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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
采用提拉法生长出了一系列不同Cr3+(0.8%~8%,摩尔分数)不开裂、无明显散射颗粒、无气泡的Cr:LiSAF晶体毛坯,尺寸从φ 25mm,φl29 mm×135 mm到φ226 mm,φl30 mm×158 mm不等. 测定了晶体中的散射损耗约为1×10-3 cm-1. 详细讨论了引起晶体开裂的主要原因,并在此基础上基本解决了晶体开裂的难题.  相似文献   

2.
采用提拉法生长出了一系列不同Cr3+(0.8%~8%,摩尔分数)不开裂、无明显散射颗粒、无气泡的Cr:LiSAF晶体毛坯,尺寸从φ 25mm,φl29 mm×135 mm到φ226 mm,φl30 mm×158 mm不等. 测定了晶体中的散射损耗约为1×10-3 cm-1. 详细讨论了引起晶体开裂的主要原因,并在此基础上基本解决了晶体开裂的难题.  相似文献   

3.
以K2HPO4、KH2PO4、H2O2的混合水溶液为矿化剂,以熔盐法生长的KTP为培养料,采用水热法,生长出了尺寸为24mm×14mm×60mm(a×b×c)磷酸钛氧钾(KTP)晶体.分析了水热条件下KTP晶体的形貌和结晶习性,并对(100)面上出现高指数面的原因进行了研究.  相似文献   

4.
1 实验实验用主要原料为电熔刚玉(w(Al2 O3 )≥98.5 % )、硅灰(w(SiO2 )≥92 .9% )、碳化硅(w(SiC)≥97.6 % )、沥青粉(w(C)≥4 9 .7% )和纯铝酸钙水泥等。按表1的配比配料,在混砂机内加水混合,用4 0mm×4 0mm×1 6 0mm模具振动成型;室温下养护2 4h后脱模,于1 1 0℃干燥2 4h ;再从每个配方的试样中取部分试样置于高温炉中,加热到1 4 5 0℃后保温3h ;测定各试样的显气孔率、体积密度、抗折强度和耐压强度。表1 试样的配比(w) %试 样0s 1s 2s 3s电熔刚玉73 71 70 68αAl2 O3粉5 5 5 5水泥5 5 5 5SiC 1 4 1 4 1 4 1 4沥青粉3 3 3 3硅灰…  相似文献   

5.
以CaB4O7为助熔剂生长出尺寸为31 mm×32 mm×12 mm、质量较好的掺Yb3+的摩尔分数分别为10%,15%的Yb3+∶La2CaB10O19(Yb3+∶LCB)单晶,生长工艺参数是降温速率<0.5 ℃/d,转速<12 r/min.测试了晶体的X射线粉末衍射谱、透射光谱和粉末倍频效应,结果表明Yb3+∶LCB晶体的粉末衍射峰与LCB的衍射峰一致;Yb3+∶LCB晶体在925, 975 nm附近有明显的吸收峰,其中975 nm附近吸收很强;倍频效应与KDP同一量级.  相似文献   

6.
采用提拉法生长出钨酸铋钠晶体[分子式NaBi(WO4)2, 简称NBW].生长过程中, 对影响晶体开裂的原因进行了详细的分析, 设计了合理的工艺参数 液面上下10mm内的温度梯度为0.8 ℃/mm, 径向温度梯度小于0.3 ℃/mm.拉速为2~4 mm/h, 转速为10~15 r/min, 降温速率为25 ℃/h, 生长出尺寸为45 mm×35 mm的高质量的钨酸铋钠晶体.X射线衍射分析结果表明, NBW晶体属于四方晶系,空间群为I41/a.光透射测试结果表明了NBW晶体的抗辐照损伤能力强;发射光谱分析发现它的发射峰值位于可见光绿光波段.  相似文献   

