超大规模集成电路配套材料专项课题申请指南

前言 国内微电子市场的持续增长,以及中国加入WTO,吸引了世界半导体产业界和投资者的关注,“十五”期间我国集成电路及半导体产业将有更大的发展,这些都为我国微电子配套材料的发展提供了难得的机遇。为改变我国集成电路产业用关键基础材料技术水平低、品种不配套、产业化规模小、关键基础材料依赖进口的局面,科技部在“十五”国家863计划中,特别设立微电子配套材料重大专项,选择重点,坚持有所为,有所不为,以自主开发、突破关键技术和加强成果的产业化为目标,在     

超大规模集成电路测试技术

随着系统集成度与加工技术的飞速发展，超大规模集成电路测试已经成为一个越来越困难的问题。测试的理论与技术已经成为VLSI领域中的一个重要研究方向。本文较全面的介绍了各种VLSI测试方法，并分析了各自的特点。最后预计了VLSI测试技术的发展趋势。     

超大规模集成电路硅片的内吸杂

介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺，并综述了金属在硅中的性质，主要阐明了乳在内吸杂中的作用，简述了氮对吸杂的影响，并讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。     

VLSI超大规模集成电路测试和验证的发展趋势

随着深亚微米级材料的应用，VLSI器件进一步推动了半导体技术领域的发展，传统的测试和验证方法已不能满足需要且成本较高，基于Core的系统级芯片要求芯片设计者必须改变以往的开发方式，以便缩短上市时间，扩大销售额。一种嵌入式的测试方法应运而生，它能使芯片设计者在较短的时间内生产出高质量的产品，提高利润、增加市场知名度，且大大减少了系统验证、检测和调试的时间。本文着重讨论嵌入测试技术，分析该技术对产品的上市时间、产品质量以及生产成本所带来的影响。     

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。最后对高密度等离子体工艺加工中的等离子体约束以及器件损伤问题的最新研究进展进行了介绍     

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

本简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体（ECR），感应耦合等离子体（ICP），螺旋波等离子体（HWP）等几种新型的高密度等离子体源^[1]的工作原理及结构重点作了分析讨论，并从运行参数上对其进行了比较。最后对高密度等离子体工艺加工中的等离子体约束以及器件损伤问题的最新研究进展进行了介绍。     

ITS9000系列超大规模集成电路测试系统检定方法

以ITS9000MX超大规模集成电路测试系统为背景，系统地研究了ITS9000系列测试系统的检定方法，重点描述了它的基本思想，原理和关键技术。     

化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展

随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状.     

用于集成电路等平面多层布线的聚酰亚胺介质材料

聚酰亚胺是一类耐高温(400℃)、耐低温(-200℃)、电绝缘性能优良的新型聚合物。在宇航、原子能、电器、电子等工业部门均得到广泛应用。近年来国外在大规模集成电路中采用聚酰亚胺作等平面多层布线的层间绝缘介质,取得了良好的效果。聚酰亚胺绝缘层是将聚酰胺酸树脂溶液涂复于集成电路硅片上在高温下脱水成环进一步酰亚胺化而成。由于聚酰胺酸在常温下易自然降解,保存期极短,因而限制了它在电子工业中的应用。本研究采用沉淀法将聚酰胺酸树脂作成粉末,在使用时只须加溶剂溶解,配制成一定浓度的溶液即可。对聚酰胺酸树脂溶液和聚酰胺酸粉末放置前后的分子量,热性能作了一定的研究。结果表明,聚酰胺酸粉末降解趋势比树脂溶液小,热性能也变化不大,证明这一措施是可行的。本文还研究和确定了聚酰胺酸的酰亚胺化条件。     

超大规模集成电路铜布线扩散阻挡层TaN薄膜的制备研究

利用高真空磁控溅射镀膜的方法制备了超大规模集成电路铜布线的扩散阻挡层TaN薄膜,讨论了实验条件温度、功率和氩气与氮气气流量比对TaN薄膜的生长动力学和表面形貌结构的影响,得到较好的制备TaN薄膜的实验参数.     

日本东洋曹达公司研制出超大规模集成电路用的负型光刻胶

东洋曹达工业公司研制成功了具有高感光度、高解像力、耐干腐性的,供超大规模集成电路用的负型光致抗蚀剂,从81年3月份起以(?)的商品牌号销售。该抗蚀剂是以聚苯乙烯为主要成份合成的,化学名为聚氯甲基苯乙烯。为了获得高解像力,光致抗蚀剂的原材料必需使用分子量分布极窄的聚合物。另     

