Y2O3纳米晶的制备和表征

采用硬脂酸凝胶法制备了Ｙ２Ｏ３纳米晶，用傅立叶交换红外光谱（ＦＴＩＲ），热重－差热（ＴＧ－ＤＴＡ）对制备过程进行了表征。用Ｘ射线末衍射（ＸＲＤ），透射电子显策镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面吸附对Ｙ２Ｏ３纳米晶的粒径和形貌进行一表征。在６００℃以上热处理得到立方晶系Ｙ２Ｏ３纳米晶，其粒径随热自理的上升而增大，形貌由球形变为立方形。粒径分布窄，无硬团聚现象产生，用傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对其谱学特性     

PbTiO3纳米晶的制备及表征

以硬脂酸、乙酸铅和钛酸丁酯为原料用硬脂酸凝胶法合成ＰｂＴｉＯ３纳米晶原粉，利用改进的烧结设备，同时采用Ｎ２气氛下预烧，通过调节Ｎ２和Ｏ２的流量控制烧结气氛，得到粒径重复性好的ＰｂＴｉＯ３纳米晶，用差热分析，热重分析和Ｘ－射线衍射对合成过程进行了研究，用透射电镜考查纳米晶的粒度和形貌，用５ＤＸ－红外光谱仪对ＰｂＴｉＯ３纳米晶的红外透射谱进行了测试分析。     

纳米晶Ba_（1－x）Pb_xTiO_3的合成与表征

以醋酸铅、硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料，用硬脂酸凝胶法（ＳＡＧ）合成了粒度均匀、粒径１０－２０ｎｍ的Ｂａ（１－ｘ）ＰｂｘＴｉＯ３纳米晶粉末．利用红外光谱（ＩＲ）、热重（ＴＧ）和差热分析（ＤＴＡ）研究了纳米晶粉末的合成过程．用ＴＥＭ、ＸＲＤ观察和研究纳米晶的形貌及晶体结构，并用发射光谱测定样品的纯度．     

纳米晶钛酸铅的合成及其介电性能的研究

采用硬脂酸凝胶法(SAG)制各了纳米晶PbTiO3，用差热—热重分析、红外光谱分析、X光衍射分析及透射电镜等手段对产物的形成过程、晶型、粒径进行了表征。通过对材料介电性能的研究发现，纳米晶钛酸铅在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数，随着粒径的减小，纳米晶钛酸铅的低频介电常数逐渐增大。     

纳米晶La1—xSrxFeO3薄膜的制备及表征

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３（ｘ＝０￣０．４）系列薄膜，薄灰钙矿结构，平均粒度在３０ｎｍ左右。ＸＰＳ结果表明，随着Ｓｒ含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。     

纳米晶铁酸锌和铁酸镧的合成与表征

用硬脂酸凝胶法制备了尖晶石型ZnFe2O4和钙钛矿型LaFeO3纳米晶，通过热重差热（TG-DTA）、X射线粉末衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和BET比表面吸附，对纳米粒子的组成、结构、形貌、粒径进行了分析和表征．     

纳米晶PCT薄膜的合成与表征

纳米材料的制备技术结合Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺在（１００）单晶硅上制备了粒径在２０￣８０ｎｍ的多晶ＰＬＴ（Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉＯ３）纳米晶膜，并用ＩＲ、ＴＧＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等对膜的制备过程及结果进行了研究。结果表明，所制备的ＰＬＴ纳米晶膜属多晶钙钛矿结构，薄膜表面平整致密，厚度均匀，约为１ｕ，颗粒为球形或椭球形，粒度呈对称分布。     

微纳米晶CuInSe_2溶剂热合成与表征

以硝酸铟、硝酸铜及硒粉为原料,以乙醇胺和无水乙醇作为溶剂,采用溶剂热法合成了铜铟硒(CuInSe2,简称为CIS)微纳米晶,通过单因素实验方法考察了原料的物质的量比、反应时间、反应温度等因素对产物的影响,得出了制备CuInSe2纳米晶粉末的适宜条件。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见吸收(Uv-Vis)等方法对产物进行表征和测试。     

(1-x)(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-x(Ca_(0.61)Nd_(0.26))TiO_3系微波介质陶瓷介电性能研究(英文)

