高温法淀积PbS多晶膜的化学过程

PbS多晶膜化学淀积过程,直接关系到PbS元件的光电性能,是PbS器件制备的核心工艺。在PbS多晶膜形成的化学过程中,还伴随着其他化学反应发生。因而,除生成PbS多晶膜外,还产生其他一些化合物。如何控制其他化学反应进行的进程和程度是化学淀积PbS多晶膜工艺极为重要的任务之一。一、NaOH、Pb(CH_3COO)_2及(NH_2)_2CS溶解过程NaOH、Pb(CH_3GOO)_2及(NH_2)_2CS是高温法化学淀积PbS多晶膜的三种试剂。这三种化合物在淀积PbS多晶膜前均需溶解于水中。1.NaOH的存放和溶解     

等离子体淀积氧化硅

本文叙述在平板型等离子体径流反应器中,由硅烧和一氧化二氮激活反应淀积二氧化硅薄膜的方法,测量了薄膜的特性,包括红外吸收谱、淀积速率、密度、电阻率、折射率、击穿电场.应力.薄膜的特性与淀积条件有密切关系.     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.     

钝化膜的低温等离子体淀积

硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

PVD淀积速率理论

本文建立了PVD淀积速率与光源功率以及淀积时间关系的理论,发现理论与薄膜厚度关于淀积时间关系的实验结果相符合。     

化学镀金淀积层的一些性质

对在氢化硼镀浴中化学镀敷的金淀积层的热压键合性能,薄层电阻,孔隙率,硬度,颜色和光反射率与淀积条件和淀积层表面形态之间的关系进行了研究。对集成电路应用,热压键合性能是良好的。薄层电阻基本和退火的纯金块所计算的数值相近似。硬度可与电镀的软金硬度相比。淀积条件对这三种性质影响不大。另一方面,表面形态对孔隙率、颜色、和光反射率有很大影响,而表面形态由淀积条件所决定。可分为两种不同类型的结构:横向生长型和表面生长型。当氰化金对氢硼化离子的浓度比相当高时产生横向生长型。这种生长型的淀积层比表面生长型有较低的孔隙率、较亮的黄色和较大的光反射率。电化学研究指出,后一类型与接近极限电流有关。对各种实际应用来说,横向生长型较好。     

激光淀积: 一定会发展

激光淀积可把径向尺寸小的薄膜结构直接记录到基片上。图1表示普通激光淀积试验装置。激光淀积虽有几种，但一般可很方便地分成两类，即热和光化淀积。     

离子束辅助淀积薄膜

本文叙述了淀积薄膜时助以离子轰击的电子束蒸镀工艺对薄膜特性的某些影响。薄膜置于潮湿大气中,由于吸潮性的减低,而使SiO_2、TiO_2和ZrO_2薄膜的填充密度明显增加。在ZrO_2-SiO_2多层干涉滤光片中,其峰值透过率波长的变化,从不用离子辅助所淀积膜的8毫微米减到用离子束辅助淀积膜的不到1毫微米。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

介绍了大规模集成电路中两种ＣＶＤ二氧化硅膜的淀积，并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出ＴＥＯＳ淀积方式，是今后集成电路中ＳｉＯ２淀积的主流工艺。     

反溅射再淀积现象的探讨

本文通过对不同条件下双层金属通孔电阻的测试，验证了反溅射再淀积现象的存在，并通过对比实验，分析了影响再淀积的因素和其对电路可靠性的影响。     

聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究

聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C,占三分之二左右,Pt含量约为30%;当辅助反应气体流量不变时,Pt的含量随离子束流的增大而增加,C的含量则随之减少;薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。据此给出了IC电路修改时较好的淀积条件,在IC产业的设计和制造中有较强应用价值。     

磷硅玻璃膜的等离子活性淀积及特性

研究了由等离子体活化反应系统(P—PSG)淀积的磷硅玻离膜。分析了对应不同淀积参数的P—PSG的基本特征。在该等离子体淀积方法中,利用反应气体SiH_4、PH_3和N_2O进行淀积, P—PSG有高的淀积速率〔大约为百分之10(W/O)P摩尔重量〕。用这种方法淀积的P-PSG膜与常压下(AP-PSG)淀积的常规PSG膜比较,显示出良好的薄膜性能,如在热处理期间具有较强的抗裂性,保真的台阶覆盖和可控的压应力等。     

多晶硅薄膜的淀积

近十年来,由于硅栅工艺在MOS集成电路中的应用逐渐普遍,对于介质上淀积多晶硅荡膜的工艺,以及多晶硅淀积层性质的研究己经受到了重视。     

优化清除等离子淀积设备电极上淀积物的方法

在等离子淀积设备上常采用等离子腐蚀的方法来清除淀积在电极平板上的反应生成物。本文主要介绍如何优化这一等离子腐蚀过程。     

硒化锌薄膜的射频溅射淀积

描述了射频溅射淀积ZnSe薄膜的研究工作,实验给出了淀积速率与各溅射参数之间的关系曲线,找出了在φ20mm内光学镀层均勺性在98%以上的工艺条件,讨论了影响溅射均匀性的若干因素,并与热蒸发ZnSe薄膜进行比较.证明用溅射法,其淀积的薄膜的填充系数比热蒸发法高。     

CdTe晶体中Te淀积物的特性

用俄歇能谱、X射线衍射和喇曼光谱说明CdTe晶体中Te淀积物的特性。X射线衍射的结果表明:用Bridgman法生长的CdTe晶体中淀积的Te与高压下的单体Te有相同的结构形态。用俄歇和喇曼微探针光谱研究,进一步确定CdTe中的Te淀积物和验明Te淀积物的对称性。     

RF化学气相淀积金刚石薄膜

本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。