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对相同的衬底进行不同的处理后,放入微薄等离子体腔中,在不同的条件下制备出纯平金刚石碳膜和球状金刚石聚晶颗粒碳膜,通过扫描电镜、拉曼光谱、X射线分析碳膜的形貌与结构,利用场发射二级结构研究两种金刚石碳膜的场发射性能,简单分析了不同碳膜的成因和场发射性能。 相似文献
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分析研究复合碳膜的制备及场发射效果。在陶瓷衬底上磁控溅射一层金属钛,对金属钛层进行仔细研磨,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,在镀钛陶瓷衬底上制备出碳膜。利用扫描电镜、x射线衍射、拉曼光谱分析复合碳膜的微观结构和微观表面形态,表明此碳膜是含有碳纳米管、非晶碳和球状微米金刚石颗粒的复合碳膜。用二极管型结构测试了复合碳膜的场致发射电子的性能。首次发光的电场为0.75V/μm,稳定发光2.56V/μm的电场下,复合碳膜阴极发射电流密度为7.25mA/cm2。并对其复合碳膜制备成因及发射机理进行了研究。 相似文献
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摘要:本文在陶瓷衬底上面利用磁控溅射的方法镀上一层厚金属钛,用不同方法对金属钛层进行表面处理,处理后的衬底放在微波等离子体化学气相沉积腔中,在相同的沉积条件下制备出不同微米金刚石薄膜。对不同的薄膜的微观表面形态、结构组成进行对比研究;对不同的薄膜用二极管型结构测试了它们的场致发射电子的性能,并对发射机理进行了深入的研究。最终分析出不同方法处理的衬底,对微米金刚石聚晶薄膜生长及场发射特性的影响的原因。 相似文献
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在陶瓷衬底上通过磁控溅射方法镀上金属钛层,用含铁杂质的氧化硅对钛层进行抛光,通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在不同的温度下短时间里制备出CNT膜。利用扫描电子显微镜、拉曼光谱,X射线衍射,分析了薄膜的结构和表面形貌。仔细研究不同温度下制备的CNT膜,得出衬底温度400℃时制备的碳膜是以非晶碳为主,600℃时置备的碳膜是良好的碳纳米管膜,800℃制备的碳纳米管膜的缺陷变得很多,以碳纳米链为主。最后得出了温度对催化活性有很大影响的结论。 相似文献
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报道了在钼衬底上利用微波等离子体化学气相淀积技术制备金刚石镶嵌非晶碳膜,在硅衬底上用脉冲激光淀积技术(pulsedLaserDeposition)制备类金刚石薄膜,并对其场发射特性和机理进行了进一步的研究。用金刚石镶嵌非晶碳膜作阴极,在2.1V/μm的场强下便有电子发射,最大发射电流密度为4mA/cm2。实验表明,金刚石镶嵌非晶碳膜是制做场效发射冷阴极的合适材料。 相似文献
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金刚石基底上制备(002)AlN薄膜的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具有很高的金刚石相纯度,且晶粒排列紧密;继而采用射频磁控反应溅射法,在抛光的金刚石基底上成功制备了高C轴择优取向的氮化铝(AlN)薄膜,研究了不同的溅射气压、靶基距对AlN薄膜制备的影响,XRD检测结果表明,溅射气压低,靶基距短,有利于AlN(002)面择优取向,相反则更有利于AlN薄膜的(103)面和(102)面择优取向;研究了AlN薄膜在以N终止的金刚石基底和纯净金刚石基底两种表面状态上的生长机制,结果发现,以N终止的金刚石基底非常有利于AlN(002)面择优取向生长;从Al-N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度,探讨了其对AlN薄膜择优取向的影响。 相似文献
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金刚石镶嵌非晶碳膜表面微尖对场致发射的增强作用 总被引:1,自引:0,他引:1
用微波等离子体化学气相沉积设备,在金属钼衬底上沉积出了表面存在大量微尖的金刚石镶嵌非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜和X射线衍射谱(XRD)及Ram an谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现:在笔者的实验范围内,金刚石薄膜表面微尖对场致电子发射具有增强作用,且薄膜表面微尖数目越多,场发射电流密度和发射点密度越高,场发射的发射阈值越低。最后建立了一个二次场增强模型对实验结果进行了解释 相似文献
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Grot S.A. Gildenblat G.S. Hatfield C.W. Wronski C.R. Badzian A.R. Badzian T. Messier R. 《Electron Device Letters, IEEE》1990,11(2):100-102
Both doped and undoped homoepitaxial diamond films were fabricated using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (CVD). The conductivity of the diamond film is strongly affected by the surface treatment. In particular, exposure of film surface to a hydrogen plasma results in the formation of a conductive layer which can be used to obtain linear (ohmic) I -V characteristics of the Au/diamond contacts, regardless of the doping level. It is shown how the proper chemical cleaning of the boron-doped homoepitaxial diamond surface allows the fabrication of Au-gate Schottky diodes with excellent rectifying characteristics at temperatures of at least 400°C 相似文献