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碳纳米管发现以来,其结构的研究一直是人们普遍关心的课题。至今为止,已有不少有关碳纳米管结构的报道[1]。给出了一些结构模型,其中以Iijima给出的模型最具有代表性,即认为碳纳米管是由碳原子组成的层面卷成筒状后形成的管状纤维。层面内的碳原子之间以sp2键结合,每个碳原子连接二个碳原子形成一系列连续的六边形(以下简称六圆环)。单层碳纳米管即是由一层卷成筒状的碳原子六圆环组成。而多层碳纳米管则是由多个碳原子六圆环组成的圆筒套在一起组成的。而这些圆筒之间的间距与石墨中碳原子层面间距相等,均为0.34nm。此外还认为碳纳米管的… 相似文献
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本工作用高分辨电子显微术,研究了GH135合金中析出的C_(14)Laves相的层错及其有序排列产生的畴结构。该相六角点阵的参数a=0.47,c=0.78nm。象的模拟计算表明,当样品厚度为4nm左右,欠焦量为-40至-70nm时,高分辨象的一个白点对应于结构中的一五角形通道。这时象与结构是直接对应的。图1是Laves相[010]取向的低倍象,字母N、R处分别为(001)层错产生的MgNi_2和MgCu_2结构单元,倾斜和垂直的白箭头分别指示(101)和(100)两种非基面层错。图2左侧是(101)层错的高分辨象,右侧是相应的结构模型,层错区为一条μ相结构单元,C轴同Laves相的C轴成35°角。图3左侧是(100)层错的高倍象,右侧是根据象提出的结 相似文献
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现代电子显微学的发展,电子束直径可以小到几个nm,因此,透射电镜带能谱可以分析直径小到10~20nm的第二相质点的成分。这是用电子探针和扫描电镜不可能做到的。本文用此方法分析了三种高温合金中的四种小尺度(20—100nm)金属间化合物的成分四种相是GH901合金中的η相,GH169合金中的δ—Ni_3Nb相和γ″相,和U—700合金(含Co13.98%)中的γ相。试验是在透射电镜EM400T和能谱仪EDAX9100上进行的,电子束斑直径为4nm,加速电压为100kV,用两种方法试验,一种是采用萃取复型样品,这种方法可以避免基体成分的影响。另一种方法是在金属薄膜上,直接测 相似文献
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氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs光电器件和硅集成电路集成在一块芯片上。SIMOX中氧化物埋层由氧离子注入单晶硅形成,注入能量为200kev,剂量为1.8×10~_(18)/cm~2。注入后试样在1300C干氮气氛中退火6小时,然后在SIMOX 相似文献
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外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:(1)在Si衬底上直接生长Ga As;(2)在Si衬底上先生长一定量的Ga AsIn Ga As超晶格作为缓冲层,而后再生长Ga As。实验结果表明两类样品中的Si衬底晶体完整度很好,外延层中存在着大量的晶体缺陷,但缺陷性质不完全类同。对于第(1)类样品缺陷以位错为主,同时有一些微孪 相似文献
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本文主要论述,应用透射电镜,对热处理M2高速钢经一系列氮离子注入工艺下的注层显微组织形态及合金相结构进行的一些研究。离子注入,是以数万以上电子伏能量的选定离子、以一定剂量和束流强度去轰击并注入材料表面,从而改变材料表面的各种理化及力学性能的一种新型材料表面改性处理技术。目前这种技术仍多侧重于一般注入工艺等方面的研究,而对注层显微组织形态与合金相结构及其注层强化的物理机制等理论方面的研究尚少。我们曾应用多种分析技术,系统的研究了这方面的问题。但因限于篇幅,这里只能列出其中一些主要研究结果。本文选择的具体注入工艺参数为离子能量50Kev,束流 相似文献
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现代马氏体钢G X12CrMoVNbN 10 1 1作为耐热抗形变材料广泛用于发电工业。钢的蠕变强度是和其微结构密切相关的[1] 。本文报道用TEM定量研究退火和蠕变过程中马氏体钢亚晶结构变化的实验结果。实验所用材料为铸造马氏体钢G X12CrMoVNbN 10 1 1,其化学成份 (wt .% ,bal .Fe)为0 13C、0 2 9Si、0 82Mn、9 5 1Cr、1 0 2Mo、0 0 5 9Nb、0 5 2Ni、0 19V、1 0 2W、0 0 14P、0 0 4 14N、0 0 14Al。材料的初始态由热处理确定 ,其过程为 1343K 12h ,空冷 + 10 0 3K 12h ,空冷 + 10 … 相似文献
