α－Al_2O_3与CaO－Al_2O_3－B_2O_3系玻璃复合材料的等速升温

用ＤＴＡ、ＸＲＤ及压汞方法研究了α－Ａｌ２Ｏ３与ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３系玻璃复合材料的等速升温烧结与相组成．实验表明：在７０－９００℃时烧结快速进行．９００℃后由于闭气孔大量生成使致密化速度减慢．钙长石是由玻璃析晶及α－Ａｌ２Ｏ３与玻璃在＞７００℃反应生成．     

氟化物对CaO-Al_2O_3-SiO_2系玻璃析晶行为的影响

采用DTA、XRD、SEM等现代测试分析手段研究了晶核剂CaF2 对CaO Al2 O3 SiO2 系玻璃析晶行为的影响。结果表明 ,晶核剂CaF2 能有效地促进玻璃的整体析晶 ,在一定热处理制度下 ,可制备出晶粒尺寸为0 .1～ 0 .2 μm的白色微晶陶瓷 ,主晶相为透辉石和硅灰石。随着CaF2 含量的增加 ,透辉石型晶相增多 ,硅灰石型晶相减少。     

PREPARATlON AND OPTICAL PROPERTIES OF a-AXIS ORIENTED β-BaB_2O_4 SURFACE CRYSTALLIZED GLASS

采用传统熔融方法制备了透明ＢａＯ－Ｂ２Ｏ３玻璃。经受控热处理后，由ＸＲＤ谱发现存在ａ轴取向ＢＢＯ结构的微晶薄膜层。由Ｓｃｈｅｒｒｅｒ公式计算得出晶粒尺寸约２０ｎｍ。在１．０６４μｍＱ开关Ｎｄ：ＹＡＧ强激光作用下，观察到了倍频效应的产生（ＳＨＧ）。     

反应烧结法制备Na-β”-Al_2O_3

研究了Na-β"-Al2O3陶瓷管制备的反应烧结法，即在900℃分解初始组成，而后快速反应烧结和分阶段退火转相的工艺．制备的Na-β"-Al2O3管具有良好的性能，双重显微结构也在一定程度上得到控制．     

BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂中SiO_2对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响

研究了氧化钡-氧化硼-氧化硅(BaO-B2O3-SiO2)玻璃助剂对Y掺杂BaTiO3陶瓷微观结构和PTCR特性的影响.微观结构分析表明.玻璃助荆中SiO2的含量能改变晶界相组成,影响样品的烧结特性和室温电阻率.实验结果表明,当含有5%SiO2(摩尔分数)的BaO-B2O3-SiO2玻璃助剂的添加量为3%(质量分数)时,在1050℃保温3h烧结的样品的室温电阻率为210Ω·cm,升阻比为3.5个数量级.     

掺BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃低温烧结钇铁氧体及其磁性能研究

采用传统氧化物工艺,分别制备不同BaOB2O3-SiO2(BBS)玻璃掺量的钇铁氧体(YIG)样品,随即在不同温度下进行烧结。通过XRD、SEM等实验对烧结后的样品进行物相组成、显微结构分析,并测定了样品的磁性能。结果表明,在1 100℃样品生成了YIG铁氧体单相,晶粒尺寸分布均匀,约1.5μm,同时观察到少量气孔;掺杂BBS玻璃后样品的饱和磁化强度4πMs降低,铁磁共振线宽ΔH增大,此时烧结体晶粒较细,自旋波线宽ΔHk较大;当BBS玻璃含量为2%(质量分数)时,ΔHk=1.01kA/m,可作为大功率石榴石型铁氧体材料使用。     

Eu~(3+)掺杂Na_2O-Nb_2O_5-SiO_2透明玻璃陶瓷的制备与表征

采用高温熔融退火法制备出Na2O-Nb2O5-SiO2为基质的掺铕铌酸盐玻璃,并通过两步热处理制备出含有NaNbO3纳米晶相的透明玻璃陶瓷。采用差热分析、X射线衍射、扫描电镜、分光光度计和荧光光谱仪对样品进行了表征。研究表明,铕掺杂铌酸盐基质玻璃具有良好的结晶性,其成核温度为715℃,成核时间为2 h,析晶温度为950℃,析晶时间为2 h;经SEM分析,粒子直径为40~50 nm。该玻璃陶瓷在近红外光区的透过率可达80%。荧光光谱显示,Eu3+∶Na2O-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷在393 nm激发下于614 nm处存在较强发射峰,较基质玻璃有了极大的提高。     

Al－Al_2O_3粉末成形体烧结性的研究

分析研究了金属Ａｌ在１０００℃左右温度下的存在状态以及在Ａｌ２Ｏ３上浸润性等问题，讨论了Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３两相粉末成形体的烧结性能及助烧剂、烧结气氛对材料烧结性能的影响。结果表明，由于金属Ａｌ的活泼性以及生成的Ａｌ２Ｏ３膜的稳定性和金属Ａｌ对Ａｌ２Ｏ３表面浸润性差等原因决定了Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３粉末成形体在１０００℃时的烧结性能极差。助烧剂及其反应产物通过形成过渡层的粘结作用和粘－塑性流动调节材料的界面结合性能改善了材料的烧结性能。同时由于氢气气氛和助烧剂发生化学反应而降低了材料的烧结性能。     

