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MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs 总被引:1,自引:1,他引:0
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。 相似文献
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为了对980 nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Alo.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs QW的最佳长温度为575℃.为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAsQW附近引入Alo.1Gao.9As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23 meV.基于优化的外延工艺参数,进行了980 nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了腔长4 mm、条宽95 μm的脊形器件.结果显示,在没有采取任何主动散热情况下,器件在30A注入电流下仍未出现腔面灾变损伤,输出功率达到23.6W. 相似文献
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利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW.显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率.其组合件在40~60mW下,中心发射波长在977nm.满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器. 相似文献
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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30° 相似文献
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本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱AlGaAs/GaAs脊形波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能,条宽5μm器件室温阈值电流23mA,线性连续输出单模激光功率大于15mW。 相似文献
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设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性. 相似文献
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利用变分方法对钛扩散c切Nd:LiNbO3波导激光器的1085和815nmTM导模和有效折射率进行了分析,计算机几个低阶TM模式的模场尺寸和相应的有效折5射率随波导制备参数(初始钛条宽度W,扩散温度T和初始钛条厚度H)的变化关系,讨论了波导的单模条件和截止条件,所得理论结果与以前所报导的实验数据进行了比较。 相似文献
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用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。 相似文献
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D. A. Vinokurov D. N. Nikolaev N. A. Pikhtin A. L. Stankevich V. V. Shamakhov M. G. Rastegaeva A. V. Rozhkov I. S. Tarasov 《Semiconductors》2010,44(12):1592-1596
InGaAs/GaAs/AlGaAs laser heterostructures are grown by MOCVD epitaxy on GaAs substrates. Mesastripe laser diodes with an aperture of 100 μm emitting at a wavelength of 1190 nm are fabricated. It is shown that, in these lasers, the active region is relaxed, which manifests itself in the spread of attainable maximal power for various lasers obtained from the same heterostructure. The maximal emission power in a CW mode of lasing for such lasers was 5.5 W per mirror. 相似文献
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D. A. Vinokurov A. L. Stankevich V. V. Shamakhov V. A. Kapitonov A. Yu. Leshko A. V. Lyutetskiĭ D. N. Nikolaev N. A. Pikhtin N. A. Rudova Z. N. Sokolova S. O. Slipchenko M. A. Khomylev I. S. Tarasov 《Semiconductors》2006,40(6):745-748
Asymmetric GaInAs/GaInAsP/AlGaAs heterostructures with the emission wavelength of 940 and 980 nm were grown by MOCVD. The composition of solid solution in the waveguide layer, Ga0.74In0.26As0.47P0.53, was chosen based on the calculations of the escape energy of electrons from the quantum well of the active region into the waveguide. Semiconductor lasers with the emission aperture of 100 μm were fabricated from these heterostructures. The CW output optical power of 12 W was achieved at room temperature. The internal optical loss was 0.6 and 0.3 cm?1 for 940 and 980 nm wavelengths, respectively. 相似文献