电光Q开关

利用电光效应实现的Q开关叫电光Q开关。将一起偏器和普克尔盒(或克尔盒)放在激活介质与全反射镜之间,在普克尔盒上加上一个适当的偏置电压,它使透过的光的偏振面转动45°,当反射镜将这光反射而再次通过普克尔盒时,偏振面又转动45°,这时光就不能通过起偏器,所以腔内Q值很低,当普克尔盒的偏置电压被高速切断时,腔内Q值突然上升就产生巨脉冲激光输出。电光开关必须与泵浦同步。电光开关速度高,开关时刻可精确控制,但开关性能受电光晶体的品种和质量影响很大。     

激光晶体自偏振效应对调Q激光输出特性的影响

本文用激光振荡的阈值理论分析了具有自偏振效应的激光晶体在腔内无附加起偏器时的电光调Ｑ特性,获得了最大泵能和输出能量的理论公式。     

激光偏振编码制导中CdTe晶体编码技术研究

针对激光驾束制导系统光束能量调制方式的原理缺陷,讨论了用电光晶体的电光效应实现空间偏振编码的原理.对适于10.μm激光的CdTe晶体的电光效应进行了理论分析,在此基础上设计了基于普科尔效应的空间偏振编码调制器.确定了X,Y,Z轴方向加电场具有相同的效应,采用横向运用方式,使得经过编码器后的线偏振光形成最上方近似右旋圆偏振光到中间的线偏振光再到最下方的左旋圆偏振光的偏振态梯度分布,从而实现对弹的偏振制导.     

KTP（KTiPO4）晶体电光开关研究

介绍了ＫＴＰ晶体电光开关的设计;利用体式ＬｉＮｂＯ３晶体、ＫＤ＾＊Ｐ晶体和ＫＴＰ晶体做了光开关（斩波）实验。在开关脉冲宽度１２０ｎｓ￣１２００ｎｓ,升降沿５ｎｓ的情况下,实验证实ＬｉＮｂＯ３晶体开关过程伴有严重的压电耦合振铃结构,不能做为体式光开关工作;而ＫＴＰ开关的综合性能是最好。     

LDA端泵浦电光调Q脉冲输出特性研究

利用晶体的电光效应制成脉冲式Q开关(PRM),实现谐振腔中反射镜的部分反射而形成激光振荡.激光介质为Nd:YAG,采用300W准连续LDA(激光二极管阵列)端面泵浦,表面加微柱透镜和透镜导管进行光耦合,传输效率75%,电光晶体为KDP,平-凹腔结构,腔内放置介质膜起偏器,腔长11cm,退压式调Q,设计了实用的退压调Q电路,Q开关后沿触发,改进了硅光电二极管弱光测量电路,输出脉冲被调制,输出脉宽11ns,光-光转换效率10.8%,输出单脉冲能量4mJ,对实验结果进行了分析讨论.     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

深紫外光栅反常偏振器件的设计与分析

为实现金属光栅偏振器件在光刻机偏振照明系统中的应用,基于共振域光栅的反常偏振效应,提出一种以二氧化硅为基底、铝与氟化镁作为栅线材料的介质-金属光栅偏振器。与传统的亚波长金属光栅偏振器相比,该偏振器的光栅周期接近入射波长(0.19～0.20μm),表现出透射TE偏振光、反射TM偏振光的反常特性。由时域有限差分算法(FDTD)的数值模拟结果可得,当波长为0.193μm的光垂直入射时,该光栅偏振器对TE偏振光的透过率大于60%,偏振消光比大于180。与具有相同结构参数和栅线材料的单层金属光栅偏振器相比,该介质-金属光栅偏振器在深紫外波段具有良好的偏振性能,TE偏振光透过率提升了约10%,偏振消光比提升了4.5倍左右(在0.193μm波长下)。     

加电旋光晶体La3 Ga5 SiO14中光的传播方程的研究

为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的表达式,并利用几种简单的光学器件在实验上得到了很好的验证。利用光的传播方程和实验的结果,推算出硅酸镓镧晶体电光系数1γ1=2.1×10-12m/V,与以前测量的结果吻合得很好;找到了利用旋光晶体制作电光开关应该满足的条件,给出了一种制作方法,在实验上得到了很好的实现,从而证实了旋光晶体作为电光开关材料的可行性。     

用低压KTP普克尔盒和微带传输线进行调Q长脉冲的任意整形

利用新电光材料ＫＴＰ晶体的有效电光系数γｃ１,制成电光开关,实验研究了它的热光效应。成功地用它对输出脉宽为５０ｎｓ的ＮｄＹＬＦ单纵模调Ｑ激光削波整形。实验表明,ＫＴＰ普克尔盒的半波电压低及电容小,配合微带传输线后,能够获得脉宽为１～１０ｎｓ,形状几乎任意可调的整形脉冲,改变了过去那种只把普克尔盒当作简单的削波元件、而无整形能力的状况。并提出了采用双块晶体、补偿结构ＫＴＰ普克尔盒的设想     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

