0402尺寸齐纳二极管

罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

安森美推出微型封装ESD保护二极管和肖特基二极管

安森美半导体（0NSemiconductor）推出三款新型超小SOD-923封装的ESD二极管和三款肖特基二极管。封装的尺寸仅为1．0mm&;#215;0．6mm，高度为0．4mm，性能令人印象深刻。这些二极管是要求高电源能效的便携式、消费电子和无线产品的理想之选．而且是占据板空间最小的业内最佳的ESD保护。     

1SS361LP3：超微型二极管

Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6．0V基纳二极管及开关二极管以0．6mm×0．3mm×0．3mm的规格供应。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0．4mm×0．2mm×D（根据用户要求加工）超小型双硅片无引脚（Dual Silicon No—Lead,DSN-2）封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,     

分立器件

0402尺寸二极管:齐纳二极管罗姆推出齐纳二极管0402尺寸(0.4mm×0.2mm),这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比,成功地将尺寸减少了55%。     

VBUS05A1-SDO：二极管

Vishay推出用于便携式电了产品的采用超小尺寸CLP0603封装的新款双向对称（BiSy）单线ESD保护二极管VBUS05A1-SD0。     

高性能薄型MOSFET

编号为FDME和FDFME的MicroFET MOSFET产品采用超紧凑、薄型（1．6mm×1．6mm×0．55mm）封装,可满足便携产品设计人员对效率更高、外形更小更薄器件的需求。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择,包括单P沟道和肖特基二极管组合,     

单向Transil瞬变电压抑制二极管

SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管的电涌防护能力达到400W10／1000μs，封装尺寸紧凑，占板面积仅为3．8mm×1．9mm。SMM4F系列的低功耗性能杰出，泄漏电流仅为0．2μA，是电池供电设备或其他低耗电量应用的理想选择。SMM4F系列产品共有14款，关断电压在5～33V之间。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

安森美半导体ESD保护技术——应用于便携电子产品的业界最小封装

安森美半导体（ON Semiconductor）推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚（Dual Silicon No-Lead．DSN-2）封装的静电放电（ESD）保护器件。这DSN型封装尺寸仅为06mm×0．3mm×0．3mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能／电路板面积比优势。     

爱特梅尔推出全球最小的快闪微控制器封装产品

爱特梅尔公司（Atmel）宣布．全球最小的快闪AVR微控制器封装产品开始投入生产。爱特梅尔的ATtiny4、ATtiny5、ATtiny9和ATtiny10AVFI微控制器（MCU）采用超小型8一padUDFN封装．大小仅为2mm×2mm×0．6mm．重量不到8mg．其尺寸只有目前市面上最小封装的55％。     

PICOLED-eco：超小型LED

ROHM开发出PICOLED—eco（SML-P11系列）超小型LED以满足高亮度低功耗需求。该产品采用已申请的专利技术,电流1mA时所产生的亮度是普通产品的两倍,封装尺寸为1．0mm×0．6mm,t=0．2mm。亮度相同时PICOLED-eco的能耗降低50％,可靠性高的四元素结构（AIGalnP）可防止长期持续使用后发生亮度降低的现象。     

光纤耦合二极管

Laserline股份公司研制的材料加工处理用的大功率激光二极管能通过直径１mm的光纤把高达２０００W的光功率，或者通过直径１．５mm的光纤将高达４０００W的光功率传送给工功率传送给工件。利用较细的光纤传送较高的光能，在增大激光二极管的工作距离时，激光输出呈现缩小尺寸的光斑。在高功率下可进行栓孔焊接、材料切割和钎焊接等加工处理。（No．４５）光纤耦合二极管@小平     

SiB800EDK：n通道功率MOSFET／肖特基二极管

Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK,该器件采用1．6mm×1．6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出,意味着Vishoy将其在100mA时具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1．5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。     

PIN光敏二极管和NPN平面光敏三极管

Vishay Intertechnology,Inc．推出通过AEC—Q101认证的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二极管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三极管,扩充其光电子产品组合。器件采用1．8mm的鸥翼式和倒鸥翼式表面贴装封装,光探测器可检测到可见光和近红外辐射,采用2．3mm×2．3mm×2．8mm的紧凑占位。所发布的器件针对仪表、汽车和打印机应用中的光幕、微型开关、编码器和光遮挡器进行了优化,探测器可在接近探测应用中探测可见光和红外发射源。     

钟神JA-99D标准版

技术参数： ·输出功率：250W×2（甲乙类．8Ω．每声道）·谐波失真：≤0．02％（1kHz,1W）·信噪比：≥95dB（A计权）·频率响应：20Hz-20kHz（±0．2dB）·输入阻抗：100kΩ·输出阻抗：4-8Ω·尺寸：400mm×525mm×270mm·重量：35kg     

元器件与组件

0402尺寸齐纳二极管罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管(0.4mm×0.2mm),这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比,成功地将尺寸减少了55%。     

TSBA8F40等：肖特基势垒二极管

天水天光半导体推出小尺寸的超小型双硅片无引脚封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管，产品采用了标准的01005芯片级封装技术，并推出系列产品：TSB02F30（0201）型、TSB05F20（0402）型、TSB10F40（0502）型、TSB20F40（0603）型DSN-2封装肖特基势垒二极管。     

SMT模板制造工艺与设计

例如：一个两排引脚的连接器,其引脚中心距2．5mm（984mil）,插件孔直径11mm（433mil）,元件引脚直径0．9mm（354mil）．PCB厚度12mm（472mil）,3．8mm以内无其它元件,能满足焊锡量的普通模板开口尺寸设计为：宽22mm×长51mm,模板厚度为0．15mm（591mil）.