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随着骨缺损病患的日益增多,对骨修复材料的要求越来越高,寻求有效的方法使骨修复材料实现功能化,以改善材料与骨组织之间的相互作用及促进骨组织快速修复成了关键所在。海洋生物贻贝分泌的粘附蛋白在水环境中展现出超强粘附性能,能牢固附着于各种材料表面。受粘附蛋白启发,研究发现多巴胺(Dopamine,DA)具有与贻贝粘附蛋白类似的结构和性能,其具有超强粘附性、化学反应活性以及生物相容性;特别是其对骨细胞有优异的粘附、增殖效果,有望用于骨修复材料的表面改性。着重介绍了DA的主要性能以及其在骨修复材料表面改性方面的研究进展。 相似文献
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指出了聚合物基骨修复材料存在的问题,介绍了近几年来国内外的专家们所做的针对该材料缺点方面的改性工作。主要分为聚合物与有机和无机物的杂化,复合,聚合物与生物活性因子的复合,以及聚合过程或方式的优化。最后指出了骨修复材料的发展方向。 相似文献
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国内外目前治疗骨科创伤采用的非永久性植入器件,如髓内针、接骨螺钉、接骨板等,基本上是由不锈钢材料制成。由于人体内存有盐分,不锈钢长期植入体内,可能产生锈蚀。因此,待断骨愈合后,需再次手术将不锈钢植入器件取出,这增加了患者的痛苦和经济负担。近十多年来国际上的医学专家和生物医学工程专家都在致力于研究可降解高分子骨科材料,以便减轻患者痛苦,改进和提高治疗水平。在国家863计划新材料领域专家委员会的领导和大力扶持下,在深圳市科技局大力支持下,深圳善航 相似文献
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随着高分子复合材料的广泛应用,界面性能成为影响其综合表现的重要因素。紫外-臭氧辐射法(UVO)是一种简单经济的表面改性工艺,可激发高分子表面分子链,从而赋予其不同于本体性能的表面特性(如表面润湿性、与其他材料的界面相容性等),也为进一步的界面偶联提供反应位点。本文首先概述了国内外学者在电子、生物医疗等领域中采用UVO工艺改性不同种类高分子材料(聚酯类高分子材料、聚烯烃高分子材料、有机硅高分子材料、合成橡胶、纺织材料)表面的研究现状及相应研究成果;在此基础上,梳理了改性高分子材料表面与不同种类硅烷偶联剂(甲基丙烯酰氧基、环氧基、氨基、巯基硅烷偶联剂)的反应条件及复合材料界面性能;最后,对UVO工艺未来可能的应用空间进行了展望。 相似文献
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玻璃基生物骨水泥内部纳米羟基磷灰石的形成研究 总被引:3,自引:2,他引:1
以CaO-SiO2-P2O5系统生物玻璃和磷酸铵调和液混合制得玻璃基生物骨水泥(GBC),利用XRD、FTIR和SEM对GBC的产物晶相、化学组成和内部显微结构进行了分析,并对其力学性能进行了测试。实验结果表明,随着浸泡时间的增加GBC中的玻璃相逐步向羟基磷灰石(HAP)微晶转化,生成的磷灰石为弱结晶度的类骨状碳酸羟基磷灰石微晶,这些微晶主要分布于玻璃粉末的界面之间,端面尺寸在30~50nm,这表明GBC中所生成的HAY晶体与人体骨有很大的相似性,因而会具有良好的生物活性。对力学性能测试的结果表明,随着浸泡时间的增加GBC的抗压强度逐步增加,在30天时可达到80MPa。因而GBC不仅具有良好的生物活性,而且具有一定的力学强度。 相似文献
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纯铜表面纳米化对Ti离子注入的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为了改善金属材料表面的综合性能,将表面改性技术和纳米技术相结合逐渐得到了人们的重视.用金属蒸气孤(MEVVA)源离子注入机,将能量为40keV,剂量为2×1017iONS/cm2的Ti离子注入纳米纯铜中.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、俄歇电子能谱(AES)对表层组织及注入浓度分布等进行了分析.研究结果表明,纯铜表面经过SMAT纳米化处理后,注入元素的浓度呈现高斯分布,与未处理的样品相比,峰值浓度提高了30%,注入深度达到160nm. 相似文献
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等离子体浸没离子注入及表面强化工艺的进展 总被引:4,自引:0,他引:4
等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理与技术问题 ,诸如浅的注入层、离子注入不均匀性、气体 (氮 )等离子体的有限应用范围等等 ,阻碍了PIII工业应用的发展 .目前 ,这些问题已成为国内外学者关注的焦点 .我实验室近年来在注入过程鞘层动力学的计算机理论模拟、离子注入剂量不均匀性改善、圆筒内表面注入研究、新型长射程阴极弧金属等离子体源研制、气体及金属等离子体的综合性表面改性工艺研究、以及低能高温PIII新工艺研究等方面进行了研究工作 . 相似文献
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为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著.晶片在300 ℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400 ℃之间.研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺. 相似文献
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