CaO对Mn-Zn铁氧体微观结构与磁性能的影响

采用传统氧化物陶瓷工艺制备了CaO-Bi2O3-MoO3-Nb2O5复合掺杂高磁导率Mn-Zn铁氧体材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、B-H测试仪和阻抗分析仪等对材料结构和磁性能进行了表征,研究了不同添加量CaO对高磁导率Mn-Zn铁氧体的微观结构和磁性能的影响.结果表明,添加适量的CaO可以细化晶粒、提高材料的频率特性和品质因数Q,降低材料的损耗;当质量分数CaO=0.030%时,材料具有最佳的综合性能:μi=9 772.22,L200/L10=99.36%,室温PCV=435.14mW/cm3.     

Si3N4／SiC纳米复合陶瓷的微观结构

利用ＪＥＭ２０００ＥＸⅡ高分辨电镜和ＨＦ２０００冷场发射枪透射电镜对Ｓｉ３Ｎ４ＳｉＣ纳米笔合陶瓷材料的微观组织，结构和成分进行了研究。结果表明，ＳｉＣ颗粒弥散分布基体相β－Ｓｉ３Ｎ４晶内和晶界，晶内ＳｉＣ颗粒与基体相的界面结构有三种类型；１）直接结合的的界面；２）完全非晶态的界面；３）混合型的界面，晶间ＳｉＣ颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。     

氮化前显微组织对SmFeN合金磁性能的影响

本文研究了Sm含量,凝固速度及Nb和Zr元素的添加对Sm-Fe合金微观组织及氮化后Sm2Fei7Nx合金磁性能的影响.研究结果表明:采用真空感应炉熔炼Sm-Fe合金,当Sm的补偿量大于10wt%时,合金铸锭组织中出现大量的富Sm相,这将导致氮化后磁体磁性能的恶化;提高铸锭的冷却速度及添加Nb和Zr等元素可以有效地细化铸锭中α-Fe相的晶粒,减少均匀化退火后α-Fe相的数量,提高磁性能.     

hBN含量对Si3N4-hBN复相陶瓷性能和微观结构的影响

利用纳米级粉体经热压烧结制备了Si₃N₄-hBN复相陶瓷, 研究了hBN含量对Si₃N₄-hBN复相陶瓷致密度、力学性能、摩擦学性能、微观结构的影响。用阿基米德排水法、三点弯曲法和维氏压痕法测量材料的致密度、力学性能; 用摩擦磨损试验机测试材料的摩擦学性能; 用XRD、EDAX和SEM、LSCM分析观察材料的物相组成和微观结构。研究结果表明, 随着hBN含量的增加, 复相陶瓷的密度将会持续下降, 气孔率先是急剧上升, 然后趋于平缓, 力学性能持续下降, 干摩擦条件下复相陶瓷与GCr15配副的摩擦学性能呈现先提高后降低的趋势, 当hBN含量低于20wt%时, 随着hBN含量的增加, 摩擦系数和磨损率逐渐减小; 当hBN含量大于20wt%时, 摩擦系数和磨损率急剧增大; hBN含量为20wt%时, 获得最低的摩擦系数为0.31。hBN的引入直接影响Si₃N₄-hBN复相陶瓷的微观组织结构, 进而影响复合陶瓷的力学性能和摩擦学性能。     

基片及基片温度对Fe4N薄膜的形成及其特性的影响

以双离子束溅射法在（111）硅片和玻璃上分别制得了单－γ′－Fe4N薄膜，研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响，结果表明，（111）硅片为基片，可制得无晶粒择优取向的单一γ′－Fe4N相；而以玻璃为基片，在基片温度为160℃时，则可制得具有（100）面晶粒取向的单一γ′－Fe4N相薄膜，与无晶粒择优取向的γ′－Fe4N相比较，具有（100）面晶粒取向的γ′－Fe4N相的矫顽力较低，易达到磁饱和，但二者的饱和磁化强度基本一致。     

激光化学气相反应生长Ti（C,N）薄膜的成分及微观结构

运用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＴＥＭ等手段分析在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基材上用激光化学气相色反应生长的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜的成分，结构，显微结构，可在基材表面的形成大面积均匀的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜层，为无明显择优取向的等轴纳米晶，其中有少量的Ｔｉ２Ｎ相，且Ａｌ，Ｖ含量低于基材。     

化学共沉淀法制备γ′-(Fe_(1-x)Ni_x)_4N粉末的微结构及磁性研究

用化学共沉淀法和在NH3/H2气氛下氮化处理得到了一系列不同Ni含量的Fe-Ni-N多晶粉末。XRD测试的结果表明,随着Ni含量的增加,材料的晶格常数逐渐减小;制备出单相的γ′-(Fe1-xNix)4N条件主要与NH3/H2气流比、热处理温度及时间有关。从VSM测量的结果来看,随着Ni含量的增加,材料的饱和磁化强度(Ms)总体呈下降趋势。Ni含量在0.18-0.28之间较容易得到单相γ′-(Fe1-xNix)4N,并且磁性质比较稳定。通过研究不同Ni含量对磁性的影响,进一步分析了Ni的占位问题。     

