光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

<正> 微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。     

电子束曝光技术

大规模集成电路的微细化和高集成化发展速度惊人,预计在八十年代后半期会出现最小图形尺寸为0.5μm的16M动态随机存取存储器(RAM)的样品,在九十年代初会出现最小图形尺寸为0.25μm的64M动态RAM的样品。对此,一般认为以往所用的光学步进曝光机的分辨率极限达到了亚微米的上限。     

亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法,分析了其校正机理,采用这种新方法,在可加工0.7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了0.5μm的光刻图形,取得了较好的实验结果,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。     

X射线曝光装置

光曝光技术的极限是0.5μm,人们期待着X射线曝光技术作为可以描画0.5μm以下图形的下一代技术。最近X射线曝光技术进展明显,听到有这样的看法:不一定要等待图形线宽小到0.5μm,只要进入1μm以下的亚微米时代,也就可以开始使用X射线曝光技术了。至今为止,研制和出售X射线曝光装置的厂家只有美国的Micronix公司一家。但是,以生产集成电路的厂家和制造光曝光装置的厂家为中心进行的X射线曝光机研制     

全息光刻微细图形加工技术

<正> 从曝光光源看,光刻技术分光学(UV,DeepUV)、X 射线、电子束、离子束等类别。目前,下一代亚微米领域的图形形成技术的实用化研究工作正在全面展开。当前的主流仍然是光学光刻。为使光学光刻的分辨率提高到0.8μm,有希望达到0.5μn 以下的 X 射线、电子束、离子束等光刻技术亦应在纷繁的光刻     

同步辐射软X射线曝光工艺研究

本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。     

三菱电机开发VLSI用的微细图形形成技术

三菱电机研制并发表了用0.07μm的微细聚焦离子束“FIB”能够形成0.2μm以下的亚微米图形的基础技术。 该技术是作为4M位以上的动态RAM开发用的工艺而引人注目的基本工艺,当使用这种技术时,就可不用掩膜,它一方面直接在硅片上描绘出图形,另一方面又能注入杂质,此外,还能进行光刻曝光或薄膜的直接铣等。     

九十年代的半导体设备

<正> 送走80年代,迎来90年代。从产品DRAM来看,80年代为K时代,90年代为M时代,90年代DRAM的主流产品为1M、4M、16M、64MDRAM。从芯片加工最小线宽来看,80年代为微米、亚微米时代,90年代为亚微米、半微米时代,即芯片加工最小线宽从0.8μm至0.2μm。从圆片加工尺寸来看,80年代以4、5英寸为主,90年代将以6、8英寸为主。大家都说;“一代设备、一代技术、一代产品。”那么90年代半导体设备是什么?其特点如何?我们该怎么办?     

早日推出生产型步进投影光刻机

<正> 近年的发展已证明光学曝光设备可实现O.3微米线宽的图形,制造有1亿元件集成度的64M位动态存储器。镜头数值孔径0.55,激光光源波长0.245微米。     

用于低噪声MESFET的高厚-长比的0.1微米栅制造工艺

已研究出一种采用光学光刻的新工艺来制作很厚的亚微米栅。用这种工艺已制出了厚-长比(栅厚度/栅长度)大约为19的900A长和1.7μm厚的铝栅。用这种厚-长比大的栅结构已制造出栅长短至0.1μm和栅宽达300μm的GaAsMESFET。对于半微米和1/4微米长的铝栅,已分别测得每毫米栅宽的栅电阻为17Ω和37Ω。     

欧盟圆满完成微加工计划

由欧盟BRITEEURAM计划投资的研究激光亚微米加工的三项计划已圆满结束。借助激光亚微米加工的高精度微型零件和光学模具结构系列以及大批量生产计划(COMPALA计划)在具有一系列令人难忘的革新下已于1999年初完成,其中包括用激光切割0.2mm厚、10μm宽的金属片,用激光在1mm厚...     

