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超高频声表面波压控振荡器 总被引:2,自引:1,他引:2
本文介绍了UHF频段声表面波压控振荡器的原理、设计与实验结果。实验制作的UHF声表面波压控振荡器的工作频率为416MHz;压控频偏>400kHz;压控线性度为±3%;输出功率为7~10dBm。 相似文献
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对一种声表面波压控振荡器的工作失效率进行了预计。建立了由5个单元组成的可靠性串联模型。应用可靠性预计手岫计算了各单元的工作换效率。结果表明,在+70℃和Mt环境条件下,预计这种振荡器的故障工作时间为13781h。如果将元器件的质量提高1个等级,在相同条件下的平均无故障工作时间将大于20000h。 相似文献
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介绍宽频偏声表面波压控振荡器的实验研究。这种声表面波压控振荡器的工作频率为18.3~19.2MHz,分四个频段进行数字信号控制,每一频段的压控频偏均大于300kHz,单边带相位噪声优于-100dBc/Hz/1kHz,平均压控灵敏度大于50kHz/V。 相似文献
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间歇振荡器常被用来做为窄脉冲信号源.对典型的间歇振荡器线路稍加改变就可以构成一个压控脉冲振荡器(见图1).下面分析电路的工作原理.先不考虑R_c与BG_2的作用,由于线圈L的抽头是在总匝数的?上,故电路具有强烈的正反馈,形成一个间歇振荡 相似文献
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在现有的CMOS RF工艺条件下。利用“切换式调谐”设计思想完成了宽带调谐的压控振荡器(vco)的电路设计和版图设计。用Candence SpectreRF软件进行了模拟。结果表明。该VCO在保证其它性能指标的同时,实现了宽的频率覆盖。 相似文献
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本文讨论了声表面波压控(调频)振荡器的原理及设计方法,并实际制作了振荡器,中心频率为657MHz,频偏约为1.5×10~(-3),平均压控灵敏度为98kHz/V,线性度±2%,温度稳定度为±3.7×10~(-5)(-20—+60℃)。 相似文献
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叙述了用铌酸锂压电晶片制作的声表面横波 (STW)滤波器为频控元件为源 ,研制出了电压控制带宽大于 2 5 MHz,工作频率为 1GHz,谐波抑制达 37d B,相位噪声低于 - 80 d Bc/ Hz@1k Hz,尺寸不到 5 0 mm× 2 5 mm× 10 mm的高性能宽带声表面波压控振荡器。 相似文献
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一个现代化的数字式频率合成器,其性能的好坏,主要取决于其相位噪声的大小,而它在很大程度上取决于频率合成器中的压控振荡器(VCO)本身相位噪声的优劣。设计和制造出低相位噪声的 VCO 就成为设计制造频率合成器的一个关键问题。一、电路的主要技术要求对于锁相环中的 VCO,一般应考虑以下几个方面的要求:(1)频率变化范围必须满足锁相环所要求的输出范围,并要有一定的余量。(2)频率稳定度要求长期慢漂移不超过锁相环的同步带,对取样环更不能超过±f_r/2(f_r为参考脉冲频率)。(3)要求 VCO 的相位噪声 S_((?)VCO)越小越好。(4)希望输出频率随输入电压的变化尽可能是线性的,因为如果 VCO 电压频率特性是非线性的,阻尼系数ζ与环路固有频率ω_n 就会随 相似文献
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2006年2月底台联电采用0.13μm RF CMOS工艺推出目前全球最高振荡频率的192GHz双推式压控振荡器。其芯片由美国佛罗里达大学甘斯威尔分校电机计算机工程系硅微波集成电路与系统研究组设计。台联电曾于2005年6月推出105GHz压控振荡器。192GHz双推式VCO可产生更强讯号,输出功率为-20dBm,其载波偏移10MHz处的相位噪声为-100dBc/Hz,耗电11mA(在供电电压1.5V下)。它可用于先进遥测与尖端影像应用,以实现侦测化学物质、穿透布料侦测、穿透雾气与云层显像和侦测皮肤癌等。该公司预测,采用90nm RF CMOS工艺可推出140GHz一般压控振荡器和… 相似文献
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900MHz压控振荡器 总被引:2,自引:0,他引:2
900MHz压控振荡器卿忠一、概述900MHz个人无线电台采用多信道共用体制,自动搜索选取空闲信道,实施无控制中心移动通信。其性能优良,成本低廉。我国用户和研制生产单位对这一新系统极为关注。为实现900MHz频段移动通信,关键之一就是研制一个输出频谱... 相似文献