电弧离子镀制备（TiCr）N薄膜的微观结构及性能

利用电弧离子镀（Arc Ion Plating）方法，通过对独立的Ti靶和Cr靶的弧电流进行控制，成功地在高速钢（HSS）基体上制备了不同成分配比的（TiCr）N薄膜。采用X射线衍射（XRD）分析显示：薄膜为单一的fcc的结构、没有TiN或CrN相存在；薄膜呈（220）结构，薄膜的晶格常数随着Cr含量的增加而减小。透射电子显微镜（TEM）结果表明：（TiCr）N薄膜的晶粒尺度为20nm左右。显微硬度测试表明：薄膜具有很高的硬度，而且随弧流比的变化，硬度值有一极大值。同时，本探讨了(TiCr)N薄膜的宏观残余力、显微硬度和Cr含量之间的关系及其微观机制。     

Al含量对（Ti,Al）N薄膜微观结构与性能的影响

研究发Ａｌ含量对（Ｔｉ７Ａｌ）Ｎ薄膜微观结构与性能的影响，实验结果表明：同ＴｉＮ薄膜相同，在（Ｔｉ７ＡＤＮ系薄膜中存在着（１１１），（２００）和（２２０）三咱择优取向，随着Ａｌ含量的增加这三种取向的衍射强度呈不同的变化趋势，而这三种取向的面间距则都呈先降后升的趋势，利用上述微观结构的变化可合理地解释（Ｔ。ｌ，ＡＤＮ薄膜的硬度随Ａｌ含量的增加呈先升后降的现象。     

(AlCrTiZrNb)N/Si3N4纳米多层膜的微观结构和力学性能研究

采用多靶磁控溅射系统,使用AlCrTiZrNb合金靶和Si靶制备了不同Si_3N_4厚度的(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜,样品基底为单晶硅。通过X射线衍射仪(XRD)、高透射电子显微镜(HRTEM)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米压痕仪对样品进行微观组织的表征和力学性能的测量。实验结果表明,随着Si_3N_4层厚度的增加,样品的结晶度和力学性能均先增加后减小,XRD图谱中出现面心立方相结构。在Si_3N_4层厚度为0.5 nm时,(111)衍射峰强度达到最大值。说明薄膜结晶度最强,薄膜的硬度和弹性模量也达到最高值,分别为30.6,298 GPa。通过对样品的横截面的形貌观察,发现当Si_3N_4层厚度为0.5 nm时,多层膜的多层结构生长良好。在(AlCrTiZrNb)N层的模板作用下,Si_3N_4层从非晶态转变为面心立方结构,与(AlCrTiZrNb)N层之间形成共格外延生长结构,(AlCrTiZrNb)N/Si_3N_4纳米多层膜的强化可归因于两调制层之间形成的共格界面。     

等量La-Co掺杂对干压各向异性SrFe_(12)O_(19)结构和磁性能的影响

以Y30H-2预烧料作为基料,采用陶瓷法制备La-Co掺杂的干压各向异性Sr1-xLaxFe12-xCoxO19(x=0~0.10)锶铁氧体,研究La3+-Co2+共同替代对锶铁氧体结构和磁性能的影响。XRD射线衍射分析表明,La-Co掺杂并没有改变锶铁氧体结构,锶铁氧体主体仍为六角晶结构;SEM分析表明,La-Co掺杂能使晶粒粒度变细;磁性能测量显示,样品的Hcj随掺杂量的增加先增大后减小,当取代量x=0.06时,Hcj达到最大值。Br则随掺杂量的增加呈现不规则的变化。K值的变化表明,当x=0.04时,锶铁氧体的综合性能最佳。     

化学共沉淀法制备γ＇-（Fe1-xNix）4N粉末的微结构及磁性研究

用化学共沉淀法和在NH3／H2气氛下氮化处理得到了一系列不同Ni含量的Fe-Ni-N多晶粉末。XRD测试的结果表明，随着Ni含量的增加，材料的晶格常数逐渐减小；制备出单相的γ＇-（Fe1-xNix）4N条件主要与NH3／H2气流比、热处理温度及时间有关。从VSM测量的结果来看，随着Ni含量的增加，材料的饱和磁化强度（Ms）总体呈下降趋势。Ni含量在0．18-0．28之间较容易得到单相γ＇-（Fe1-xNix）4N并且磁性质比较稳定。通过研究不同Ni含量对磁性的影响．进一步分析了Ni的占位问题．     

磁控溅射Fe—N薄膜及Fe—N／TiN多层膜的结构和磁性

用磁控溅射法制备了Ｆｅ－Ｎ薄膜和Ｆｅ－Ｎ／ＴｉＮ多层膜。结果表明,在常温下,使用较小的氮、氩比溅射,生成的Ｆｅ－Ｎ薄膜主要是含氮α－Ｆｅ固溶体,并且Ｎ原子进入α－Ｆｅ晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Ｆｅ－Ｎ／ＴｉＮ多层膜的层间耦合作用以及减小每－Ｆｅ－Ｎ层厚度而引起的晶粒尺寸的减小可以有效地降低薄膜的矫顽力,从而获得更好的软磁性能。     