V_2O_5与Al_2O_3复合改性CaSiO_3陶瓷的烧结性能与微波介电性能

为降低CaSiO3陶瓷的烧结温度,通过在CaSiO3粉体中添加1wt%的Al2O3以及不同量的V2O5,探讨了V2O5添加量对CaSiO3陶瓷烧结性能、微观结构及微波介电性能的影响规律。结果表明:适量地添加V2O5除了能将V2O5-Al2O3/CaSiO3陶瓷的烧结温度从1 250℃降低至1 000℃外,还能抑制CaSiO3陶瓷晶粒异常长大并细化陶瓷晶粒。在烧结过程中,V2O5将熔化并以液相润湿作用促进CaSiO3陶瓷的致密化进程;同时,部分V2O5还会挥发,未挥发完全的V2O5将与基体材料反应生成第二相,第二相的出现将大幅降低陶瓷的品质因数。综合考虑陶瓷的烧结性能与微波介电性能,当V2O5添加量为6wt%时,V2O5-Al2O3/CaSiO3陶瓷在1 075℃下烧结2h后具有良好的综合性能,其介电常数为7.38,品质因数为21 218GHz。     

ANALYSIS ON ROOM TEMPERATURE TENSILE STRENGTH OF δ-Al_2O_3, FIBER / Al-12Si COMPOSITE

对δ－Ａｌ２Ｏ３纤维／Ａｌ－１２Ｓｉ复合材料室温拉伸强度的分析表明，在实验条件下该复合材料存在δ－Ａｌ２Ｏ３纤维的最小体积分数Ｖｍｉｎ和临界体积分数Ｖｃｒｉｔ，并求出其基体强度δｍ和室温强度σｃ－δ－Ａｌ２Ｏ３纤维体积分数Ｖｆ直线方程及纤维的临界长度ｌｃ和复合材料的剪切应力τＰ确定复合材料的ＲＯＭ预测曲线，应首先判断σｍ是否等于未增强合金的强度σｕｍ才能得出正确的结论。     

Al_2O_3/Ni包裹粉体的制备、烧结行为及其显微结构研究

利用非均相沉淀包裹技术,在铝无机盐溶液中制备出氧化铝前驱体包裹纳米镍颗 粒的复合粉体,并通过能量发散能谱（ＥＤＳ）以及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）研究包裹粉体的成分构 成,发现镍纳米颗粒表面均匀地包裹一层氧化铝的前驱体．煅烧后的包裹粉体在氩气氛中进行 热压烧结．结果表明,与溶胶－凝胶法制备的粉体相比,包裹粉体可以在较低的温度下达到致 密化．烧结后的材料其显微结构明显不同于球磨粉体烧成的材料,不论在氧化铝晶界或晶内, 镍颗粒与氧化铝之间都有孔隙,这是由于镍的热膨胀系数比氧化铝的热膨胀系数大引起的． Ａｌ２Ｏ３／Ｎｉ复合材料的断裂方式以沿晶断裂为主.     

保护气氛下反应烧结MoSi_2/Al_2O_3复合陶瓷

以金属Mo粉、Si粉和Al粉为原料,采用反应烧结法制备MoSi_2/Al_2O_3陶瓷复合材料,有效增强其室温韧性和强度,并揭示其电阻率随烧结温度变化规律。利用XRD和SEM分析不同温度烧结后MoSi_2/Al_2O_3复合材料试样的物相组成和微观结构;研究不同烧结温度下试样的力学和电学性能。结果表明:在氩气保护气氛下1 200℃时,MoSi_2/Al_2O_3陶瓷复合材料的各项性能较好,其显气孔率为20.7%,体积密度为4.8g/cm~3,断裂韧性值为9.72MPa·m1/2,电阻率为6.0×10~(-2)Ω·cm。所制备的MoSi_2/Al_2O_3陶瓷复合材料物相结构主要由Al_2O_3包覆MoSi_2形成的连续包覆相组成,组织结构均匀。烧结温度为1 200℃时,MoSi2导电相由弥散分布变成相互连接的网络状分布,且Al_2O_3包覆MoSi_2导电相的包覆层变薄,包裹的MoSi_2颗粒之间易于突破包覆相而互相连通,有助于降低电阻率。     

PHASES AND PROPERTIES OF SYSTEM Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3—PbTiO_3 —Ba(Ti(0.85)Sn(0.15))O_3

本文合成并研究了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-Ba(Ti_(0.85)Sn_(0.15))O_3(PZN-PT-BTS)陶瓷的晶相组成及其介电、压电和铁电性能。Sn~(4+)离子的存在,使PZN-PT-BTS 陶瓷晶粒难以具有完全的钙钛矿结构。微量焦绿石的存在,对其电性能的影响并不很大。PZN-PT-BTS 具有良好的介电、压电和铁电特性。