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电感元件是一种储能元件,当电路在换路时,会出现过渡过程。尽管其过渡过程的时间很短,只有几秒、几亳秒甚至几微秒,然而它对电路的影响却是很大的,为了防止在过渡过程中电感元件的两端引起过电压,可以采取文章所叙述的防护措施,这样就尽可能地保护电器设备。 相似文献
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采用方差分析、线性回归,建立起Fe Ni Co合金膨胀特性的数学线性模型,可令人满意的对材料膨胀系数进行预报。 相似文献
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介绍两例Gleeble 3500热模拟实验机机械系统故障分析和处理方法,针对机械系统故障现象,根据其控制系统的工作原理进行针对性分析和故障处理。 相似文献
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通过金相、X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM/EDX),结合电化学测试手段研究了CuBiAl合金在35% NaCl +NH3溶液中的腐蚀行为,并探讨了NH3对CuBiAl合金在3.5%NaCl溶液中腐蚀性能的影响。结果表明:NH3能使合金的腐蚀电位负移,腐蚀电流增加,加速了合金的腐蚀,且合金的腐蚀速率随NH3浓度的增加而增大。 相似文献
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利用磁过滤阴极电弧镀在硬质合金上沉积厚度约2~3 μm的TiAlN薄膜,并用MEVVA源离子对TiAlN薄膜注入金属离子V+和Nb+。应用北京同步辐射装置(BSRF)的同步辐射光源,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)的方法对TiAlN薄膜表面离子注入层的微观结构进行分析研究。结果表明:未经过离子注入的TiAlN薄膜主要组成相是没有择优取向的Ti3AlN伴有少量AlN,而较小剂量(1×1017 ions/cm2)的离子注入都可以使Ti3AlN产生(111)上的择优取向和细化晶粒,且AlN消失;当离子注入的剂量达到5×1017 ions/cm2时,注入V+的Ti3AlN择优取向变为(210),并产生TiN相;注入Nb+ 的各个衍射峰完全消失,说明TiAlN薄膜表面离子注入层被非晶化,结合透射电镜的研究结果,观察到非晶层的厚度约为80~100 nm。 相似文献
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介绍了以国家标准物质作为参照物,采用熔融制样X射线荧光光谱法进行镁砂及其矿物原料(镁石、菱镁矿)中SiO2、Al2O3、CaO、MgO、Fe2O3、MnO、P2O5含量测定。讨论了熔融制样采用的熔剂体系、样品与熔剂的稀释比例、融熔制样的温度和时间对制样精度及测量准确度的影响。探讨了镁石、菱镁矿等碳酸盐样品烧损量对测定结果的影响和校正方法。方法各元素的精密度(RSD)在0.17%~3.44%(n=10)间,实验表明:所得分析结果能够满足镁砂中常见组分快速分析的需要,且方法的精准度和分析速度优于现行的湿法化学分析法。 相似文献
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锰矿中主次成分的X射线荧光光谱法测定 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了熔融制样X射线荧光光谱法(简称XRF)测定锰矿中TMn、TFe、SiO2、Al2O3、CaO、MgO、TiO2、P2O5、K2O等常见组分的分析方法。对试样进行烧损校正,采用国家标准物质和以国家标准物质为基体制备校准样品,建立了基体校正后的校准曲线,并探讨了熔剂体系、稀释比例、氧化剂、脱模剂对熔融制样精度的影响等因素。以四硼酸锂为熔剂、硝酸铵为氧化剂、碘化铵为脱模剂,采用1:12.5的稀释比例高温熔融制样、XRF测量锰矿中主次成分,满足了日常生产快速分析的需要。 相似文献
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人造金刚石中包裹体含量的测定 总被引:2,自引:1,他引:1
本文结合 X射线荧光分析和 X射线吸收的方法,测定了人造金刚石中包裹体的含量,同时得出了纯金刚石对Co的 Kα射线的质量吸收系数。 相似文献
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X射线荧光光谱法测定高密度钨合金中铁和镍 总被引:1,自引:0,他引:1
采用氧化、熔融对样品进行处理,以X射线荧光光谱法测定铁、镍含量。经过LiF220晶体分光,用闪烁计数器对铁、镍进行测定。铁、镍工作曲线线性良好,相关系数均为0.9999,检出限分别为0.004%和0.008%;与人工配制标样理论值比较,铁、镍测定的绝对偏差小于0.10%;RSD分别为0.78%和0.71%。方法简单、快速、准确,可用于高密度钨合金中铁和镍的测定。 相似文献
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应用PDA-5500Ⅱ直读光谱仪对铬不锈钢中的氮元素进行分析研究工作,建立了炉前快速分析条件,实现了铬不锈钢中氮的快速分析。分析结果表明该分析手段数值准确可靠,能够满足炉前冶炼的要求。 相似文献
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为了对地球化学样品中铂族元素快速、准确地进行分析测试,在实验的基础上,建立了小铅试金富集-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定地球化学样品中铂和钯的方法。以碱式碳酸铅代替氧化铅,以硝酸银为铂钯捕集剂,取样量为10 g时,试金配方具有较宽的使用范围;灰吹后的银合粒经硝酸溶解后以盐酸沉淀分离银,可有效去除测定干扰元素;采用ICP-MS可准确测定试液中的铂钯含量。方法加标回收率符合要求,对标准样品的测定结果与推荐值相符,适用于批量化探样品中痕量(0.1 ng/g)的铂和钯的分析。 相似文献
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