中国半导体产业正千帆竞发

2005年是全球半导体市场先低迷后复苏的一年，是中国半导体市场继续增长但有所减速的一年，也是中国半导体产业链日臻完善的一年。展望2006年，全球半导体市场将日渐趋好。中国半导体产业仍然是全球的最亮点。据中国半导体行业协会（CSIA）的最新报告，中国集成电路产业依旧保持了稳定较快增长的势头，2005年全年国内集成电路产业总产量为261．1亿块，同比增长19％，全行业其实现销售收入702．1亿元，同比增长28．8％。     

中国半导体产业将逆市而进

中国的半导体产业,在2000年18号文件出来后,发展很快,但2008年受金融危机影响下降幅度很快,如何在危机中求进并且寻机发展,8月20日,深圳,由中国半导体行业协会主办,分立器件分会、华强电子网等联合承办的“2009中国半导体分立器件市场年会”上,中国工程院院士许居衍就半导体发展的过去与未来,及其与全球宏观经济环境的关系,与参会嘉宾进行了详细的探讨。     

高速半导体激光二极管的微波特性研究

本文通过测试器件的微波S参量,对半导体量子阱激光二极管的微波特性进行了深入的研究。在计及器件本身特性以及器件在微波频率下的寄生参量的前提下给出了器件微波等效电路和相应的数字模拟方法。由测量出的微波S11参量建立适当的目标函数,选择正确的计算方法,成功地模拟出电路各参量。实际计算结果与测出的器件S11参量比较,表明我们给出的等效电路是正确的,相应的计算方法是成功的。     

高速半导体激光二极管的微波特性研究

本文通过测试器件的微波Ｓ参量，对半导体量子阱激光二极管的微波特性进行了深入的研究。在计及器件本身特性以及器件在微波频率下的寄生参量的前提下给出了器件微波等效电路和相应的数字模拟方法。由测量出的微波Ｓ１１参量建立适当的目标函数，选择正确的计算方法，成功地模拟出电路各参量。     

砷化镓：应用广泛的半导体材料

砷化镓(GaAs)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。目前全球砷化镓单晶的总年产量已超过200吨，3英寸～4英寸Si-GaAs已投入大量生产。2001年北京有色金属研究总院成功研制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家，这标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。     

半导体微波器件的进展

电子管的发明距今已有五十多年了.在这期间,电子技术获得了飞速的发展,而电子管亦被誉为电子学的心脏,电子工业的支柱.然而,1948年晶体管出现后,电子管的实力地位开始改变.这是由于半导体器件具有体积小、重量轻、寿命长、用电省等许多优点;特别是近年来集成电路的发展,使这些特点更为突出;随着工艺日趋成熟,价格也将进一步降低;于是出现了半导体器件能否全部取代电子管这样的问题.当然,     

中国手机厂商正为品牌而战

从CES到MWC(世界移动大会),中从国的手机厂商大概是全球最忙的参展商,几乎叫得上号的中国手机厂商,都在高调宣称自己推出的是拥有最新理念、最新技术、最高配置的手机,反倒是苹果寂静得好像消失了。     

一种用途广泛的半导体激光遥控器

<正> 在日常生活中,人们经常使用彩电遥控器、空调遥控器等控制器具,但是这类遥控器的作用距离有限,一般仅在十多米范围内。本文介绍的小型袖珍式定向遥控器,作用距离可达数百米至数公里,在遥控爆破、遥控开关、远距离警戒等许多方面有实用价值。     

微波器件的最佳半导体材料

微波器件最好的半导体材料硅和砷化镓,由于电子漂移速度饱和在相当低的数值,使其性能受到了限制。可以认为,InAs-InP 合金能给出较好的特性。由 Monte carlo 技术详细计算了漂移速度。计算表明,一些合金能够给出大于4×10~(17)厘米/秒的漂移速度。     

半导体三极管微波振荡器的现状

叙述了半导体三极管中小功率微波振荡器现状，主要包括三个方面，一是半导体硅三极管微波源；二是场效应管微波源；三是关于微波新器件，新技术对微波源发展的促进，还对各方面的未来发展作了预测性的估计。     

LID形式的微波硅半导体二极管

由于在至15千兆赫的微波范围内引入微波集成电路技术,有必要研制相应的元件。通用电器-德律风根公司为此种微波电路研制了 LID 形式的硅二极管。LID 二极管(无引线变换器)由一条约1毫米长的陶瓷桥板组成,其凹处承接引线的硅片。它可直接焊入电路。有4种型号可提供:用于12千兆     

多功能示波器应对广泛而复杂的测量需求

低迷经济形势带来的冲击,并没有阻挡人们对更多功能、更好体验产品的追求,电子行业创新的脚步也从未停止,复杂的嵌入式系统、新型的串行总线和并行总线协议已经深入到各种应用中,对测试设备的要求也越来越全面且细化。日前,业内两大示波器供应商,分别推出了自己的新产品,应对新的测试要求挑战。     

交错式单管正激变换的半导体激光器电源研究

为了简化半导体激光器电源的电路结构、提升其电能转换效率、实现输出电流的快速动态响应,采用单管正激变换的并联交错技术,设计出一种2kW单级变换的开关型直流驱动电源。测试并分析了电源的静态特性、动态特性及电能转换效率。结果表明,电源的效率高达85%;输出电流0A～100A的上升、下降时间仅为1ms;满载100A工作时,输出电流的纹波系数仅为0.04%。与两级串联结构的半导体激光器电源相比,电源的效率得以提升,输出电流的动态响应速度迅速,满足激光加工的要求。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

基于微波整流的半导体开关无线控制

针对有源电子标签及传感器节点低功耗唤醒模块的需求,设计了一种基于微波整流的半导体开关无线控制方法。通过微波整流之后的直流输出电压来控制半导体开关的状态,进而控制唤醒电路的直流电源通断,利用半导体开关关断状态下漏电流极低的特点,确保设备在休眠期达到极低功耗,从而延长标签及节点电源的工作时间。文中的微波整流设计主要以实现最大化直流输出电压为目标,整流天线部分采用双单元的整流阵列设计。仿真与测试结果表明,每一路天线接收到-18 dBm的射频功率时,直流输出电压可达到典型的CMOS开关控制所需的最低电平(1 V)。     

中国半导体产业发展演变研究

<正>1956年,经过几年的恢复建设中国工业逐步走上正规,但当时电子工业在中国基本还是一片空白,为此,我国提出"向科学进军",根据国外发展半导体产业的进程,国务院制订了"20年科学技术发展远景规划"明确了中国发展半导体的决心。这是     

第一届中国半导体创新产品评选结果进行二周公事

中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报和赛迪顾问股份有限公司联合举办的“第一届（2005-2006年度）中国半导体创新产品评选”活动，参加评选的产品或技术有会员单位自荐、协会分会和地方协会推荐，范围包括集成电路产品、半导体器件、半导体设备和仪器、半导体专用材料、集成电路设计技术、集成电路制造技术和封装与测试技术。经评选委员会按照条件进行综合评价，“第一届中国半导体创新产品评选活动”，共评选出30项产品。[第一段]     

化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展

介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展，着重叙述了各种异质结场效应管，异质结双极管体管和双极场效应管的特点，发展水平和新型器件结构。     

化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展

介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展，着重叙述了各种异质结场效应管、异质结双极晶体管和双极场效应管的特点、发展水平和新型器件结构。