场致发射显示屏及其产品设计的相关技术

本文全面介绍发场致发射显示屏的研制历史和最新进展；系统地讨论了场致发射显示屏产品设计中的相关技术问题。     

场致发射阵列真空荧光平板显示屏的研究

本文简叙了场致发射阵列真空荧光平板显示屏的发展概况,分析了这种显示器件的工作原理和驱动方式,并就这种器件的结构和工艺进行了讨论。最后,针对场致发射阵列真空荧光平板显示屏存在的问题,提出了今后改进的措施。     

场致发射显示技术研究进展

首先回顾了Spindt型微场发射技术，介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理，讨论了目前这项技术所面临的问题，着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展，包括纳米碳管和复合材料在FED中应用前景。     

场致发射显示技术分析

本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点,分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式,结构及其制作工艺,并讨论了影响显示屏性能的主要因素。     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

场致发射与真空微电子

简要介绍场致发射与真空微电子的一般情况,尔后着重介绍应用真空微电子原理制作的场发射平板显示器(FED)。     

残气对活性Mo场致发射阴极阵列发射特性的影响

1引言场致发射阴极阵列对发射体尖端受污染是非常敏感的，这些污染来自真空封装内的各种残余气体。这些气体除了会改变尖端表面的性能，还会被场致发射的电子电离。这些能量高的离子撞击尖端引起尖端表面结构的变化，从而使发射电流不稳定，甚至使器件失效。因此，必须基本了解各种残气对场致发射阵列灵敏度的影响，以保证器件的发射电流具有长期的稳定性及可靠性。目前对场致发射真空微电子器件人们感兴趣的是将它用作矩阵寻址电子束激发源的平板场发射显示器（FED）。场致发射显示器与阳极射线管相类似，只是它采用薄型平板封装。FED工…     

场热电子发射与场热电子显示屏FTD

由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阳极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。     

金属／绝缘体的场致发射

本文推导了金属／绝缘体场致发射电流密度公式,并应用于金刚石／碳薄膜场致发射,对其现象获得较好的解释,同时指出了提高发射电流密度的因素和相应方法。     

四针状纳米ZnO在场致发射显示器的应用研究

以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板.将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示.该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11 μA/cm2.通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能.实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料.     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED)。此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信息。     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED).此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节.本文将评述FED的某些技术信息.     

薄膜场致发射冷阴极

带有Mo尖锥的薄膜场致发射冷阴极,是基于场致发射理论,在高纯Si衬底上采用半导体微细加工技术制作而成的.本文简述该阴极的工作原理、制作工艺、目前的研究动态和应用前景.     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能（Canon）和东芝（Toshiba）的合资公司-SED公司宣布，将于2006年生产55英寸场致发射显示器（FED）。此外，SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信．     

场致发射负离子的检验

自１９９１年起，我们利用场致发射显微分析综合系统￣［１］，开始了场致负离子发射方面的研究，一些初步的结果￣［２］［３］宣布之后，引起了同行的重视和争论，为进一步证实所获得的离子为负离子，我们采用在探测器前端加偏压的方法，对所获取的离子的正负性进行了检测。实验结果与理论估算相符合，证实采用在样品上加负脉冲、正偏条件下所获得的离子不是正离子。     

场致发射与真空微电子学

本文系统地分析了场致发射的基本理论及其修正,介绍了罗恩泽教授提出的恩泽公式同时,概述了微型真空管的结构、工艺和我们近期的工作.     

场致电子发射技术分析

本文介绍了发射的机理致发射的几种不同类型的阴极,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点,最后对场致发射的应用进行了分析。     

一种新型显示器：分层优化薄膜场致发光显示屏

一、什么是场致发光显示屏？场致发光是在电场的作用下，直接将电能转换为光能的发光现象。实现这种发光的材料很多。利用这种材料制成的场致显示屏，将不需要真空，成为全固体化的发光器件，而且是平板显示器件。这种平板场致发光显示屏，按激发电源不同，有交流和直流两种。场致发光器是本世纪３０年代发明的。到目前为止，已经发展了三代。第一代是粉末场致发光器；第二代是夹层结构单色场致发光器，其发明人是日本的猪口敏夫；第三代是分层优化彩色薄膜场致发光器，其发明人是徐叙容教授。因为它是显示器中主动发光的后起之秀，目前世界…     

场致发射显示器

介绍了场致发射显示器的基本工作原理及性能优势，展望了它的应用前景。对目前的发展状况及生产中的主要关键技术进行了分析。