image sensor because the lateral overflow integration capacitor is located next to the reset switch. A 1/3-inch VGA format (640/sup H//spl times/480/sup V/ pixels), 7.5/spl times/7.5 /spl mu/m/sup 2/ pixel color CMOS image sensor fabricated through 0.35-/spl mu/m two-poly three-metal CMOS process results in a 100 dB dynamic range characteristic, with improved sensitivity and linearity.     

基于CPLD的面阵CMOS图像传感器的驱动时序设计

在分析LUPA300型面阵CMOS图像传感器驱动时序关系的基础上,设计了此面阵CMOS图像传感器的驱动时序.选用CPLD器件作为硬件设计平台,试验VHDL语言对驱动时序进行了硬件描述,采用Quartus Ⅱ对所设计的驱动进行了功能仿真,并针对ALTERA公司的EPM1270T144C5进行了RTL级仿真及配置.系统测试结果表明,所设计的驱动时序可以满足面阵CMOS图像传感器LUPA300的各项驱动要求.