单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117

IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制,同时剖析了它的内部结构和工作原理,最后给出了其典型应用电路图和应用举例。     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域。这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的JGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

Diodes推出全新MOSFET栅极驱动器

2015年1月8日,Diodes公司推出一对额定值1 A的40 V紧凑型栅极驱动器—ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封装)和ZXGD3009DY(采用SOT363封装)可缩减MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开     

浅析MOSFET高速驱动器电路设计

通过对MOSFET转换过程的分析，得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项，得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域，这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的IGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

利用低端栅极驱动器IC进行系统开发

利用低端栅极驱动器IC可以简化开关电源转换器的设计,但这些IC必须正确运用才能充分发挥其潜力,以最大限度地减小电源尺寸和提高效率.如何根据额定电流和功能来选择适当的驱动器,驱动器周围需要哪些补偿元件,以及如何确定热性能等是设计时要注意的方面.     

MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路（六）

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

6AN沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LTC4441新的高可靠性(MP级)版本,该器件是一款6 A N沟道MOSFET栅极驱动器,在-55°C至125°C的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC/DC控制器的输出功率     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

BM6103FV-C：栅极驱动器

罗姆株式会社推出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”,适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的,片上变胜器工艺技术,内置了绝缘元件的栅极驱动器,有助于逆变器电路的小型化。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

Intersil推出新型大电流MOSFET栅极驱动器ISL6615

Intersil公司日前宣布推出高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。     

IGBT栅极驱动器FAN8800及其应用

FAN8800是Fairchild公司生产的IGBT驱动器单片IC，可用于驱动分立和模块式IGBTs，也可用来驱动功率MOSFET。文中介绍了FAN8800的特点，功能以及应用电路。     

IR推出新型三相栅极驱动IC

国际整流器公司前不久推出了新款三相栅极驱动IC系列产品IRA233x（D），主要应用于包括永磁电机驱动的空调、洗衣机、泵和电风扇，以及微型、迷你型和通用变频器驱动在内的高、中和低压电机驱动应用。IRS233x（D）是一款采用参考输出通道的高压、高速功率MOSFET和IGBT三相桥驱动器，在高达20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA／420mA的驱动电流。     

高轻负载效率MOSFET栅极驱动器

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升／下降时间，支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。     

使用栅极电阻控制IGBT的开关

用于控制、调节和开关目的的功率半导体需要更高的电压和更大的电流。功率半导体的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的＋15V控制电压（VG（on））,IGBT导通,负输出电压为-5…-8…-15V时,IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数,从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。