倾斜溅射制备TbFe薄膜的磁力显微镜研究

磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具广泛地应用于磁性薄膜的研究中.TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以具有较低的面内饱和场Hs,传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备TbFe薄膜可有效降低面内饱和场Hs.通过测量样品的磁滞回线可以发现,易磁化轴随着溅射角度的增加逐渐偏离样品的法线方向,而取向于平行膜面.本研究工作利用MFM研究了不同溅射角度得到的TbFe薄膜的磁畴结构.发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴,与磁滞回线测量得到的易轴方向发生偏转的结果相吻合.     

磁力显微镜在磁性材料领域的应用

磁力显微镜是种新发展起来的用于研究物质磁性的重要技术。本文简要地介绍了ＭＦＭ的基本工作原理、影响分辨率的主要因素，以及ＭＦＭ在磁记录体系，磁性薄膜和铁磁学基本现象研究方面的应用情况。本文还报道了ＭＦＭ在有机铁磁体和生物分子磁性研究方面应用的重要意义及其发展趋势。     

TbFe巨磁致伸缩薄膜材料的研究进展

对TbFe巨磁致伸缩薄膜材料的研究进展进行了综述.主要对TbFe巨磁致伸缩薄膜材料的应用前景和提高TbFe巨磁致伸缩薄膜材料的低场磁致伸缩性能的方法进行了总结,指出了TbFe磁致伸缩薄膜研究中存在的主要问题,并对未来的研究方向进行了展望.     

磁场内磁力显微镜观测技术

磁力显微镜观测是研究磁性材料强有力的手段之一,可以对磁性材料的磁畴结构进行直接的观测,利用磁力显微镜对磁记录媒体的研究更是目前研究人员关注的热点之一。本文介绍了目前非常先进的磁场内磁力显微镜观测技术对垂直磁记录媒体的研究。将磁力显微镜和可变化的磁场相结合,这样就可以观察到磁性材料在磁场内的磁结构的在线变化,从而得到磁性材料更多的信息。例如：利用该技术对垂直记录媒体进行研究可以对垂直记录媒体的磁化反转场分布进行测量,从而得到磁化反转场分布地图;利用磁化反转场地图技术可以对媒体的其它性能进行更深入的研究,包括磁化反转机制,激活体积的测量以及媒体噪音和媒体磁化反转场的关系等等。     

基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响

采用直流磁控溅射法制备了非晶态 TbFe磁致伸缩薄膜,通过基片的倾斜安装研究了基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响。结果表明:随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的磁致伸缩系数增大,在外加磁场110kA·m-1下基片倾斜角度为 60°时薄膜磁致伸缩系数达到最大值 1.02×10-4,并且随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的易磁化方向由垂直膜面方向逐渐转向平行膜面方向。这是由于倾斜基片溅射形成的倾斜的薄膜柱状微结构产生的形状各向异性引起的。     

磁力显微镜的发展历史,原理和应用

磁力显微镜（ＭＦＭ）的分辨率高达２０～５０ｎｍ，是纳米尺度磁性材料表面磁结构研究新的有力的工具，本文简单介绍了ＭＦＭ的历史，原理，运作和应用，并介绍了中科院物理所一年来的ＭＦＭ研究，举了两个实例，最后，以ＭＦＭ研究的重要问题作了评论。     

TiN薄膜腐蚀过程的电化学原子力显微镜原位研究

用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9不锈钢上制备了TiN薄膜 ,并用电化学原子力显微镜 (ECAFM) ,从纳米级空间分辨度对其在 3%NaCl溶液中的早期腐蚀过程进行了原位研究。结果表明 ,TiN薄膜在极化电位的阴极区域发生钛氧化物膜的还原溶解 ;在低阳极极化电位下 ,发生轻微腐蚀 ,当阳极极化电位进一步提高 ,在 2 0 0～ 30 0mV出现电解抛光现象。可见 ,电化学原子力显微镜是研究早期腐蚀过程的有效研究手段 ,可原位观察研究微观腐蚀的过程     

TiN薄膜腐蚀过程的电子化学原子显微镜原位研究

用离子束增强沉积（IBED）技术在1Cr18Ni9不锈钢上制备了TiN薄膜,并用电化学原子力显微镜（EACAFM）,从纳米级空间分辨度对其在3％NaCl溶液中的早期腐蚀过程进行了原位研究。结果表明,TiN薄膜在极化电位的阴极区域发生钛氧化物膜的还原溶解;在低阳极极化电位下,发生轻微腐蚀,当阳极极化电位进一步提高,在200－300mV出现电解抛光现象。可见,电化学原子力显微镜是研究早期腐蚀过程的有效研究手段,可原位观察研究微观腐蚀的过程。     

