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圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶磁场的设计计算 总被引:8,自引:1,他引:8
本文提出一种新型的圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶,它具有平面磁控溅射靶的优点.根据靶的结构与工作原理,给出了圆柱双面矩形磁控靶磁场强度计算数学模型及计算公式.依据该计算方法,对具体的靶进行了计算机编程计算,并根据计算结果绘制出了靶磁场分布曲线.计算结果表明圆柱双面矩形磁控靶的磁场分布比较均匀,磁场强度满足磁控溅射功能的需要,其靶的溅射刻蚀区可宽达40°角的范围.从而提高了膜层的沉积速率及膜层沉积范围,改善了同轴圆柱形磁控靶由于环状磁场所引起的膜层不够均匀及靶材利用率低的问题,可以在靶磁场两侧的大面积平面基片上沉积出膜厚均匀的涂层. 相似文献
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超高真空射频磁控溅射镀膜机(双室三靶)及其应用 总被引:1,自引:1,他引:0
本文介绍了 JGP- 4 2 0型超高真空射频磁控溅射镀膜机的设计思想和研制过程 ,并讨论了在该机上进行硅片上沉积 Pt和 Si O2 膜层的实验情况。此文仅为此类机器及其工艺的发展提供一定的借鉴 相似文献
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磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种铜靶刻蚀形貌模拟方法,基于靶材溅射率与靶材表面磁场水平分量成正比的假设,以美国应用材料公司的小行星PVD磁控溅射装置为算例,实现了复杂运动轨迹铜靶刻蚀形貌的模拟,仿真计算结果与实际设备中铜靶刻蚀形貌有较好的一致性,为通过磁场分布研究靶材刻蚀形貌提供了一种理论方法。 相似文献
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结合生产实际,本文简单介绍了塑料表面真空蒸镀装饰膜的生产工艺中,底涂料涂装的作用,给出了不同基材塑料底涂料的选用条件,着重分析了不帘式喷涂设备的设计与使用方法。实践表明,采用这种喷涂设备,有利于净化喷涂环境,提高制品质量和工业化生产效率。 相似文献
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磁控溅射靶面磁感应强度的水平分布直接关系到靶材的利用率和刻蚀的均匀性.为了寻求更好的磁控靶结构参数,从而实现靶而水平磁感应强度的均匀分布,作者应用ANSYS软件对SD500型磁控溅射镀膜机的圆平面靶表面磁感应强度进行模拟,应用SHT-V型特斯拉计通过同心十字线法对实物靶表面磁感应强度进行测试,将模拟结果与测量结果进行比较,证明其模拟的准确性.进而对圆平面磁控靶的结构参数进行优化设计,得出靶与磁钢间距为3 mm、磁钢高度为15 mm、内磁柱半径为4 mm、内磁柱高度为14 mm时靶面水平磁感应强度最强、分布最均匀.在工程应用中,设计人员可以预先对靶的参数进行优化设计,使设计的磁控溅射靶更好的满足生产和科学研究的需要. 相似文献
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Inverted cylindrical magnetron sputtering (ICM) is a reliable and reproducible method for the production of HTSC thin films. This allows systematic studies of film growth as a function of various deposition parameters, including film thickness, substrate material, or buffer layers. After describing in some detail the special demands on sputtering devices for HTSC thin film growth, we report the growth conditions and growth quality of 1–2–3 films of different orientation on substrates such as SrTiO3 and MgO. Furthermore, we report on the growth of buffer layers of YSZ onR-plane sapphire. Epitaxial GdBa2Cu3O7 films grown on these buffer layers showed critical current densities of 3×106 A/cm2 at 77 K and a zero resistance transition temperature of 92.5 K. 相似文献
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目前液压杆件基本上采用电沉积的方法在基体表面沉积一层Cr膜,以此来满足其耐热、耐磨和抗腐蚀要求,但电沉积Cr不但浪费能源而且对环境和人体健康有着极大的伤害.本文利用非平衡磁控溅射的方法在45#钢表面获得6μm左右的Cr-CrN多层膜,通过对膜层进行物理性能测试、盐雾试验以及装车磨损寿命试验,结果表明利用非平衡磁控溅射方法在液压杆件基体上沉积CrN不仅可取代电沉积Cr,而且使用寿命大大提高. 相似文献
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磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素.本文用有限元 分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particle in cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopping and range of ions in matter)模拟了靶材的溅射特性,得到了靶材的刻蚀形貌和刻蚀速度,并讨论了不同工作气压和不同阴极电压对靶材刻蚀的影响.模拟结果表明:靶材刻蚀形貌与磁场分布有关,磁通密度越强,对应的靶材位置刻蚀越深;靶材的刻蚀速度随阴极电压的增大而增大,而当工作气压增大时,靶材的刻蚀速度先增大后趋向平衡,当工作气压超过一定的值时,刻蚀速度随气压的增大开始减小.模拟结果与实验观测进行了比较,二者符合较好. 相似文献
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介绍了设备的结构、组成及工作过程,对新型矩形双平面磁控溅射阴极及有关的各阴极进行了分析、比较. 相似文献
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用磁控溅射及光刻工艺制成了5μm×5μm的Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达17μV。测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性。 相似文献
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W. G. Luo A. L. Ding K. S. Chan G. G. Shi A. Cheng E. C. M. Young 《Journal of Superconductivity》1992,5(3):239-244
We have used stoichiometric Y1Ba2Cu3O7–x
powder as magnetron sputtering target to deposit high-quality high-T
c
superconducting thin films on MgO, SrTiO3, and ZrO2 substrates. The zero-resistance temperatures are 86–88 K, and the 77 K zero-field critical current density is 8 × 105 A/cm2. The films are highlyc-axis oriented. Films deposited on 10 × 10 × 1 mm3 ZrO2 substrates have surface resistances below 25 m at 77 K and 94 GHz. Using powder targets instead of bulk targets has the following advantages: simple and low-cost target preparation, simple target replacement, and versatility for large-area deposition. 相似文献