利用共焦显微技术测试亚微米尺寸

当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时，精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽／间距尺寸，将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术，以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能，测试0．5μm，0．3μm的黑／白条宽，及其仪器测试性能分析。     

微米-亚微米级扫描电镜图像放大倍率校准标样的研制报告

周期性线距结构或光栅是对如光学显微镜、电子显微镜或扫描探针显微镜等图像系统进行放大倍率校准和空间变形评定的最好样品。由于图像系统的放大倍率的变化不一定是线性的，不同放大倍率级别需要使用不同长度级别的标准样品进行校准，因此，我们设计了适用于从低倍到高倍的各级校验用的标准参考样品，包括以下三个类型：（1）12．5μm、25μm和百微米尺度的三种栅网图形标准样品；（2）微米-亚微米级图形标准样品；（3）100nm或更小尺度的一维或二维光栅标准样品。本文将介绍第二种类型即微米-亚微米级系列中最小线距为1μm的图像放大倍率校准标样S1000的研制情况。     

远紫外线曝光技术及其在设备上的应用

随着超LSI的集成度不断提高,最近亚微米加工技术正在引起人们的注意。普通光刻使用3500—4500(?)波长的紫外光,但对1μm以下的图形由于光干涉等原因是无法制作的,于是。扫描型电子束曝光,X线曝光方式的研究工作得到了迅速的发展。虽然一般光学系统也可使用更短波长的光,也可能制作出线宽1μm以下的图形,但是,光致抗蚀剂不适用3000(?)以下波长的光,也没有合适的曝光光源,1974年Stanford大学的G.C比的克隆用波长2000(?)以下的紫外光对     

欧洲新的微电子开发计划：MEDEA＋计划

在过去的十余年间欧洲已先后完成了JESS1(联合欧洲半导体硅计划)和MEDEA(欧洲微电子应用开发计划)。 JESS1计划总投资35亿美元,花费了8年时间(1988～1996年)。这项计划的实现使欧洲有了自己的64M DRAM产品,并掌握了0.7μm、0.5μm和0.35μm三代亚微米的集成电路加工技术,可生产0.35μm级的互补金属氧化物半导体芯片,为今天欧     

用于光导板的亚微米光栅衍射特性研究

提出了利用亚微米光栅制作光导板的方法,用严格耦合波理论计算分析了亚微米光栅从光密介质到光疏介质的1级透射衍射效率与光栅槽深、入射角度的关系。讨论了在满足基底全反射条件的入射角时对应于R、G、B三原色光的亚微米光栅（0．651μm、0．508μm、0．405μm）在导波条件下的光场衍射特性,并用实验证明在导波条件下1级衍射效率率与光栅槽深关系的可靠性。给出亚微米光栅型光导板的初始结构,并进行了误差分析。     

移相掩模技术改进了i-线光刻的分辨率

<正> 在目前的64MbDRAM及不久的将来256MbDRAM的研制中,要求能描绘0.5μm以下,即亚半微米的特征尺寸,电子束和x射线光刻已被研究用于这些目的。另外,缩小投影曝光技术由于其适用性广及产量高,也将成为制造具有亚半微米特征尺寸的DRAM的主要方法。根据Rayleigh的关于分辨率和焦深的公式     

用于光导板的亚微米光栅透射衍射特性分析

提出了利用亚微米光棚制作光导板的方法,用严格耦合波理论博分析了亚微米光栅从光密介质到光疏介质的1级透射衍射效率与光栅槽深的关系,讨论在满足基底全反射条件的入射角下,对应于红、绿、蓝(红光700mn,绿光555nm,蓝光465nm)三色光的亚微米光栅(0.651μm、0.516μm、0.433μm)在导波条件下的光场衍射特性,并用实验证明在导波条件下1级衍射效率与光栅槽深关系的可靠性,给出亚微米光栅型光导板的初始结构,进行误差分析.     

硅微波晶体管亚微米全干法腐蚀技术

随着器件尺寸朝亚微米规模、超大规模方向发展,常规的湿法腐蚀技术已无法满足要求。这里的器件制作全部采用正性光致抗蚀剂、接触式曝光和反应离子刻蚀制作方法。容易重复获得约0.6μm的发射区条宽,4μm周期的发射极排列密度,条宽和条距均为1μm的梳状金属电极图形,而且该金属具有足够的W、Au厚度,保证器件在C、X波段有良好的高频特性及抗电冲击能力。     

21世纪的光刻技术

当前世界半导体工业按照摩尔定律,以快速发展的势头向21世纪,光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大,制造成本越来越高。到2000年0.18μm工艺、300mm硅片的技术将完全进入规模化大生产阶段。在不远的将来,微电子设备的发展将达到传统光学方法的分辨率极限,光学光刻曝光波长将由i线向深紫q外迈进。现在在0.25μm—0.35μm生产阶段,当IC器件