采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器

提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性.     

一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器

提出一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景.该结构采用带-带隧穿热电子注入 (BBHE)进行\"写\"编程,采用源极Fowler-Nordheim隧穿机制进行擦除.研究显示控制栅编程电压为8V,漏极漏电流只有3μA/μm左右,注入系数为4×10-4,编程速度可达16μs,0.8μm存贮管的读电流可达60μA/μm.该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点.     

一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器

提出一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器结构,在便携式低功耗的code闪存中有着广泛的应用前景.该结构采用带-带隧穿热电子注入 (BBHE)进行\"写\"编程,采用源极Fowler-Nordheim隧穿机制进行擦除.研究显示控制栅编程电压为8V,漏极漏电流只有3μA/μm左右,注入系数为4×10-4,编程速度可达16μs,0.8μm存贮管的读电流可达60μA/μm.该新型结构具有高编程速度、低编程电压、低功耗、大读电流和高访问速度等优点.     

Fault Models and Test Procedures for Flash Memory Disturbances

Disturbances are special type of faults that are unique to flash memories. Causes of the disturbances are defects within the insulating layers of the memory element. These defects result in abnormal behavior of a memory cell under specific conditions. This paper describes characteristics of these defects as well as their manifestation as DC-Programming, DC-Erasure, and Drain Disturbance. We develop fault models to capture the behavior of faulty flash memories. We introduce three different fault models based on the underlying defects in a memory cell. These models are: Simple, Exclusive and General Fault model. Further, we develop test algorithms that detect disturbance faults under each of the fault models. The test algorithms reported in this paper for the simple fault model for each type of disturbance require optimal number of program, read, and flash operations; where as the algorithms for the remaining two fault models require near optimal number of these operations.     

嵌入式Linux系统下闪存设备驱动程序设计

嵌入式系统通常使用闪存作为存储设备,通过MTD技术可以方便地访问flash这样的MTD设备。本文中介绍了Linux驱动程序框架,详细分析了MTD设备驱动程序的层次结构和数据结构,以EBD9315开发板为例,系统地给出了如何针对Nor flash设计MTD驱动程序。     

用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写

提出一种通过存储器地址映射的方式实现对DSP嵌入式系统片外FLASH擦写的方法。文中介绍的程序有一定参考价值。     

大容量Flash与DSP接口技术的实现

简要介绍了ATMEL公司的32Mbit并行Flash存储器AT49BV322T的特点,以及TI公司的DSP TMS320F2407A的主要性能特点。详细介绍了AT49BV322T的几种工作模式和操作方式,存储器与DSP的硬件接口技术,实现了DSP对多片超大容量并行存储器寻址的连续性。同时介绍了DSP对存储器在线编程的软件,包括对存储器的配置、读操作、写入操作以及片擦除操作等。     

Flash存储器的冗余实现

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体非挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展现状及发展趋势进行了介绍,分析了Flash存储器的工作机理;并针对Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件,在使用中可能会有坏损单元,探讨了Flash存储器冗余技术的种类和实现方法。     

基于高密度闪速存储器的研究和应用

主要介绍闪速存储器的技术分类,以及各类技术架构的特点和功能,简要对比了目前市场上各大存储器厂商的主要产品;并结合高分辨率数码相机实例分析了NAND型闪存K9W8G08的优缺点以及解决方案.     

SM2965MCU及其在系统编程中的应用

分析了SynCMOS公司的在线可编程(ISP)微控制器SM2965的技术特点,介绍了在系统编程中应该注意的问题及解决方法.