7.
以NaF为助熔剂,BaAlBO3F2和NaF摩尔比为11.5,采用熔盐籽晶生长方法,沿[001]方向生长出尺寸为18 mm×18 mm×12 mm的BaAlBO3F2(BABF)晶体.晶体生长参数降温速率为2~4℃/d,晶体旋转速率为15 r/min.研究了BABF晶体的生长形貌,BABF晶体生长过程中,呈现出(001)和(100)晶面.测试了BABF的粉末倍频效应,其倍频系数约为KDP晶体倍频系数的0.8倍.室温下测试了BABF晶体的显微硬度,其(001)面与(100)面显微硬度分别为10.99 GPa和8.137 GPa.  相似文献   

8.
为禁止使用粘土实心砖并尽快推广应用粘土砖替代品 ,栾城县于 2 0 0 3年引进一条混凝土多孔砖生产线 ,生产的产品已大面积应用。本文介绍该产品的生产工艺、技术性能、施工工艺和经济效益。1 原材料及生产工艺所用原材料包括粗骨料石子 (4 8 3 % )、细骨料中砂(3 5 % )、普硅水泥 (<11 5 % )和粉煤灰 (5 2 % )。混凝土多孔砖的生产工艺如下 :2 制品技术性能该砖规格为 2 40mm× 115mm× 90mm ,8孔 ,单块抗压强度最高达 14 8MPa ,抗剪强度约为设计要求的 2倍 ,各项指标符合标准 (见表 1)。该砖所砌 3 70mm墙的保温效果相当于粘土砖 5 0 …  相似文献   

9.
Nd:NaBi(WO4)2晶体生长   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用Czochralski法生长出尺寸为φ8mm×20 mm的掺钕的钨酸铋钠[分子式:Nd:NaBi(WO4)2,简称:Nd:NBW]激光晶体,研究了生长工艺参数对Nd∶NBW晶体结构完整性的影响,确定了最佳的生长工艺参数:轴向温度梯度为0.7~1 ℃/mm,生长速率0.2~0.5 mm/h,晶体转速1~4 r/min.并利用了X射线衍射确定了Nd∶NBW晶体属于四方晶系,I41/a空间群,其晶格常数为a=0.527 5 nm, c=1.149 3 nm.通过TG-DTA分析了Nd∶NBW晶体的相关物理、化学性质,确定了其熔点为936.2 ℃,并与纯的钨酸铋钠晶体(分子式:NaBi(WO4)2,简称:NBW)进行了对比性研究.  相似文献   

10.
采用提拉法生长了掺杂5%(摩尔分数)Yb3+的Yb:Y3Al5O12(Yb:YAG)晶体,并对晶体生长工艺进行了研究。从理论上分析了生长速率、转速、热应力、晶体尺寸对晶体开裂的影响。确定的最佳工艺条件为:晶体放肩和等径生长速率分别为0.8mm/h和1mm/h;转速为15r/min;轴向温度梯度为0.01~0.05℃/mm。所得晶体的最佳直径为15~25mm。  相似文献   

11.
Lu2SiO5:Ce晶体生长中存在的主要问题   总被引:3,自引:0,他引:3  
秦来顺  任国浩  李焕英  陆晟  裴钰 《硅酸盐学报》2004,32(11):1361-1366
用提拉法生长了φ40 mm×60 mm的Lu2SiO5Ce(LSOCe)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀和挥发;(3)LSO晶体中的包裹体.生长LSO晶体过程中SiO2容易挥发,在籽晶夹和炉膛内结晶成方石英相,造成组分偏析;在高温下铱金坩埚会被熔蚀,铱则会直接挥发,熔体中出现铱金碎片,严重影响接种、缩颈工艺等,所生长晶体表面也会粘附很多铱金颗粒,采用双抽双充气的办法减弱了铱金的挥发,基本上克服了铱金的干扰;LSO晶体中出现的包裹物主要是Lu2O3,也有极少量的气孔,Lu2O3主要是由于固相反应不彻底和SiO2挥发引起的.  相似文献   

