超细孔二氧化硅膜的制备研究

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为原料，采用溶胶－凝胶技术在多孔陶瓷载体上制备出具有３．０ｎｍ孔径的ＳｉＯ２陶瓷膜。考察了制膜过程中ＴＥＯＳ、乙醇、水的相对量；酸碱催化和ｐＨ值；热处理温度及成膜助剂对膜性能的影响。在自制的单管膜分离器上，测定了Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２和ＣＨ４等气体在ＳｉＯ２陶瓷膜上的渗透性能。     

多孔SiO2凝胶玻璃的制备及孔径控制

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为原料，采用溶胶－凝胶法制备了多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃，研究了氨水，盐酸，硝酸，氢氟酸等不同种类的催化剂对孔的影响，制备了多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃，利用氮气吸附法对孔结构进行了分析。在透射电镜下观察了凝胶颗粒形貌。     

Si及α－Al_2O_3超细粉对Al_2O_3－ZrO_2－C系材料显微结构的影

本文探讨了Ｓｉ及α－Ａｌ２Ｏ３超细粉对Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料显微结构的影响．认为在Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料中同时加入Ｓｉ和α－Ａｌ２Ｏ３超细粉，Ｓｉ粉除了与Ｃ生成了ＳｉＣ纤维外，其反应产物ＳｉＯ２还与α－Ａｌ２Ｏ３超细粉及ＺｒＯ２生成了莫来石（Ａ３Ｓ２）和Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２（ＡＺＳ）固溶体，这些新生成的矿物相对试样的显微结构产生重要的作用．     

Si及α—Al2O3超细粉对Al2O3—ZrO2—C系材料显微结构的影响

本文探讨了Ｓｉ及α－Ａｌ２Ｏ３超细粉对Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料显微结构的影响。认为在Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｃ系材料中同时加入Ｓｉ和α－Ａｌ２Ｏ３超细粉，Ｓｉ粉除了与Ｃ生成了ＳｉＣ纤维外，其反应产物ＳｉＯ２还与α－Ａｌ２Ｏ３超细粉及ＺｒＯ２生成了莫来石（Ａ３Ｓ２）和Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２（ＡＺＳ）固溶体，这些新生成的矿物相对试样的显微结构产生重要的作用。     

分层优化薄膜电致发光器件预热层的研究

在本文的工作中，我们比较了以ＳｉＯ２／Ｙ２Ｏ３和ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５为复合预热层及以ＳｉＯ为预热层的电致发光器件的发光亮度和传导电流，我们发现ＳｉＯ作为预热层的器件发光亮度优于其它两种器件。利用数值模拟的方法，推导出热电子能量，结果表明，ＳｉＯ为预热层的电致发光器件的热电子能量也明显高于另外两种器件。     

SrTiO3独石化晶界层电容器研究

本文研究了低温烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层瓷料系统中Ｂｉ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、ＳｉＯ２等掺杂剂对瓷料半导化及烧结特性的作用与影响，讨论了将这种瓷料应用于常规多层陶瓷电容器制作技术的工艺特点和技术关键。实验表明，利用晶界偏析技术制造ＳｒＴｉＯ３独石化晶界层电容器是一条可行性好的技术路线。     

SiO2在ZnO—Bi2O3—Sb2O3—BaO系压敏陶瓷中的作用

ＳｉＯ２添加剂对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系和通常的ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３系压敏陶瓷电性能的作用和影响有很大不同。通过小电流区伏安特性，交变电压下复阻抗特性，以及对复电容平面图中半弧特性的分析可知，ＳｉＯ２对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系压敏陶瓷中电性能影响是晶界组分及微结构变化造成的。     

PEG法合成多孔高比表面积SiO2

以硅酸钠，盐酸，ＰＥＧ和水为原料，采用沉淀法制备了轻质多孔材料ＳｉＯ２。     

Bi2O3-SiO2系统的相关系和析晶行为的研究进展

本文介绍了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的研究进展。首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２和Ｂｉ２ＳｉＯ５的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Ｂｉ２ＳｉＯ５将成为一种有前途的新功能晶体。     

CdS在多层薄膜电致发光器件中的新应用

将ＣｄＳ蒸镀于电致发光器件中，测量这些器件的电学和光学特性，发现ＣｄＳ层可以提供较多的电子，但是，样品ＩＴＯ／ＳｉＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳＸ／ＣｄＳ／ＳｉＯ２／ＳｉＯ／Ａｌ（Ｘ＝Ｍｎ＾２＋，Ｓｍ＾３＋的亮度明显低于不仿ＣｄＳ的样品，说明这些电子在向Ｚｎｓ层输运的过程中能量有所降低，在样品ＩＴＯ／ＳｉＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳＸ／ＳｉＯ２／ＣｄＳ／Ａｌ中，ＣｄＳ产生的电子经过ＳｉＯ加速而获得了较高的能量，提高     

二氧化钛/多孔硅/硅异质结的表面光电压谱

首次在多孔硅 （ＰＳ）的表面镀纳米二氧化钛 （ＴｉＯ２）薄膜，表面光电压谱 （ＳＰＳ）测试表明：镀膜后多孔硅的光电压信号增强约２～３个数量级，其原因可能是双异质结构ＴｉＯ２／ＰＳ／ｐ－Ｓｉ能有效地吸收近红外一直到紫外光，并且近本征的多孔硅自建电场增大，使光生电子－空穴对能有效地分离；ＰＳ／ｐ－Ｓｉ之间的势垒差产生的阻止少于向电极扩散的背向电场，也能有效地增强光生电压．     