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高温超导体材料在低温的结构变化,是人们十分关注的一个问题。本文利用透射电镜的低温台,对YBa_2Cu_3O_(7-X)超导体的晶体结构进行了低温动态跟踪观察研究。利用H—800TEM的电子衍射分析和EDAX9100X射线能谱测定,选择组成为YBa_2Cu_3O_(7-X)的正交超导相单晶体,并从电子衍射选择一定取向的晶粒,使用TEM的低温试样支架,用液氮作冷却剂,从150K到300K跟踪固定晶粒,拍摄电子衍射花样。对电子衍射图进行精确测量分析。从[100]电子衍射花样(见图1)计算晶格常数C。图2为晶格常数C随温度的变化曲线。可见在 相似文献
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对经过475 ̄540℃时效的Fe-(15-25)Cr-(4 ̄5)Al合金进行了T EM研究,观察到球形富Cr-α′相基体均匀析出。在475℃时效1000h后粒子的平均直径约8nm,间距约14nm。电子衍射斑点沿圆弧分裂和拉长,这表明α′相开始脱离与α相的共格关系,但在长时间内两相仍有〈001〉、〈111〉或〈011〉等晶 向大体平行的取向关系。 相似文献
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料是微波器件、负电子束和如热光电发射体和及其器件、激光器件等新型光电子器件、光电子集成和集成线路的新型半导体材料。对GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料的研究,使我们获得了这种高性能新型材料缺陷、界面和横截面的显微结构的信息。在我们的研究中,应用了TEM·AES和SIMS。从TEM的照片之一可见GaAs/Al_xGa_(1-x)As层间界面清晰(图1)。有的也存在缺陷。从AES·SIMS和EM的EDS曲线(图2)显示了这种材料表面,界面的成分分布。TEM照片和AES剖面深度曲线显示了界面的有关特性。从而可以由以上数据和信息来评价材料的有关特性,甚至材料的沉积工艺。这为器件对材料的选择和评价提供了科学的、数量化的信息。 相似文献
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通过蒸发和磁控射镀膜的方法,交替沉积C60和金属Pd膜,制备了不同周期和厚率比的C60/Pd多层膜,利用透射电子显微术(TEM)研究了这些薄膜退火前后的结构。 相似文献
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本文利用TEM原位加热手段和选区电子衍射分析方法,对纳米晶Pd-Si薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Pd_(80)Si_(20)合金而得到的纳米晶Pd-Si薄膜,其晶粒尺寸为10nm,结构属fcc。随着温度的升高,薄膜中晶粒长大,在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。 相似文献
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长期运转的成套发电设备、大型运输设备等在整个使用过程中常需进行相当次数的大修,更换较易失效的零件,以便恢复这些机械设备原有的性能。这些较易失效的零件,例如汽轮机叶片、各种转子等,大都极为昂贵。目前国际上对修复热处理十分重视,一般地对外观损伤可用“修复表面处理”恢复其外观形状尺寸并重新投入使用,可取得极大的经济效益[1]。但是在利用“修复热处理”,通过恢复内部显微组织结构来恢复零件整体使用性能方面,目前基本上还是空白。有必要大力开展修复热处理的系统研究。本试验对服役3×105h(约35年)的汽轮机末级叶片的组织结构变… 相似文献
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铸渗表面合金化层的TEM分析魏世忠吴逸贵李炎祝要民陈振华(洛阳工学院材料系,洛阳471039)铸渗表面合金化可使表面具有耐磨、耐热、耐蚀等特殊性,适用于冶金、矿山、化工等工业部门。近年来,对其工艺的研究很多,本文介绍用透射电镜对铸渗合金化表面组织分析... 相似文献
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基于门钮窗结构设计适合高功率微波传输的同轴TEM模——矩形TE10模的微反射过渡结构,经优化后,此类过渡结构在L波段驻波比小于1.1的相对带宽超过4%。在同轴线中增加感性销钉后,此类微反射过渡结构可以与另一段同轴线构成多节带通滤波器。研究表明:感性销钉取向对过渡结构的通带有重要影响,只有沿平行于矩形波导方向插入销钉才能得到最宽的通带。 相似文献