用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料

金属-氧化物-半导体结构(MOS)是目前电子器件中最重要的器件之一,现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展,MOS技术到达了一个关键的转折点. 由于器件尺寸不断缩小, 导致MOS中氧化层厚度相应减小, 电子的隧道穿透效应逐渐显现出来, 引起的棚极-沟道漏电流急剧增大,导致器件发热量增加、性能下降甚至失效,因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小. 当MOS进入65nm工艺时,二氧化硅的厚度已经降至1.2nm(大约相当于5个原子层的厚度),这样的厚度几乎已经达到了二氧化硅介质层物理极限. 因此,45nm技术及以下工艺不能继续沿用原有的MOS结构与制备技术,必须采用新的结构、新的材料、新的工艺以便进一步缩小MOS器件的尺寸,提高器件的工作速度,降低器件的能耗. 高电介质常数介质膜被业界认为是开发45nm以下硅集成电路芯片技术的关键. 业界普遍认为利用high K绝缘层技术的MOS器件是20世纪60年代MOS晶体管出现以来,晶体管技术发生的最大变化. 2005年以及以后的International technology roadmap for Semiconductors 均把high K技术作为标志性内容之一. 目前国际上有关high K材料与器件的研究比较多,Intel、IBM等已经实现研究成果向生产技术的转移,其中Intel公司在45nm微处理器技术中利用high K绝缘栅技术已经取得突破性进展,并于2007年11月16日发布了一系列利用high K技术的45nm处理器,IBM公司也已经在MOS工艺中实现high K绝缘栅技术. 较以前的MOS工艺,基于high K技术的芯片中晶体管数量成倍增加,栅极漏电流减小了数倍,功耗大幅减小. 根据目前透露的资料,high K绝缘层为Hf基氧化物,但是介质膜的具体成分、结构、制备工艺流程以及与Hf基氧化物配合的金属栅极材料等技术内容目前均属于保密资料. 从国内同行的研究看,目前发表的相关研究文章主要集中在对high K绝缘栅的介绍或综述性评论,实际开展的研究工作很有限. 因此,及时开展对high K绝缘层成分与制备工艺方面的研究,对于我国集成电路制造业跟上国际集成电路技术的发展方向和先进水平、打破国外的技术垄断是非常必要的.     

用于集成电路组装的各向异性导电膜

用于集成电路组装的各向异性导电膜１．前言集成电路组装通常采用的方法有锡焊、引线连接、带式自动焊接（ＴＡＢ）、倒装式连接等。其中，ＴＡＢ作为一种高密度组装手段，已被用于彩色液晶显示器和办公自动化机械等方面，并起到了重要的作用。ＴＡＢ是一种在蚀刻工艺中通...     

深亚微米集成电路用硅单晶材料

由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无（少）缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度。最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势。     

镁质化工材料的研究进展

从镁质化工材料的开发和实际应用的角度出发,介绍了氢氧化镁、碱式硫酸镁、氧化镁、碱式碳酸镁等镁盐的制备技术进展.同时,利用结晶化学键合理论对多种镁盐生长形貌进行了模拟,探讨类镁质化工材料制备的微观结构机理.     

新型化工材料大有可为

我国新型化工材料的科研、生产已具有一定技术水平,但产品的品种和数量与发达国家相比尚有很大差距,价格也比较贵。为了充分发挥已有材料的作用和更好地促进材料的发展,应用研究、加工技术研究、技术服务等工作必须加强。新型化工材料怎样更广泛、更多、更有效地用于农业、轻纺工业、电子电气、石油化工、机械工业、医药卫生、建筑材料工业和交通运输等方面,使之在四化建设中发挥更大的作用,是我们面临的重要课题。     

冰箱用化工材料

冰箱由绝热的箱体和制冷循环系统构成。过去一直采用的发泡剂CFC-11（CCl3F）和致冷剂CFC－12（CCl2F2），由于会破坏臭氧层和地球环境，已于1995年底全面禁用，并转向使用替代物HCFC或HFC，并力图部分使用纯天然的HC。由于需全面更换这些物质，迫切需要重新研讨替代物与周围材料的适应性，最终建立起能满足产品要求性能的“地球可接受的新材料体系”，并实现实用化。同时还应从回收技术。节能技术、废物处理技术等方面考虑，以全新的设计思想指导结构材料的设计。以下介绍制造冰箱体和制冷循环系统的最新材料体系及适用实例，并分…     

集成电路封装技术与高分子材料

电子封装可以定义为:将半导体芯片结合在一起形成一个以半导体为基础的电子功能块器件。我们可以在三个层次上来讨论电子封装,即芯片封装、电路板封装与组件封装。芯片封装是把芯片安装在一个载体上,也可以安装在电路板或组件上。这类载体可以有多种形式,包括传统的注射模塑金属框架载体,称作双列直插封装(DIP)、陶瓷载体以及最近的高分子薄膜载体(TAB)。电路板封装通常是在环氧树脂为基板的印制     

材料基因组技术在集成电路材料研究中的应用进展

传统材料科学的“试错式”研究方法日益成为限制现代材料工业发展与突破的瓶颈,而材料基因组技术作为材料科学研究的革新技术,可以加速新材料的研发和应用,缩减研究成本和周期,成为当下研究的热点。本文围绕材料基因组技术,介绍了高通量实验、高通量计算与材料数据库三大要素的主要内容和典型研究范例。重点梳理了材料基因组技术在集成电路领域的研究进展,指出了集成电路材料研发的复杂性和广阔的可优化空间,提出了要结合材料基因组技术加速集成电路材料的创新,促进未来集成电路材料领域的发展。     

铜基集成电路引线框架材料的发展概况

阐述了集成电路的发展及其对引线框架材料的要求。综述了国内外目前使用铜基集成电路引线框架材料的现状及所开发的高强度高导电铜基引线框架材料的特性，并指出了今后的发展方向。