工艺参数对磨削硅晶圆亚表面损伤裂纹的影响

为研究粗磨硅晶圆亚表面微裂纹,采用截面显微观测法,实验研究了粗磨工艺下砂轮进给速率、砂轮转速和硅晶圆转速对晶圆亚表面裂纹的影响.结果表明:磨削后晶圆亚表面斜线裂纹和折线裂纹占70%,中位裂纹、分叉裂纹和横向裂纹占30%,裂纹形状与工艺参数的关系不大.裂纹深度从晶圆圆心向外逐渐增大,〈110〉晶向裂纹深度稍大于〈100〉晶向.裂纹深度随砂轮进给速率增大单调增加,随砂轮转速增大单调减小.裂纹深度与晶圆转速之间的关系复杂,晶圆转速增大时,裂纹深度先是减小,然后增大.提出了磨削工艺参数的优化措施.     

绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析

为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高．应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同晶向的机械致绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力情况进行了模拟计算．模拟结果表明,应力随弯曲半径的减小而显著增加,且沿弯曲方向的应力最大,适于作为应变互补金属氧化半导体器件的沟道方向,但应力分布的均匀性会随弯曲半径的减小而略有下降．最后利用光纤光栅法对制备的绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力分布进行了测量,其结果与ANSYS模拟结果吻合,证明了ANSYS模拟分析的准确性．     

基于晶圆优先级的连续型Interbay搬运系统性能分析

为了快速、有效地评价基于晶圆优先级的连续型Interbay自动物料搬运系统的性能,采用基于排队论的方法构建了性能分析模型.在建模过程中,为了使搬运路径多样化,引入了带外环和捷径的脊背式搬运系统.通过控制晶圆进入外环与捷径的优先级,实现了较高优先级的晶圆能快到达目的地.考虑服务时间变动性,引用相关满足系统排队实际的排队模型,构建系统期望在制品的数学表达.在相同的实验条件下,通过分析性能分析模型与Arena仿真模型得到的系统在制品量,验证本文提出的性能分析模型的准确性.实验结果表明,任何情形下的绝对误差都控制在5%以下,性能分析模型完全能满足系统性能评价的要求.     

低温退火温度对硅晶圆内V-O2对介观演变影响的仿真

为了揭示低温退火温度对硅晶圆内V-O2对介观演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对2个不同温度下退火的硅晶圆中V-O2对演变过程进行了仿真.结果表明:当低温退火温度降低时,V-O2对变化速率减慢、数量减少,这与相应的空位相对浓度演变及其均匀化过程有关.     

晶圆清洗机无刷电机齿槽转矩的仿真分析

齿槽转矩对无刷电机低速性能产生重要影响．采用计算机仿真方法研究晶圆清洗机无刷电机的齿槽转矩问题,包括极槽配合、磁极以及定子斜槽／转子斜极对无刷电机齿槽转矩的影响,在此基础上提出晶圆清洗机无刷电机的优化设计方案。     

晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析

在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术。随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现"过磨(over-grinding)"现象,降低了平坦度和晶圆利用率。在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边缘处的抛光垫压平到一致高度,克服晶圆边缘的"过磨"现象。由此说明,保持环上施加的压力起着至关重要的作用。在实际中,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP加工后晶圆边缘效应的规律不可行,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,需要借助其它方法预测该压力。文中采用有限元模拟的方法分析保持环压力,得出了保持环压力与晶圆压力比值的最优值,并且研究了晶圆与保持环的间隙对最优压力的影响规律。针对不同CMP工艺,保持环压力能够迅速确定,从而提高晶圆抛光质量及利用率,降低晶圆制造成本。     

基于Flexsim的配送中心拣选策略比较与仿真

订单拣选是影响物流中心运作效率的核心环节,本文以现有典型订单拣选策略为研究对象,通过采集国内某配送中心运营数据,在Flexsim仿真软件中对不同拣选策略进行仿真与比较研究.根据数据实验结果,明确了各种拣选策略的性能特性及适用范围,为实际订单处理业务提供了有益的决策支持.     

基于EM-Plant的家具自动化生产线的仿真研究

在激烈的市场竞争环境下,林业家具企业需要不断加强生产能力以保持企业生产的高效性,提高竞争力.本文将林业家具企业自动化生产线作为研究对象,针对家具生产管理绩效中的机台作业时间和投料速度管理问题,利用EM-Plant仿真软件作为开发平台,使用统一建模语言作为系统仿真的辅助工具.通过对仿真结果的分析发现,在相同的仿真周期内,改变机台工作时间和投料速率能够提高整条生产线的生产效率、产成品量以及在制品数量,为林业企业加强制造管理能力的提供决策支持。     

基于方差分析的2450MHz微波消融温度场仿真模型参数研究

为了提供2 450 MHz微波消融温度场模型在不同时间和不同位置的显著性影响因素,基于电磁方程和生物传热方程建立微波有限元模型,利用方差分析技术获得密度(ρ)、比热容(c)、对流交换系数(h)、电导率(σ)、导热率(K)和相对介电常数(ε)等模型参数对于温度变化的方差贡献率(SS)和主效应.研究表明,微波天线冷却水对于中心点温度具有一定影响,方差贡献率约为0.09,但对于近场点和远场点温度的影响几乎为零.在水冷侧近场区域中,消融前期c和σ对温度场的影响显著,K几乎无影响,消融后期K和σ的影响越来越高;在无水冷侧近场区域中,电特性参数对温度的影响随时间而增加,而c的影响逐步降低,K的影响一直较小;在远场区域中,消融区温度为各模型参数共同作用的结果,各参数敏感性差异不大;根据主效应分析,仿真温度与参数σ成正相关,与c、ρ、h呈负相关,而仿真温度与k和ε的相关性随时间和位置而有所不同.因此,基于方差分析的参数研究可为仿真模型的特异性分析提供科学可靠的参考依据,尤其是在近场区域,模型参数对于不同时间的仿真温度具有特异性影响.根据水冷侧近场区域中的分析结果对参数进行反馈调节,可获得与实测数据具有良好一致性的温度场仿真结果.     

掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布

为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=0,0,60 μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG／lP=0.5,0.0,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响．结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高;在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化．这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性．