衬底偏压对CrN／Si3N4纳米多层膜结构和力学性能的影响

采用磁控溅射法在不同基底偏压条件下制备了CrN／Si3N4纳米多层膜,用x射线衍射仪、原子力显微镜及纳米压痕仪表征,结果表明,衬底偏压对CrN／Si3N4纳米多层膜微观结构、界面结构、硬度和磨损性能有重要影响;漂浮电位时,导致多层膜界面粗糙,CrN呈（200）、（111）共同生长,硬度和弹性模量低;当偏压变化时,界面宽度和粗糙度变化不大,硬度和模量变化的主要原因是不同衬底偏压下的晶格畸变导致两层材料弹性模量变化和晶粒尺寸变化。与漂浮电位相比,涂层的屈服应力和断裂韧性有所增强。     

柠檬酸根对纳米Fe_3O_4/PVA磁性复合膜性能的影响

采用化学共沉淀法制备了添加柠檬酸根前后的纳米Fe_3O_4粉体材料,用流延成膜法制备了添加柠檬酸根前后的Fe_3O_4/聚乙烯醇(PVA)复合膜。用红外光谱分析仪、古埃磁天平法、振动样品磁强计、自制磁致变形设备、发射扫描电子显微镜对添加柠檬酸根前后的纳米Fe_3O_4/PVA复合膜的结构及性能进行了表征和分析。结果表明:添加柠檬酸根纳米Fe_3O_4制备的Fe_3O_4/PVA复合膜磁化率更大、磁性能更好、磁致变形性能更大、分散性好。     

Ce掺杂对Fe81Ga15.5A13.5合金微观结构和磁性能的影响

以Fe₈₁Ga_15.5Al_3.5合金为基体向其中掺杂Ce元素,研究(Fe₈₁Ga_15.5Al_3.5)_100-xCe_x(x=0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0)合金微观结构和磁性能的变化。结果显示：Fe₈₁Ga_15.5Al_3.5合金的晶粒形状为柱状晶,加入Ce元素后,晶粒形状变为树枝晶。少量Ce元素加入时,(Fe₈₁Ga_15.5Al_3.5)_100-xCe_x合金的相结构仍以A2相为主;当x>0.8%时,合金的相结构由A2相和CeCa₂相组成。Ce元素的加入可以改变合金[100]晶向的取向性;合金的晶格常数随着Ce含量的增加而逐渐减小。在扫描电镜下,可以观察到Fe₈₁Ga     

高能球磨对雾化磁粉结构与磁性能的影响

采用高能球磨的方法处理水雾化Fe-Si-Al软磁合金粉末,运用SEM、XRD分析球磨粉末的显微结构和晶体结构,测试粉末的静磁参数及其2～18GHz范围的复磁导率(μr=μ′-jμ″).结果表明,球磨时间增加,粉末的扁平率增大、粒度减小;平均晶粒尺寸减小、内应变增大导致结晶有序度降低;粉末的饱和磁感应强度减小、矫顽力增大;球磨粉末的复磁导率实部和自然共振频率均相应提高,但过度球磨不利于材料磁损耗性能的提高.     

掺杂催化剂对NaAlH4吸放氢性能和微观结构的影响

利用PCT测试仪和X射线衍射及场发射扫描电镜等测试手段对NaAlH4 2%(摩尔分数)M(M=Ni、LaCl3、Ce(SO4)2)的吸放氢性能和微观结构进行了研究.结果表明,催化剂的掺杂均可降低NaAlH4的放氢温度,催化剂的催化效果依次为:Ce(SO4)2＞LaCl3＞Ni.掺杂稀土化合物可改善NaAlH4的吸氢性能,使第一步吸氢反应:3NaH Al (3)/(2)H2Na3AlH6完全发生,特别是Ce(SO4)2的掺杂,使样品发生了部分(1)/(3)Na3AlH6 (2)/(3)Al H2NaAlH4的第二步吸氢反应,吸氢量达到2.808%(质量分数).掺杂Ce(SO4)2有利于NaAlH4 在球磨过程中颗粒尺寸细化,颗粒的细化增强了NaAlH4的活性,导致其吸放氢性能提高.     

电弧离子镀制备(TiCr)N薄膜的微观结构及性能

利用电弧离子镀 (ArcIonPlating)方法 ,通过对独立的Ti靶和Cr靶的弧电流进行控制 ,成功地在高速钢 (HSS)基体上制备了不同成分配比的 (TiCr)N薄膜。采用X射线衍射 (XRD)分析显示 :薄膜为单一的fcc的结构、没有TiN或CrN相存在 ;薄膜呈 (2 2 0 )结构 ,薄膜的晶格常数随着Cr含量的增加而减小。透射电子显微镜 (TEM)结果表明 :(TiCr)N薄膜的晶粒尺度为2 0nm左右。显微硬度测试表明 :薄膜具有很高的硬度 ,而且随弧流比的变化 ,硬度值有一极大值。同时 ,本文探讨了 (TiCr)N薄膜的宏观残余应力、显微硬度和Cr含量之间的关系及其微观机制