LPS-Ⅱ激光稳功率仪

本仪器主要由He-Ne激光器、铌酸锂电光调制器、伺服控制电路组成,其工作原理如图1所示。由于He-Ne激光器输出为线偏振光,为避免增加损耗,光路中省去了起偏器。光路中当在z轴通光的铌酸锂电光晶体的。方向加上的电压发生变化时,由于晶体的电致双折射效应,故使通过该晶体线偏振光的偏振度发生变化,这样通过检偏器后的光强也就发生了变化,本仪器中电光调制器采用如图2所示的正交偏光工作方式,图中Ⅰ为激光功率,V_w     

半导体光放大器的偏振光开关性能改进

半导体光放大器(SOA)非线性偏振旋转效应的光开关具有开关速度快、易集成等优点,其开关操作可以通过改变注入SOA中的电流而获得。这种偏振光开关的性能主要受注入光功率与控制电流的大小范围来决定。基于SOA中的偏振主态的概念,分析了非线性偏振旋转效应与控制电流的关系,并对不同功率的注入光进行了偏振旋转实验,分别实现了偏振光开关的操作。实验结果表明:随着注入光功率的增加可以提高光开关的分光比,有效改进光开关的性能。当注入光为5 dBm时,光开关的分光比与消光比均可达到30 dB。     

线-圆双偏振态光束抽运有机聚合物全光开关

为了有效降低偶氮苯聚合物薄膜全光开关信号的本底,提高全光开关信号的调制深度,利用线偏振光合成圆偏振光的原理,设计了一种新的线-圆双偏振态光束抽运光路。实验用532 nm光作为抽运光,632.8 nm的He-Ne激光作为探测光。532 nm的光先分为功率相等但偏振正交、相位差为π/2奇数倍的两束线偏振光,然后再合成一束抽运光。通过调制其中的一束来实现线偏振与圆偏振抽运光之间的转换,从而实现样品光致双折射的产生与擦除。以掺杂分散红1(DR1)的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜(PMMA)为样品进行实验。结果表明,用此光路,样品全光开关信号的调制深度达到92%,远远高于传统的单一线偏振光束抽运光路的实验结果。     

线偏振光通过多个任意厚度波片的偏振态

为了研究线偏振光通过多个任意厚度波片后的偏振态,利用线偏振光叠加的方法,对两个晶体光轴夹角为45°的不同厚度波片计算了透射的两个正交线偏振光的强度和相位差,由此得到叠加后的偏振态及透射光总强度,并分析了它们随波片延迟量、入射光方位角的变化关系。结果表明,透射光的偏振态由后面波片的延迟量决定,强度由前面波片的延迟量和入射线偏振光方位角决定,同时说明正反向使用时,透射光的偏振态和强度一般不同。该研究结果可用于类似结构退偏器（如Lyot退偏器）的分析。     

灯泵浦Cr~(3 ):LiCaAlF晶体可调谐Q开关激光器

报道了闪光灯泵浦掺铬氟化铝钙锂（ＣｒＬｉＣＡＦ）可调谐、Ｑ开关激光器的实验结果。调谐范围为７３０～８５０ｎｍ，峰值波长为７８０ｎｍ。激光最大输出能量为１．６２Ｊ，斜率效率为０．８％，阈值为５０．４Ｊ。ＫＤ＊Ｐ晶体电光调Ｑ，单脉冲半宽度为４８ｎｓ，峰值功率为１．３×１０６Ｗ。     

掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响

掺杂焦磷酸的情况下降温生长了ＫＤＰ晶体,采用激光层析法对晶体的光散 观察,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧;晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同,其原因在于焦酸对ＫＤＰ晶体的锥面和锥面的影响不同。     

405KDP晶体高效二倍频的实验研究

４０５ＫＤＰ晶体高效二倍频的实验研究任兆玉，张纪岳（西北大学物理系，７１００６９）庄斗南，于桂秋，雷仕湛（上海光机所，２０１８００）本文报导了用ＫＤＰ晶体Ⅱ类相位匹配二倍频的实验研究。根据理论计算，选择最佳倍频参数对接棒钛玻璃、染料调Ｑ、锁模激光进行...     

磷化镓二极管光调制器

应用电发光半导体二极管进行光调制的方法已为人们所知道,最近,人们又使外来光源的输出光在磷化镓二极管的作用下实现了光调制.我们知道,光发射二极管的光调制方法有许多种,例如,变化正向偏压、应用电光或磁光效应、直接变化能级或激光器的共振特性.磷化镓调制器应用的是电光效应,使偏振晶体产生双折射性.二个合成偏振光成     

基于准相匹配线性电光效应的激光偏振态操控

基于周期性极化铌酸锂(PPLN)晶体的准相位匹配线性电光效应,利用邦加球理论,晶体在不同占空比和温度下,探索了输出激光偏振态随外加电场的演变规律。研究结果发现,激光偏振的演变对外加电场E0、晶体占空比D和温度T0非常敏感; 若T0=273K, D=0.25、0.5和0.75,随着E0的增加,输出偏振态成周期性演变; 当D为0.75,且T0为263K、293K和313K时,输出偏振态的演变表现为无规则性。合理选择一定的外加电场、占空比和温度,可以实现任意偏振光。这些结果有助于PPLN偏振控制器的优化设计。     

KDP二维声电光器件

使用ＫＤＰ晶体作为声电光互作用介质制作了二维反常喇曼奈斯声电光器件,分析了这种器实现激光的二维偏转与强度调制的工作原理,并测量了调制曲线。