In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响

采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体（CdMnTe：In）和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体（CdMnTe）。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明，所生长晶体均为立方闪锌矿结构，半峰宽为40～80arc Sec，位错密度为100～100cm^-2，结晶质量良好．In掺杂不影响晶体的结构和结晶质量。电流．电压（I-V）测试表明，CdMnTe：In晶体的电阻率为1～3×10^9Ω·cm，与CdMnTe晶体相比上升了3个数量级．近红外光透过光谱（IR transmission）研究发现In掺杂后CdMnTe晶体红外透过率降低，在波数范围4000～1000cm^-1，CdMnTe晶体红外透过率为51．2％～56．4％，而CdMnTe：In的红外透光率为15．4％～6％。     

退火对立方相 MgxZn1-xO薄膜的结构和光学性质影响

在蓝宝石（0001）衬底上低温生长立方相MgxZn1-xO（x〉0．5）晶体薄膜，用X射线衍射（XRD）和透射光谱分析高温退火对薄膜的结构和光学性质的影响．结果表明;对Mg0．53Zn0．47O薄膜，在900℃的退火温度下，（0002）衍射峰以及透射光谱上双吸收边的出现均表明有六方结构从其立方结构中分离出来；但对于Mg含量高于55％的样品，即使经历了1000℃的高温退火，也不会有任何相分裂现象出现．而电学测试结果表明，高温下热稳定性良好的立方相Mg0．55Zn0．45O晶体薄膜还能用于金属-绝缘体-半导体的绝缘层，并且漏电流小．由此可以判断，x≥0．55的超饱和MgZn1-xO薄膜具有稳定的立方相晶体结构和优良的光学、电学性质，因而是制作高质量的光电子器件和量子阱激光器的理想材料．     

离子注入对聚对苯乙炔衍生物三阶非线性光学极化率的影响

利用能量为25keV，剂量为3．8×10^15-9．6×10^16ions／cm^2的氮正离子（N^＋）对聚（2，5-二己氧基）对苯乙炔（PDHOPV）薄膜进行注入改性研究。紫外-可见吸收光谱显示，注入离子在PDHOPV薄膜内部引入杂质能级，破坏分子的共轭结构，随着注入剂量增加，吸收边逐渐向长波方向移动，且分子激发态和基态间的光学禁带宽度由2．07eV减小至1．65eV。采用简并四波混频（DFWM）技术研究了离子注入对PDHOPV薄膜三阶非线性光学极化率的性能。结果表明，未注入薄膜的三阶非线性光学极化率（X^（3））为9．61×10^-10esu，随着注入剂量增加，X^（3）逐渐增大，当注入剂量达到3．8×10^16ions／cm^2。时，X^（3）值增加到最大值为8.44×10^-9esu。     

氧化亚铜微米棒的制备及其机理

借助X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）表征，利用CuSO4·5H2O和NaC2H3O2·3H2O为主要原料，D-山梨醇为还原剂，水热还原制备了氧化亚铜微米棒。具体条件是：CuSO4·5H2O和NaC2H3O2·3H2O加入量为摩尔比1：4，D-山梨醇的加入与CuSO4·5H2O等摩尔量，水热180℃下反应12h。微米棒的直径小于1μm，长度在10μm以上，棒表面有晶体生长印迹。其机理是：C2H3O2-水解生成OH-，OH-与Cu^2＋生成Cu（OH）2，Cu（OH）2再被D-山梨醇还原生成Cu2O。     

无反应直流溅射中功率对ZnO：Al薄膜光电性能与形貌的影响

采用氧化锌铝陶瓷靶材，在室温下使用无氧直流磁控溅射法于载玻片衬底上制备了ZnO：Al透明导电薄膜，研究了溅射功率对薄膜微观结构、电阻率和透光率的影响。结果表明：薄膜具有六方纤锌矿结构并沿C轴择优取向生长，沉积速率与溅射功率呈准线性关系。溅射功率对薄膜的电阻率和表面形貌有显著影响，当功率为80w和120w时，薄膜的电阻率值为7．2×10^-3Ω·cm和2．3×10^-3Ω·cm，表面形貌分别为光滑与织构化,但溅射功率对薄膜的透光率影响不大，薄膜在可见光区的平均透光率均在90％左右。     

叶腊石及其粉末基本性质和工艺性能

叶腊石为晶体结构，属层状硅酸盐矿物，其晶体结构是每一结构单位层由上下二层（Si—O）四面体层中间夹一层（Al—O，OH）八面体层组成。结构式为Al2[Si4O10]（OH）2，实验式为Al2O3·4H2O，理论化学成分为Al2O3 28．3％，SiO2 66．7％，H2O 5．0％，自然界很少见到纯叶腊石，往往有各种杂质伴生。[第一段]     

微孔状ZnO薄膜的生长与光致发光性

使用Zn（CH3COO）2·2H2O和PVA水溶液混合的办法在Si衬底上生长了微孔结构的ZnO薄膜。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的ZnO为六方纤锌矿型晶体结构，微孔的孔壁是由纳米颗粒聚集而成，颗粒尺寸大约为20nm,关于这种结构的形成，我们推测PVA在微孔结构的形成过程中起到了模板作用。     

Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米棒的水热合成与Raman光谱研究

以Bi（NO3）3·5H2O，Nd（NO3）3·6H2O和Ti（OC4H9）4为原料，NaOH为矿化剂，聚乙烯醇-124（PVA-124）为模板剂，采用水热法在2OO℃经48h合成了铋层状钙钛矿结构Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNdT）纳米棒。利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM），选区电子衍射（SAED）和扫描电子显微镜（SEM）研究产物的物相和显微结构特征．结果表明合成的BNdT纳米棒为单晶，直径约10～200nm，长度达数微米。Raman光谱分析表明，Nd离子取代了类钙钛矿层中A位的Bi。     

退火超磁致伸缩合金中富稀土相析出物研究

对退火后超磁致伸缩合金中富稀土相析出物进行了研究，采用扫描电镜．能谱分析、X射线衍射和电阻应变片技术，着重研究了析出物的析出根源、相组成、相结构以及磁致伸缩性能．结果表明：过量稀土Ho的存在，是析出物析出的根本原因；析出物中富含稀土，主要包括立方结构DyFe2、HoFe2，六方结构Dy5Si3、Tb5Si3及立方结构Dy2O3、Ho2O3等物相；在磁场强度为400kA/m时，析出物的磁致伸缩系数约为100×10^-6，此时，已经饱和且远小于基体棒的磁致伸缩量（＞500×1010^-6）．配方中适当过量稀土，并采取适当的热处理工艺，可望制备高性能的稀土超磁致伸缩材料．     

分级氧化铟纳米结构的同质外延生长及发光性能

用无催化碳热还原法合成了大量三维分级的In2O3亚微/纳米结构,用XRD、SEM、TEM和EDS等手段对In2O3纳米棒的形貌、成分和结构进行了表征.结果表明:In2O3纳米棒为具有体心立方结构单晶,沿着<100>和<111>方向外延生长,属于自组装和气固外延生长机制.同质外延生长的分级结构是"二次成核"和气固生长协同...