怎样防止晶体管扩音机大功率管损坏

<正> 晶体管扩音机,在我国城乡都普遍使用。这类机器的稳压电源和功放电路,大都使用3AD30、3AD18和3DD102、3DD15等大功率晶体管。在使用过程中,大功率晶体管损坏率较高。本文从使用维护的角度出发,介绍防止大功率晶体管损坏的一些经验。 1.电源电压不应超过规定值 晶体管扩音机的交流电源电压一般为220V。而在市电电压波动频繁地区,电源电压有时低至150V,有时高达250V以上。电源电压过高,容易损坏大功率管。解决的办法是采用稳压器或调压器把市电稳定在220V左右。如果使用调压器,还应配装交流电压表,以监示电压不要超过220V。没有配装电压表的调压器不能随意使     

晶体管的截止频率

“什么是晶体管的截止频率?”这是一个经常可以听到的问题.在本文中将对常见的f_α、f_β、f_1、f_T、f_(os??)等符号简要地加以解释. f_α这是共基极接法的截止频率.低频时,电流放大系数α几乎等于1;当频率升高,α下降到相当于低频时的1/2~(1/2)倍时,这时的频率称为α截止频率即f_α,也就是半功率或3分贝频率.用于声频的晶体管,f_α一般是500千赫;用于射频的晶体管,f_α可高达300兆赫. f_β这是共发射极接法的截止频率.共发射极是     

扩镓补硼工艺的试验及应用

在低频大功率晶体管的制造中,采用的传统工艺是扩铝-硼形成基区,这种工艺较为成熟、稳定.随着对低频大功率晶体管耐压要求的提高,国外的生产经验,多采用扩镓工艺来达到高耐压的要求.我们在DD03、15晶体管的制造中,试采用扩镓工艺,基本达到了耐压较高的要求,但小电流放大系数严重减少,直接影响着用户的使用.为此,根据国外     

一种由于集电区背面接触不良引起的直流正偏二次击穿现象

本文以3DD200硅低频大功率晶体管为例,对由于芯片背面接触不良而引起直流正偏二次击穿的物理过程进行了分析.提出了在生产中用测量晶体管△V_(EB)对收集区背面进行监控的方法,并把所得结果与QD-2晶体管直流正偏二次击穿测试仪所测的结果进行了比较.结果证明:只要测试条件选择适当,二者有很好的对应关系,并提供了改善收集区背面接触的实验结果.     

通信用晶体管接收机的設計(二)

4.低频放大级的设计 i 工作点的稳定这里所谈的工作点稳定法,不仅适用于低频放大器,对其他各级也同样适用。大家知道,晶体管线路没有电子管线路稳定,因为温度和电源等的变化,都影响集电极反向电流I_(co)发     

恩智浦推出业界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封装的双极性晶体管

正恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。     

液态源PECVD淀积SiO_2和PSG膜用于硅大功率晶体管台面钝化的探索

本工作首次采用液态源在200℃低温下PECVD淀积SiO_2和PSG膜,用于3DD系列功率晶体管的台面钝化.通过台面钝化和表面局部剥离钝化膜的工艺,晶体管的电学特性明显地变好,较大幅度地提高了烧结工艺的成品率,并对钝化过程中出现的问题进行了理论分析.钝化膜具有较好地抗Na~+、Cu~(++)离子沾污的能力,全面地通过了例行实验的考核,这种新工艺必将对晶体管生产效率和稳定性产生可观的影响.     

解决早期国产晶体管扩音机末级功放管易烧的一种方法

早期国产25 W以上扩音机的末级一般均用低频大功率锗管,如3AD30C和3AD18等。这些管子的击穿电压BU(ceo)低,一般只有几十伏,而扩音机末级一般使用20～24 V电源,晶体管工作时实际承受的反峰电压值已接近击     

新型漂洗发射极晶体管——低频低噪声器件

本文论述了进一步降低晶体管低频噪声的限制,利用磷通过热生长薄氧化层扩散制成新型漂洗发射极晶体管,讨论了器件在降低进入晶体的过量磷原子、控制诱生缺陷和发射区边缘缺陷的作用。实验结果表明,漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好,具有良好的低频噪声特性,是一种工艺比较简化,性能较好的低频低噪声器件。     

用于低频低噪声IC─CAD的双极晶体管噪声模型研制成功

用于低频低噪声ＩＣ─ＣＡＤ的双极晶体管噪声模型研制成功我校庄奕琪、赵策洲、孙青等研制的“用于低频低噪声ＩＣ－ＣＡＤ的双极晶体管噪声模型”通过了国防科工委预研基金办组织的技术鉴定．低频低噪声半导体器件是微弱信号检测、军事通信、精密仪器、高保真等高新技术...     

