硅微波功率晶体管

研制了一种在4千兆赫的频率下具有3瓦输出功率的硅平面NPN 晶体管。是由小信号晶体管的并联来实现的。功率晶体管特有的热问题由银做成的热沉来加以解决。本文叙述了功率晶体管的设计,功率晶体管特有的制造技术及其特性。     

使用短沟道硅金属氧化物半导体场效应管的长波长光接收机

最近对细线工艺的改进产生了沟道长度为0.2～0.8μm的硅金属氧化物半导体场效应管(Si-MOSFET)。我们测量了这些管子的低频噪声,发现比类似的砷化镓金属肖特基场效应管(GaAs-MESFET)的噪声小。有关FET噪声的理论研究和在45Mb/s的实验结果表明,在混合的光电放大器电路中,Si-MOSFET可与GaAs-MESFET相匹比较。     

高性能功率场效应管

日本松下电子工业公司研制成通态电阻为270毫欧/毫米~2的场效应晶体管.该器件采用了在硅衬底上开沟,在其侧面形成沟道的纵向垂直的侧壁结构.功率场效应管与双极性晶体管相比,具有工作速度高、     

N沟道耗尽型DMOS场效应管

由西安春秋视讯技术公司经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管主要有输入阻抗高、输入电容低、开关速度快、导通电阻低、输入输出漏电流和防止二次击穿等特性。该系列器件可广泛用于常开开关、转换、恒流源、固态继电器、线性放大器、电源电路及通信等装置和系统。西安春秋视讯公司所经销的耗尽型ＤＭＯＳ场效应管具有Ｔ０-９２、Ｔ０-２２０和Ｔ０-２４３ＡＡ三种封装形式。表中是该系列器件的主要参数及对应型号。西安春秋视讯公司电话:０２９-８３１３９７２N沟道耗尽型DMOS场效应管     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ （ＬＤＭＯＳ, ＶＤＭＯＳ） 的发展概况, 叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能、特点与ＢＪＴ进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。     

硅功率微波单片集成电路

本文简述了硅功率微波单片集成放大器的电路设计、工艺制作和电路性能。该电路工作频率为50～500MHz,1dB压缩点输出功率P_(-1)≥500mW,功率增益G_P=13～15dB,增益平坦度△G_P=±1dB,驻波比1:2。     

硅微波双极功率晶体管概况

<正> 一、引言六十年代初硅双极功率晶体管的研制开始进入微波领域,从那时起功率晶体管开始闯进长期以来为电子管牢固独占的微波电子管阵地。整个六十年代尤其到七十年代头几年硅微波双极功率晶体管雨后春笋般地向频率更高、功率更大的方向飞速发展。1965年E.O.Johnson 发表了晶体管的功率频率极限问题的研究。梳状图形的结构出现较早,接着出现了复盖图形结构,1967年出现了网状发射极结构,70年又出现了菱形结构。由于微波波段同低频、高频和超高频相比有频率高、频带宽的优点,因此微波功率晶体管很     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ,ＶＤＭＯＳ）的发展概况,叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能,特点与ＢＪＴ进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。     

Microwave Power GaAs FET Amplifiers

The development of broad-band microwave amplifiers using state-of-the-art GaAs power FET's covering the 6-12-GHz frequency band is presented. A unique circuit topology incorporating an edge-coupled transmission line section for both impedance matching and input/output dc blocking is described. The microstrip circuit design of an X-band 1-W 22-dB-gain GaAs FET amplifier is also discussed. Microwave performance characteristics such as intermodulation, AM-to-PM conversion, and noise figure are included.     

GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究

为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统，选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验，并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势，初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2．45eV，为道温度110℃时，10年平均失效率4Fit，平均寿命75137×1011h。     

微波功率FET的大信号定模

叙述了一种新的功率ＦＥ定模方法,它利用在功率谐波测量与优化计算相结合,具有简单、方便、准确的优点．给出了实际测量结果。     

微波功率管测量的微波辐射分析与防护

该文介绍了微波辐射防护的理论知识和安全标准,以及微波功率管测量系统的配置和测量流程。对测量系统的微波电磁辐射进行了分析,列举了在微波功率管测试工作中采取的一些防护措施和测评结果,阐述了使用程控化测量系统对微波辐射防护的益处。     

微波GaAs FET功率放大器的一种建模与互调计算方法

本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理论分析的麻烦．结果表明，理论与实验甚为一致．     

Ku波段8W GaAs内匹配微波功率FET

Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...     

场效应晶体管微波参数测量

本文介绍了用作图法测量场效应晶体管的噪声参数,用网络分析仪测量散射参数(s参数)的方法。给出了国产WC50型低噪声砷化镓场效应晶体管在C波段的噪声参数及在C、S波段的s参数。用测出的s参数设计的C波段场效应晶体管放大器获得了初步良好的结果。     

新型的功率器件--射频LDMOS

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。