本实验研究了(1-x)(Mg_0.7Zn_0.3)TiO₃－x(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃体系陶瓷(MZCNT)的微波介电性能,通过(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃协调(Mg_0.7Zn_0.3)TiO₃陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著, 当烧结温度为1250℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃ 的分解和Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降.此外,随着(Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃含量的增大,材料的介电常数增大,品质因数减小.当 (Ca_0.61Nd_0.26)TiO₃含量为13%,烧结温度为1250℃,保温4h,（MZCNT）陶瓷具有优良微波介电性能,ε_r =24.3,Q·f=34000GHz,τ_f~-9×10^-6/℃,从而达到实用要求.     

超低膨胀陶瓷K_（2x）Ba_（1－x）Zr_4（PO_4）_6系统的X射线衍射

用高温Ｘ射线衍射方法对磷酸锆钡钾系统陶瓷材料的各向异性热膨胀作了研究．对七个组份试样的７７套高温Ｘ射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定．点阵常数随温度作非线性变化·对Ｋ_２ｘＢａ_１－ｘＺｒ_４（ＰＯ_４）_６的不同组份不同温度（３００～１３００Ｋ）的热膨胀系数。α_ａ、α_ｃ、　作了测定·该系统零膨胀陶瓷的组份为Ｋ_１．１６Ｂａ_０．４２Ｚｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０．５８）     

(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3陶瓷的微波介电性能（英文）

研究了(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MCT-CLT)体系陶瓷的微波介电性能.目的是通过(Ca0.61La0.26)TiO3(CLT)协调(Mg0.9Co0.1)TiO3(MCT)陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结温度为1300℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,陶瓷致密度和介电性能下降.此外,随着CLT含量的增加,材料的介电常数增大,品质因数减小.当CLT含量为13%,烧结温度为1300℃,保温2h,(MCCLT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr=22.4,Q×f=35000 GHz,τf=-8.7×10-6/℃,从而达到实用要求.     

(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-xCa0.61La0.26TiO3系陶瓷的微波介电性能研究（英文）

本实验研究了(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MZT-CLT)系陶瓷的微观结构和微波介电性能,通过(Ca0.61La0.26)TiO3来协调(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶瓷的谐振频率温度系数.MZT-CLT陶瓷的主晶相为(Mg0.7Zn0.3)TiO3,第二相为Ca0.61La0.26TiO3和(Mg0.7Zn0.3)Ti2O5.烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结温度为1275℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降.随着(Ca0.61La0.26)TiO3含量的增大,材料的介电常数增大,品质因数减小.当x=0.13,烧结温度为1275℃保温4h,(MZT-CLT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr=26,Q.f=86000 GHz,τf=-6×10-6/℃.     

Co_xFe_（3－x）O_4薄膜的湿法制备及性能

提出了在碱性溶液中通过加入添加剂在涤纶（ＰＥＴ），玻璃，铜片等基体上快速制备Ｃｏ－ｘＦｅ＿（３－ｘ）Ｏ＿４磁性薄膜的方法。实验结果表明，湿法制备的薄膜具有多晶的尖晶石结构，随着Ｃｏ含量的增高，矫顽力逐渐增大，耐蚀性良好。     

Mn^5＋：Ba3（VO4）2可调谐激光晶体的生长

报导了用中频感应引上法生长Ｍｎ＾５＋；Ｂａ３（ＶＯ４）２晶体的实验呼结果，晶体主要解理面为（０００１）面，常见缺陷是沿生长中心轴的散射颗粒“芯”，指出了生长高质量高浓度Ｍｎ＾５＋：Ｂａ３（ＶＯ４）２单晶的有效途径、优质尺寸大于直径３０ｍｍ×４５ｍｍ测定了该晶体的吸收光谱和荧光光谱。     

MOCVD 生长及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料

本文报道 MOCVD 生长 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料(超晶格、量子阱及量子共振隧穿二极管),采用横断面透射显微术表征了样品的界面结构。实验表明:多量子阱与超晶格的周期性良好,层与层之间界面清晰,采用[100]带轴入射,观察到超晶格的 TEM 卫星衍射斑,测量到量子阱中电子的子能级跃迁吸收。研究了生长工艺和材料结构的关系,分析了影响 RT 器件的因素。