二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明,在300~600℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相对好的热学稳定性。在600℃退火后,ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3Ω/□和2.5×10–3.cm,而此时,SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8Ω/□和1.2×10–3Ω.cm。最后,阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。     

ZnO薄膜离子注入改性的研究进展

ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展.     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料，使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上，着重介绍了SnO2膜的制备流程，分析了功率和温度变化对成膜质量的影响。     

F+离子注入BaF2薄膜的光学性质

本文报导了F+离子注入对BaF2薄膜的光学性质的影响,实验观察到了离子注入引起的薄膜的透过率谱的变化,在一定温度下退火可以使这种变化消除。     

C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响

采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜，选择C作为掺杂元素，得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜。经透射电镜分析可知，引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展，晶粒得到细化，β-FeSi2层稳定性提高。从微结构角度考虑，引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光这吸收表征，发现C离子的引入对β-FeSi2层的E^dg值没有产生不良影响，讨论了E^dg值的影响因素，如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退炎温度等等，解释了文献报道的不同E^dg值。     

离子注入对ITO薄膜电学特性的影响

对系列In2O3∶Sn (ITO)薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn+, Ag+ 和Mo+离子注入并将它们在250 ℃下进行了热处理.利用霍耳测量研究了原始样品及注入和退火前后各样品的电学特性.研究了ITO薄膜的电学参数受离子注入的种类及剂量的影响.实验证明不同种类的离子注入会不同程度地降低ITO的导电性能,但热处理的效应与之相反.3种金属中,Sn+离子对薄膜造成的注入损伤最小,而高价的钼离子可以替换铟离子的位置成为施主,当注入剂量为1×1015 cm-2时,经过Mo+离子注入和后续退火的ITO薄膜,载流子浓度提高了14%.     

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式

二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题,建立模型并给出理论表达式,得出的最佳掺杂含量值和实验数据相符。     

C掺杂对离子注入合成β-FeSi2薄膜的影响

采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜,选择C作为掺杂元素,得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜.经透射电镜分析可知,引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.从微结构角度考虑,引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的.进一步进行光学吸收表征,发现C离子的引入对β-FeSi2层的Egd值没有产生不良影响.讨论了Egd值的影响因素,如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退火温度等等,解释了文献报道的不同Egd值.     

低能离子注入对CuxS薄膜组分的影响

采用Ｎ＾＋离子注入的方法，对气－固化学 反应生成的ＣｕｘＳ薄膜进行了掺杂，研究了Ｎ＾＋离子注入能量和剂量对ＣｕｘＳ薄膜组分的影响。结果表明，离子注入改变了ＣｕｘＳ薄膜铜与硫的比例，使薄膜组分更接近于富铜型，样品的Ｘ射线衍射图谱和透射光谱研究进上步证实了这种结构转变的存在。     

Modification of the Properties of CuxS Thin Films by Low Energy Ion Beam Implantation

Cu x S thin films are implanted by low energy N + ion beam. The influences of the energy and dose of N + ion implantation on Cu x S films are investigated. The results show that the ratio of copper to sulfur is increased to some extent, the constituents of the film are turned to rich copper phase from rich sulfurous phase after ion beam irradiation. X-ray diffraction spectrum and optical transmission spectra of sample have confirmed the results.     

Modification of the Properties of Cux S Thin Films by Low Energy Ion Beam Implantation

CuxS thin films are implanted by low energy N^ ion beam.The influences of the energy and dose of N^ ion implantation on CuxS films are investigated.The results show that the ratio of copper to sulfur is increased to some extent, the constituents of the film are turned to rich copper phase from rich sulfurous phase after ion beam irradiation ,X-ray diffraction spectrum and optical transmission spectra of sample have confirmed the results.     

离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性

研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化 10 nm薄栅 Si O2 的特性 .实验证明氮化后的薄 Si O2 栅具有明显的抗硼穿透能力 ,它在 FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向 FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降 ,氮化栅介质的击穿电荷 (Qbd)比常规栅介质提高了 2 0 % .栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅 Si O2 中引进的 N+离子形成了更稳定的键所致     

由浅离子注入实现的MQW混合

用浅Ｐ＾＋离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱（ＭＱＷ）激光器Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火,体内ＭＱＷ层发生组份混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）,导致器件的带隙波长蓝移（ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ）,结构的光荧光（ＰＬ）峰值波长向短波方向移动了７６ｎｍ。作者认为,有源区中的应力对量子阱混合起到了十分关键性的作用。     

钛离子注入硅薄层硅化物结构和特性

用大束流密度的钛金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物,随束流密度的增加,硅化钛生长,薄层硅化物的薄层电阻（Ｒｓ） 明显下降,当束流密度（Ｊ）为０－７５Ａ／ｍ２ 时,Ｒｓ 达到最小值１６Ω／□,电阻率达到０－６４μΩ·ｍ 。经过１０５０ ℃快速退火２０ｓ 后,Ｒｓ 可下降到２－２Ω／ □,说明退火可进一步改善硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明,枝状连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明,注入层中形成了ＴｉＳｉ和ＴｉＳｉ２ 。背散射分析表明,其薄层厚度为８０ｎｍ 。利用ＭＥＶＶＡ金属离子注入,可获得直径达到Φ５００ｍ ｍ 注入斑点。     

超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究

报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。     

强流金属离子注入

金属等离子体浸没注入（MEPIII）技术与金属蒸气真空弧（MEVVA）源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。     

碲镉汞离子注入温度研究

作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。