高结晶度石墨薄膜结构AFM研究

制备了高结晶度石墨薄膜，并用原子力显微镜（ＡＦＭ）系统地研究其表面结构，获得了原子级分辨率的图象，观察到了扭曲的石墨晶格结构，在本文中还讨论了温度，拉伸比对薄膜结构的影响。     

TiO2薄膜光催化用于空气灭菌净化

用抛光铝合金作衬底在平行孪生靶的磁控溅射设备中制备出二氧化钛薄膜。薄膜厚度为500nm,XRD测量表明二氧化钛薄膜为锐钛矿型(anatase)。该薄膜在紫外光源照射下,对甲苯、苯、二氧化硫及香烟气体有良好的降解作用;对大肠杆菌、金黄色葡萄糖菌有良好的去除作用。     

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了SnO2薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明,随着磁比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5．5时,SnO2薄膜的电阻分布变得越来越不均匀。     

Nano/micro-structuring of oxide thin film under SHI irradiation

In the present work, we have studied the nano/micro-patterning of the surface of NiO thin films on different substrates (SiO₂, Si and Al) using 100 MeV Ag ions at LN₂ temperature and at an incidence angle of 75^° with the beam axis. The surface morphology of the irradiated surface is observed by Atomic force microscopy (AFM). AFM images of ion beam irradiated samples show the restructuring of initially flat and coherent NiO film into an almost periodic NiO lamellae structure. The quite regular lamellae with width, height and average distance of hundreds of nm are oriented perpendicular to the beam direction. Section analysis of the AFM images reveal that the width of the lamellae is less in case of NiO films deposited on SiO₂ substrate in comparison to Al substrate. The cracking and the development of lamellae structure is observed at higher fluence in the case of Al substrate in comparison to other substrates.     

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了SnO2薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5．5时,SnO2薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀。     

Ni-P底层对化学镀Co-P薄膜性能的影响

采用化学镀工艺制备了Co-P磁记录薄膜,研究了非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的生长及性能的影响.研究结果表明:非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的晶体结构及取向无明显影响,镀态的Co-P薄膜均为密排六方结构, (100)、(002)、(101)的择优取向无明显变化;但非晶无磁的Ni-P底层可以提高薄膜的均匀性和一致性,表面无明显缺陷;细化晶粒,平均晶粒尺寸为100～150nm;提高Co-P薄膜的磁性能,矫顽力可达4.54×104A/m.当记录信号脉冲时,与铝基体上直接施镀相比,在Ni-P底层上的Co-P磁记录薄膜输出信号幅值均匀稳定,信噪比良好.     

光学薄膜及其发展现状

介绍了传统光学薄膜的原理,并对反光膜、增透膜、纳米光学薄膜等传统光学薄膜的研究现状及应用情况,以及几种新型光学薄膜如高强度激光器、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、光电通信用光学薄膜的研究现状及应用进行了详细分析;最后对光学薄膜的发展前景进行了展望。     

弯曲磁过滤电流对TiN膜质量的影响

为研究弯曲磁过滤弧离子镀工艺的磁过滤电流变化对薄膜质量的影响,用弯曲磁过滤弧离子镀工艺在3.0～4.5A内变化磁过滤电流制备了TiN薄膜样品,用扫描电子显微镜观察了薄膜表面与截面形貌,用X射线衍射研究了薄膜的组织结构,从等离子体角度分析了磁过滤电流对薄膜表面质量、结晶质量等薄膜质量及生长速率的影响.结果表明,引入磁过滤后,因去除大颗粒的结果使薄膜表面均很光滑,且表面大颗粒的尺寸与磁过滤电流的大小关系不大.当磁过滤电流为4.0A时,TiN薄膜结晶良好、膜基结合紧密,生长速率达到最大的1.1μm/h,且具有很强的[200]择优取向.在4.0A磁过滤电流下制备的TiN薄膜所呈现的质量特性是由于此电流下等离子体密度与能量高、基体的位置又正好处于聚集的等离子体区域中心.     

聚酰亚胺保鲜膜

介绍聚酰亚胺保鲜膜的性能和用途、制备过程 ,并提出课题开发研究建议     

薄膜生长的计算机模拟

薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究，其中计算机模拟是重要的方法，本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析，主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题，其中主要包括粒子间的相互作用，入射粒子的能量和粒子上的衬底上的扩散运动。