12.
NaBi(WO_4)_2晶体生长与开裂研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
钨酸铋钠 [分子式 :NaBi(WO4) 2 简称NBW ]是一种性能优良的闪烁晶体 .本工作采用提拉法生长出直径为 45mm ,高为 3 5mm的大尺寸NBW晶体 ,对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究 ,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系 .实验研究发现 ,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关 .并给出了制备无开裂优质NBW晶体的最佳生长工艺参数  相似文献   

13.
以K2 W2 O7为助熔剂 ,采用熔盐顶部籽晶 (TSSG)法生长出尺寸为 2 3mm× 2 0mm× 19mm的Nd∶KGd(WO4) 2 激光晶体 .比较了K2 WO4和K2 W2 O7两种助熔剂的性能及对晶体生长的影响 ,认为K2 W2 O7熔点较低可以有效地降低晶体生长温度 ,有利于控制晶体生长和生长环境 .进行了KGd(WO4) 2 -KNd(WO4) 2 系统二元相图的研究 ,认为两者互溶性好 ,有利于晶体生长 ,并且Nd3+ 易于以化学剂量比取代Gd3+ .采用XRD、偏光显微镜及TG -DTA对晶体性能进行了研究 ,实验表明所生长的晶体为高温相的 β -Nd∶KGW .用光学显微镜对晶体表面裂纹、生长条纹、生长丘、生长台阶和包裹物等缺陷进行了观察 ,认为它们形成的原因是由于晶体生长工艺不稳定 ,温度梯度过大 ,拉速和降温速率过快  相似文献   

14.
多种菊酯类农药在茶叶中的残留量分析方法研究   总被引:12,自引:5,他引:12  
黄雅俊  郑平 《农药》2003,42(1):16-17
采用SPBTM- 6 0 8(30m× 0 .2 5mm× 0 .2 5 μm)毛细管柱为分离柱 ,ECD检测 ,测定了茶叶中甲氰菊酯、功夫菊酯、氟氯氰菊酯、氯菊酯、氯氰菊酯、氰戊菊酯和溴氰菊酯等的残留。本方法对 7种农药的回收率范围为 85 .90 %~ 92 .5 3% ,变异系数为 1.10 %~ 7.0 5 % ,最小检出量为 0 .4~ 1.0×10 - 1 1 g。  相似文献   

15.
双掺锌钕铌酸锂激光晶体光学特性的研究   总被引:2,自引:5,他引:2  
采用提拉法在优化条件下生长锌钕双掺的铌酸锂晶体。Nd2O3和ZnO的掺入量分别为0.2%和6%(in mole)。提拉速度为1 mm/h,旋转速度为20 r/min,生长的晶体尺寸为φ30 mm×40 mm。晶体的红外光谱测试表明,Zn:Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸收蜂发生了劈裂,在3 483 cm-1和3 530 cm-1形成吸收,而Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸收峰在3 483 cm-1处形成吸收。通过光斑畸变法测得Zn:Nd:LiNbO3晶体的光折变阈值强度为1.82×104W/cm2,比Nd:LiNbO3晶体的1.62×103W/cm2高1个数量级;采用逐点扫描的方式测得Zn:Nd:LiNbO3晶体双折射梯度为3×10-5cm-1。,比Nd:LiNbO3晶体的双折射梯度6×10-4cm-1小1个数量级。用合适的泵浦光测试了晶体自倍频性质,在150℃时当泵浦脉冲光能为40 mJ时,晶体的自倍频输出光能为35μJ。  相似文献   

16.
郭志凯 《耐火材料》2003,37(2):123-124
所建 18 0 0℃ 5m3 燃油梭式窑的主要技术参数与技术经济指标为 :几何容积 5m3 ;内腔尺寸 2 4 2 0mm× 180 6mm×130 0mm ;台面尺寸 2 35 0mm× 16 16mm ;砖垛尺寸 2 16 0mm×15 30mm× 12 0 0mm ;装载量 7.2t;使用温度与保温时间 180 0℃ 10h ;窑温偏差 <10℃ ;CZGⅡ - 4 0型燃烧器 4台 ;燃料 -10 # / 0 # 柴油 ;最大燃油量 16 0kg·h-1;每窑耗油量 3.2t;燃料单耗 4 4 0kg·t-1;金属管式 (逆流 )换热器 ;空气预热温度 4 0 0℃。1 窑炉的结构设计特点1.1 轻体薄壁窑墙为节能和缩短使用周期 ,窑墙内层采用 1.5g·cm-3 的氧化铝空心球砖。…  相似文献   

