室温HgCdTe探测器

波兰等离子物理研究所(Plasma Physics Institute)制造出一套不需致冷的室温光导和光磁电(PEM)探测器。这种探测器综合了速度快、灵敏度高及使用简便的优点,可供外差探测、CO_2激光束诊断及CO_2激光等离子体诊断等多方面的应用。PEM探测器不需要偏压电,可直接与示波器连接。探测器的有效面积为1×1mm,辐射照度     

室温HgCdTe探测器

美马萨诸塞州Brookline的波士顿电子学公司提供的HgCdTe探测器可在室温条件下工作,而不用大多数类似器件所需要的液氮冷却.由波兰华沙Labimex公司制造的这些探测器为光电导或光伏型,其最佳灵敏度在8～12微米或在3～5.5微米.     

室温HgCdTe探测器

波斯顿电子公司提供了一种室温HgCdTe探测器,它不需要通常器件所采用的液氮致冷。这种探测器可以是光导型或者光伏型的,它在8到12μm或者3到5.5μm时灵敏度最佳。典型器件型号为R005,它的有效工作面积是1×1毫米,上升时间是1毫微秒,响应率是0.01到0.05A0.05V/W,探测率是1×10~6到5×10~6cm·Hz~(1/2)/W。     

多色HgCdTe光电探测器

已经制造、测试并交出了多色HgCdTe光电探测器,它们可以对频带进行分析。本文讨论了这种探测器的现状。讨论的是窄带双色器件,对8～14微米响应。上元件和下元件的D~*_λ(λ_p,10千赫,1)在95°K均大于3.5×10~9厘米赫(1/2)/瓦。上元件的截止波长为8.8微米,下元件的响应波长为9.6～11.1微米。该器件装有两个窄带的长波带通滤光片。文中还报导了独特的三色HgCdTe器件的初步结果,其截止波长为9.1、10.8和13.8微米。     

HgCdTe红外探测器性能分析

根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3 m、5 m、10.5 m的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求。     

HgCdTe光导探测器阵列

为前视红外系统发展了200元光导阵列。制作这种阵列时,要严格控制晶体生长过程中的热流,掺铟控制裁流子浓度。由50元的片子拼接而成。77K 时这个阵列的探测率均匀,D~*平均值(12微米,1000,1)为3.2×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)(视场50°)。     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

HgCdTe光电导探测器列阵

已经发展了一种200元的Hg_(0.8) Cd_(0.2) Te光导列阵,列阵具有均匀的探测率。在77K,视场角(FOV)为50°时,D~*(12μm,1000,1)的平均值为3.2×10~(10)Cm·Hz~(1/2)·W~(-1)。结晶时严格地控制热流所制备得的列阵效果良好。掺入锢杂质以控制载流子数。列降由四个都具有50个单元的小基片组装成。     

HgCdTe光伏红外探测器

一般Hg_(1-x)Cd_xTe晶体都用液相生长法制得。但除资料[1]之特殊方法外,单从液相生长时,由于其液-固线差别显著,难得长成均匀的单晶。晶体内不可避免地多少存在一些三元的组分。由资料[2]提出,以后由     

光学浸没HgCdTe光电导探测器

探测器与高折射率透镜的光学浸没是在许多应用中,用于减小探测器尺寸的常用技术。PbS、PbSe 和热敏电阻测辐射热器的浸没已是习以为常了。一般地说:只要探测器未达到背景限制的性能,浸没的结果就会大大改善探测器的灵敏度。锗(折射率≈4)半球透镜使探测器面积减小16倍,而用超半球透镜还能进一步的减小。     

HgCdTe探测器Pt电阻测温分析

研究了PV型HgCdTe探测器在1.319 μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。     

HgCdTe探测器的低噪声集成放大器

HgCdTe红外探测器的噪声很低,为了不降低探测器的性能,配用前置放大器的噪声应低于2nV/(1/Hz)~2。作者曾经详细分析了这个问题并指出:分立型低频低噪声晶体管3DX6适于大部分中、长波HgCdTe探测器的要求。随着对放大器小型化的需要,以及多元探测器对放大器的低噪声的需要增加,迫切要求有适合于HgCdTe探测器使用的集成化低噪声     

HgCdTe光导探测器的优化设计

利用牛顿迭代法,在一维理论的基础上,计算机模拟优化设计了工作在8～14μm波段HgCdTe光导探测器的各项参数。结果表明,器件厚度取6μm,长度取100～150μm,环氧树脂胶粘层<3μm,净掺杂浓度取1.4×10~(15)cm~(-3),表面复合速度取500cm/s,电场强度取10V/cm为佳。该法亦可使用于其他光导探测器的优化设计中。     

基于HgCdTe的新一代红外探测器

近十年来,基于HgCdTe的致冷型甚高性能红外探测器技术不断取得进 步,今天已达到成熟的工业水平,这使得人们能以越来越合理的成本生产出可用规格 (320×240元, 640×480元)的探测器列阵。与此同时,更为复杂的(百万元列阵、多光 谱列阵和高清晰度线阵等)传感器样品也相继出现,这说明这种高性能的探测器技术 具有巨大的潜力可挖。本文介绍法国研究的红外探测器技术,并给出已投入工业生产 的相关产品的工艺状况,然后重点介绍法国信息技术和电子技术实验室(LETI)最近 研制的先进样品(双色列阵、百万元列阵等)的性能。从这些样品上测得的性能已接近 理论所预计的极限值。     

集成式HgCdTe红外双色探测器列阵

首次报道了集成中波 1/中波 2 (MW1/MW2 )的HgCdTe红外双色探测器的材料生长、器件制备及其性能 .采用分子束外延 (MBE)技术 ,生长了p p P N型Hg1-xCdxTe多层异质结材料 .通过B+ 注入、台面腐蚀、爬坡金属化、台面侧向钝化及互连等工艺 ,得到了 80元的原理型HgCdTe红外双色探测器 .纵向上背靠背的 2个光电二极管分别有电极输出 ,确保了空间上同步和时间上同时的探测 ,并能独立地选择最佳工作偏压 .它适于常规的背照射工作方式 ,且有大的空间填充因子 .在液氮温度下 ,2个波段的光电二极管截止波长λc 分别为 3.0 4 μm和 5 .74 μm ,对应的R0 A值为 3.85× 10 5Ωcm2 和 3.0 2× 10 2 Ωcm2 .测得MW1、MW2的峰值探测率Dλp 分别为 1.5 7× 10 11cmHz1/2 /W和 5 .6 3×10 10 cmHz1/2 /W .得到 2个波段的光谱响应 ,且MW2光电二极管的光谱串音为 0 .4 6 % ,MW1光电二极管的光谱串音为 6 .34% .     

PC型HgCdTe探测器的记忆效应

通过测量ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器的动态响应，发现在工作温度（７７Ｋ）下，激光辐照后，探测器的电导率产生改变（记忆），电阻变化率提高，这种现象在工作温度下能长期保持。当升温（至室温）后，记忆功能消失。本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析。