PMN—PZT压电陶瓷电疲劳研究

研究了电场强度、电源频率、晶粒尺寸及掺杂Ｓｎ元素等对常压烧结ＰＭＮ－ＰＺＴ压电陶瓷电疲劳的影响。并对ＰＭＮ－ＰＺＴ压电陶瓷电疲劳机理进行了初步的探讨。     

大功率PZT材料锰掺杂改性研究

用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＳＲ结合常规电性能测试手段,研究了锰掺杂对两类大功率ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响。结果表明：随着锰含量的增大,三角晶相含量增多,准同型相界相应向四方相移动。锰在ＰＺＴ材料中主要以Ｍｎ＾２＋和Ｍｎ＾３＋的方式共存。锰在ＰＺＴ陶瓷材料中“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％。添加少量的锰有利于ＰＺＴ材料晶粒的长大及压电性能的改善,而过量的锰则会在晶界积聚,抑制晶粒的长大,并使材料的压电性     

PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究

本文研究了准同型相界处铌镁酸铅－钛酸铅陶瓷材料的介电压电性能,合适的组份和烧结,可使ＰＭＮＴ陶瓷材料具有较好的压电性能,ｄ３３达５４０ｐＣ／ＮＭ,ｋｔ达０．５０以上,观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构,烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大,亦可造成晶粒快速生长,对化学组成和微观结构与压电性能的关系进行了讨论。     

PZT95／5型铁电陶瓷复合烧结研究

本文研究了ＰＺＴ９５／５型铁电陶瓷的复合（层叠）烧结，Ｎｂ２Ｏ５添加剂含量不同的两组份层叠形成的复合之间存在一个扩散界在层，组成间Ｎｂ含量浓度梯度差值越大，扩散界面层厚度越大。理论分析表明，烧结工艺对扩散界面层厚度一的影响，烧结温度赵高，保温时间越长，扩散界面怪厚度越大。     

陶瓷材料烧结致密化过程的元胞自动机模拟

为研究陶瓷材料烧结致密化过程,以晶界能和晶界曲率生长驱动力理论为基础,建立了含有气孔的二相晶粒生长的元胞自动机模型,对陶瓷材料烧结致密化过程进行了模拟,并与制备的Al2O3/TiN陶瓷材料进行对比.结果表明,模型可有效地模拟陶瓷材料烧结时晶粒的生长及气孔的湮灭情况,能较好地再现烧结致密化过程,模拟结果与制备的陶瓷材料微观形貌组织十分接近.     

水热法制备PZT纳米晶体微粉结构与热效应的分析

本文报道了水热条件下制备的ＰＺＴ纳米晶体微粉结构和热效应分析的研究结果，认为ＰＺＴ纳米晶粒尺寸为１２～１４ｎｍ，ＰＺＴ纳米晶体微粉粒度１３０ｎｍ左右，产生最显著的热效应和热失重时的温度分别为８１１．２６℃和９２４．７１℃，用传统固相法制备的ＰＺＴ微粉产生最显著的热效应和热失重时的温度分别为１２４３．４７℃和１２１３．２９℃，这对有效地降低ＰＺＴ陶瓷材料的烧结温度和有效防止ＰｂＯ的挥发有重要意义。     

塑料对0－3型锆钛酸铅压电复合材料性能的影响

研究了不同塑料尼龙１０１０和Ｅ－２０环氧树脂与锆钛酸铅（ＰＺＴ）复合而成的压电复合材料的压电性能，结果表明，尼龙１０１０－ＰＺＴ压电复合材料比Ｅ－２０环氧树脂－ＰＺＴ具有较低的饱和极化电场和较短的饱和极化时间，而且前者比后者具有更高的压电常数。     

Sn层PMN——PZT三元系压电陶瓷低温稳定性和压电性能影响的研究

制备了６种不同Ｓｎ含量的ＰＭＮ－ＰＺＴ压电陶瓷试样，深入研究了Ｓｎ添加剂对压电材料压电等性能的影响，用ＺＰＡ分析了Ｓｎ在改性ＰＺＴ压电陶瓷中的存在形式。研究表明，Ｓｎ添加剂不仅能提高压电性能而且改善了压电陶瓷低温性能的稳定性     

陶瓷材料的选区激光烧结快速成型技术研究进展

阐述了陶瓷材料选区激光烧结技术的原理、工艺和特点，着重分析了粉体预处理、激光烧结参数以及坯体后处理等工艺因素对制件精度和性能的影响，还介绍了该技术目前的应用状况以及潜在的应用领域，最后对该项技术研究和发展的趋势作了展望，指出选区激光烧结技术有可能成为本世纪最主要的陶瓷材料成型工艺之一。     

塑料对0—3型锆钛酸铅压电复合材料性能的影响

研究了不同塑料尼龙１０１０和Ｅ－２０环氧树脂与锆钛酸铅（ＰＺＴ）复合而成的压电复合材料的压电性能，结果表明，尼龙１０１０－ＰＺＴ压电复合材料比Ｅ－２０环氧树脂－ＰＺＴ具有较低的饱和极化电场和较短的饱和极化时间，而且前者比后者具有更高的压电常数ｄ↑－３３。