微量Si在W—7Ni—3Fe重合金中的行为

研究了掺到原料Ｗ粉中微量Ｓｉ（４００ｐｐｍ）在Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ重合金中的分布及在液相烧结过程中的行为。结果表明，Ｓｉ主要以固溶形式分布在Ｗ晶粒中。Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在掺杂Ｓｉ的Ｗ－Ｗ及Ｗ－基体相界面富集ＳｉＯ２和Ｎａ２ＳｉＯ３在未掺杂试样的断口表面发现了较弱的ＷＯ２的ＸＰＳ谱，而在掺杂合金中未发现ＷＯ２。     

微量Si在W－7Ni－3Fe重合金中的行为

研究了掺到原料Ｗ粉中微量Ｓｉ（４００ｐｐｍ）在Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ重合金中的分布及在液相烧结过程中的行为．结果表明，Ｓｉ主要以固溶形式分布在Ｗ晶粒中．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在掺杂Ｓｉ的Ｗ－Ｗ及Ｗ－基体相界面富集ＳｉＯ２和Ｎａ２ＳｉＯ３在未掺杂试样的断口表面发现了较弱的ＷＯ２的ＸＰＳ谱，而在掺杂合金中未发现ＷＯ２．     

Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构

本文利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ａｌ２Ｏ－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合陶瓷薄膜，讨论了主要内容是体系成分（Ａｌ：Ｓｉ：Ｔｉ摩尔比）对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２复合溶胶，进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中，Ｓｉ／Ｔｉ摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过ＸＲＤ对薄膜的相组成进行了分析，表明复合薄膜由Ａｌ４Ｔｉ２ＳｉＯ１２     

SiC晶须增韧Al2O3及ZrO2（Y2O3）基陶瓷复合材料的抗热震行为

采用三点弯曲及扫描电镜等方法研究了ＳｉＣｗ／Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣｗ／ＺｒＯ２）及ＳｉＣｗ／Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）陶瓷复合材料的抗热震性。结果表明ＳｉＣｗ的加入使Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）以及Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）基体的抗热震性显著提高，Ａｌ２Ｏ３陶瓷基复合材料的抗热震性明显优于ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）陶瓷基复合材料。同时发现在Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＣｗ材料基础上再加入少量ＺｒＯ２９２     

重力分离SHS法制备陶瓷内衬复合钢管耐蚀性的研究

基于重力分离ＳＨＳ法制备了陶瓷内衬复合钢管，分析了内衬陶瓷层的组织结构及添加剂ＳｉＯ２和ＣｒＯ３对复合钢管耐蚀性的影响。研究发现，内衬陶瓷层主要由构成枝晶的α－Ａｌ２Ｏ３基体相和分布于其间的ＦｅＯ·Ａｌ２Ｏ３尖晶石相所组成，ＳｉＯ２主要以石英相结构存在于枝晶晶界中。在Ｆｅ２Ｏ３＋Ａｌ＋ＳｉＯ２体系中，陶瓷层的腐蚀主要为晶间腐蚀，并在ＳｉＯ２添加量为４％ｗｔ时，复合钢管的腐蚀失重率出现极大值（约为１     

K_2O－B_2O_3－SiO_2玻璃成分对析晶性能的影响

本文利用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术研究了三种Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶性能。结果表明，Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃的析晶由分相引起，分相和析晶能力受成分影响较大。随Ｂ２Ｏ３和Ｋ２Ｏ含量增多及Ｋ２Ｏ／Ｂ２Ｏ３比值的降低，析晶加强。析晶中主晶相类别尚未查清，次晶相确定为α－方石英。     

沉淀法合成高比表面积超细SiO2

以水玻璃和盐酸为原料，采用化学沉淀法制备出多孔型、高比表面积、超细ＳｉＯ２，用ＢＥＴ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＤＴＡ－ＴＧＡ等手段对其性能进行了表征，结果表明，所制得的多孔型ＳｉＯ２经表面积可达１０００ｍ＾２／ｇ以上，孔分布均匀，粒径小，具有许多特殊的性能。     

硅藻上一莫来石陶瓷负载SiO2膜的制备与表征

将液晶模板技术与溶胶－凝胶法相结合,制备了硅藻土－莫来石陶瓷（Ｋ－Ｍ）负载型ＳｉＯ２膜。表征实验结果表明：ＳｉＯ２膜层与ＴｉＯ２过渡膜层间通过Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ键的价联方式形成了紧密、稳定的伦合型复合膜;ＳｉＯ２膜孔径集中在４～５ｎｍ,孔分布较为均匀;Ｋ－Ｍ负载ＳｉＯ２膜管对气体具有较强的渗透能力,并有较好的气体分离作用根据实验结果探讨了模板剂的性质及用量对ＳｉＯ２膜孔结构的决定性作用。     

沸石粒子充填型SiO2基分子筛复合膜研究

利用水热合成技术制备纳米级沸石粒子,将其按一定配比中入到ＳｉＯ２溶胶中,搅拌均匀,经涂膜、干燥、二次水热处理和烧结制香ＳｉＯ２基沸石微粒子分子筛复合膜。膜的平均孔径明显小于纯ＳｉＯ２膜,孔径分布均匀、单一。其主要机理是沸石粒子充填于ＳｉＯ２孔道之中,对孔起修饰作用,改善了膜的孔结构及分布。