CASIO CT—640型电子琴电源电路原理与检修

一、电路原理结合实物测绘的电源电路如附图所示(图中元件标号为笔者自定)。集成块IC(CA6722)是该电源电路的核心元件。它能输出精确而稳定的 5V直流电压。从IC第①脚输入 9V直流电压,经IC内电路稳压后,由第⑥和第⑧脚输出 5V电压。电压V_(DD)为ROM、RAM以及CPU中的部分电路供电(CPU中其它电路的工作电压由DV_(DD)供给)。电压AV_(DD)用于电子琴中模拟电路的小信号部分。电压DV_(DD)供电子琴中其它数字电路     

电源用元器件技术动向

伴随着开关电源及DC-DC 变换器的普及,电路技术亦在发展,从而它们使用的半导体器件、变压器/扼流圈、电容器、降低噪音组件等电源用器件及电路的开发也蓬勃开展。尤其是有关小型及薄型化所要求的小型DC-DC变换器及液晶背光电源等板上电源组件,大多采用了表面贴装器件(SMD)。本文将介绍电源用半导体器件、变压器/扼流圈、电容器等的动向。电源用半导体器件用于开关电源的半导体器件（功率器件)有晶体管、MOSFET、整流二极管、控制器IC、调节器IC等。电源用晶体管过去大多使用双极晶体管,但近年来却使用了MOSFET,这时因为其频…     

1kHz下,N_F<2dB的硅平面NPN型低频低噪声晶体管设计及制造工艺

本文介绍国产硅NPN平面外延小功率低频低噪声晶体管.从电气特性来看,它具有低频下噪声系数小(f=1kHz下,N_F<2dB),小电流放大倍数大,输出特性线性度好及可靠性、稳定性高等优点.可以应用在微弱信号检测系统、载波电话系统、卫星通讯系统、导弹控制系统、高传真音响系统等方面.文章在分析晶体管低频噪声的基础上,着重介绍它的设计和适合大量生产的制造工艺.     

300瓦功率晶体管挂铅锡工艺

3DD300大功率晶体管是工作在大电流容量下的,因此要求电极和内引线能够承受足够大的电流,否则可靠性、抗烧毁性将成为问题,从而不能输出其最大功率。我们开始是采用蒸铝,硅铝丝(ψ120微米)超声键合工艺,用户反应有烧毁、断线等现象,使用起来很不可靠。为适应用户的要求以及为制造功率更大的晶体管打下基础,我们将蒸铝、键合硅铝丝工艺改为镀镍挂锡引线焊接工艺。实践证明:在改革后,不但抗烧毁能力和一次击穿耐量有了很大改善,而且成品率也大有提高。     

硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析

一、概述我们采用电分析和显微分析相结合的方法,在大量解剖分析失效的硅平面大功率晶体管D402、D10管芯的基础上,对表面引起失效及体内引起失效的机理进行了较为详细的分析和讨论.D402和D10晶体管是npn型硅平面低频大功率管,其主要技术性能:P_(CM)为2～5W;I_(CM)为1A;BV_(ceo)≥100V(I_C=0.5mA):I_(ceo)≤0.1mA(V_(ce)=20V);V_(ces)≤0.6V(I_c=0.5mA,I_b=0.05mA).其主要用途是作十二英寸、十四英寸黑白电视机伴音功放,以及部分电源推动和激励,其外壳采用D-1C管座封装,     

SiGe异质洁双极晶体管促进测量仪器的发展

晶体管自1949年发明后,主要材料用锗(Ge),Ge材料的温度性能不够好,击穿电压较低,于是转向使用硅(Si)材料,Si晶体管和Si集成电路发展顺利,目前仍然是最重要的材料。Si非常适于数字集成电路和低频高压晶体管,可惜很难达到1GHz以上的频率,这时砷化镓(GaAs)材料开发成功,出现集成数字电路用Si,模拟高频器件用GaAs的局面,Si和GaAs都突破1GHz的限制,数字集成电路的时钟频率向     

实用电路

这个简单的稳压电源,可以用于晶体管收发信机的供电.其输出为12V,1A,具有良好的稳压和滤波性能.调整管2N376A须装在大的散热片上.用两只晶体管并联,可以获得更大的输出电源.     

EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT

宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC)是氮化镓(GaN)功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。     

电源技术讲座 第一讲 交直流稳压电源的发展概况

直流稳压电源及交流稳定电源是各种电子设备能源的供给者,其重要性是众所周知的。本讲座的主要内容有集成稳压器,晶体管开关稳压电源,交流稳定电源和不停电供电电源(Uninterrupted power supplysystem 简称 U.P.S)。一、电源技术指标对电源产品,我们常常从电气性能、物理性能、可靠性、环境适应性等方面来进行测试和评估。国际电工委员会及国内有关部门对电源技术指标及测量方法都作出了明确的规定。本节简要介绍电源技术指标如下。(一)直流稳压电源的主要技术指标1.电压稳定度,S_U=|△U_0/U_0|:它是指在所有其     

硅低频大功率管制造中出现EB结软击穿问题的讨论

在3DD15、D7312、DD03等一类硅低频大功率管技术参数中,有一项重要的直流参数,即发射结反向击穿电压BV_(EBO)。EB结反向特性的硬、软和高低,直接影响交、直流讯号的正常放大,按技术指标的规定,一般均要求BV_(EBO)≥5V(测试条件I_B=1mA)且呈硬击穿。根据3DD15、DD03、D7312等一类低频大功率管的工艺结构设计,为了保证器件在大电流工作时也有同样足够的电流放大系数以及有较高的BV_(EBO)、BV_(CEO),我们选取基区浓度N_D=(1～5)×10~(18)cm~(-3),N_(e)=1×10~(21)cm(-3),X_(ic)≈30μm,X_(ie)=15～20μm,实际制得的管子EB反向击穿电压BV(EBO)均能达到12V以上,且