17.
用改进的坩埚下降法生长PbWO4(Mo,Y)和纯PbWO4闪烁晶体.对切自毛坯晶体籽晶端的23 mm×23 mm×20 mm六面抛光样品进行了吸收光谱、超短脉冲X射线激发荧光寿命、光产额和辐照损伤性能的测试.结果表明Mo,Y双掺杂能显著增强PbWO4晶体的辐照硬度,在35 Gy/h的剂量率下辐照24 h后,纯PbWO4晶体的光产额变化率为52.4%,而PbWO4(Mo,Y)晶体的光产额变化率仅为17.5%.Mo,Y双掺杂也改善了PbWO4晶体在350~420 nm范围内的光学透过性能,并且PbWO4(Mo,Y)晶体的平均发光衰减时间缩短为8.5 ns,较之纯PbWO4晶体(15.2 ns)更快.  相似文献   

18.
采用助熔剂法生长了0.5%(质量分数,下同)Cr4+:Ca2GeO4激光晶体。用X射线衍射(X-ray diffractometer,XRD)、吸收光谱及荧光光谱研究了晶体的相组成和光谱性能。XRD分析表明,获得的晶体为低温γ-Ca2GeO4相,镁橄榄石结构,空间群为Pbam。光谱分析表明:Cr4+:Ca2GeO4晶体在600~800 nm范围内的吸收峰对应Cr4+的3A2→3T1能级跃迁;晶体在1 000~1 200 nm的近红外区域的弱吸收带归因于Cr4+离子的3A2→3T2能级跃迁。室温下0.5%Cr4+:Ca2GeO4晶体荧光光谱的最强荧光发射峰值位于1 317 nm处,这归属于Cr4+的3T2→3A2能级跃迁,荧光寿命为7.9μs,发射截面为4.61×10–19 cm2。  相似文献   

19.
采用Czochralski法生长出尺寸为 8mm× 2 0mm的掺钕的钨酸铋钠 [分子式 :Nd∶NaBi(WO4) 2 ,简称 :Nd∶NBW ]激光晶体 ,研究了生长工艺参数对Nd∶NBW晶体结构完整性的影响 ,确定了最佳的生长工艺参数 :轴向温度梯度为 0 .7~ 1℃ /mm ,生长速率 0 .2~ 0 .5mm/h ,晶体转速 1~ 4r/min。并利用了X射线衍射确定了Nd∶NBW晶体属于四方晶系 ,I41 /a空间群 ,其晶格常数为a =0 .5 2 75nm ,c=1.14 93nm。通过TG -DTA分析了Nd∶NBW晶体的相关物理、化学性质 ,确定了其熔点为 936.2℃ ,并与纯的钨酸铋钠晶体 (分子式 :NaBi(WO4) 2 ,简称 :NBW)进行了对比性研究  相似文献   

20.
用提拉法生长了40mm×60mm的Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题:(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀和挥发;(3)LSO晶体中的包裹体。生长LSO晶体过程中SiO2容易挥发,在籽晶夹和炉膛内结晶成方石英相,造成组分偏析;在高温下铱金坩埚会被熔蚀,铱则会直接挥发,熔体中出现铱金碎片,严重影响接种、缩颈工艺等,所生长晶体表面也会粘附很多铱金颗粒,采用双抽双充气的办法减弱了铱金的挥发,基本上克服了铱金的干扰;LSO晶体中出现的包裹物主要是Lu2O3,也有极少量的气孔,Lu2O3主要是由于固相反应不彻底和SiO2挥发引起的。  相似文献   

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