半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法

因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理,归纳了激光模拟的物理基础和主要特点,总结了国内外发展的情况,深入分析了当前研究存在的问题,并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。     

高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究

用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。     

集成电路与半导体器件制造中的电子束曝光技术

本文叙述了国际上电子束曝光技术的发展趋势,分析了我国电子束曝光技术的发展现状,回顾了电子部四十八所电子束曝光技术的进展及其在微电子器件制造中成功的应用。     

准分子激光器的电子束预电离及X光预电离

本文从预电离电子密度、激光输出能量及放电特性等方面对用于准分子激光器的电子束预电离及X光预电离进行了研究和比较。     

激光电离通道可引导电子束直线传输

桑迪亚国家实验室已用激光引导电子束通过气体,这一成就可能加速定向释能武器、聚变能与核武器模拟的发展。桑迪亚的初次演示表明电子束可用紫外激光造成的管状带电通道引导，通过气体。该室为研究带电粒子束传播的几个实验室之一。劳伦斯·里弗莫尔国家实验室和海军研究院也在研究这一问题。     

MOSFET栅下碰撞电离与击穿研究

研究了场板终端技术对改善 MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用 ,结果表明 ,MOSFET在高压应用时 ,漏极靠近表面的 PN结处电场最强 ,决定器件的击穿特性。通过对实验研究与计算机模拟结果的分析 ,表明在不同的栅压下 ,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响 ,合理地控制场板长度能有效地提高器件的击穿电压。     

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Y2000-62067-39 0009254超高容量光通信系统用飞秒半导体光电器件=Fem-tosecond semiconductor optoelectronic devices for ultra-high throughput optical communication systems[会,英]/Wada,O.//1998 IEEE International Conference on Op-toelectronic and Microelectronic Materials and Devices.—39～43(EC)     

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Y2002-63198-1899 0322368采用部分放电的高阻抗 IGBT 模块技术=IGBT mod-ule technology with high partial-discharge resistance[会,英]/Mitic,G.& Licht,T.//2001 IEEE Industry Ap-plications Conference,Vol.3 of 4.—1899～1904(ME)Y2002-63198-1912 0322369电力周期对于 IGBT 半导体电源组件的可靠性研究=Reliability of power cycling for IGBT power semiconduc-tor modules[会,英]/Morozumi,A.& Yamada,K.//     

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SPIE-Vol.4275 0314229SPIE 会议录,卷4275:微加工中基于计量学的控制=Proceedings of SPIE,Vol.4275:Metrology-based con-trol for micro-manufacturing[会,英]/SPIE-The Interna-tional Society for Optical Engineering.—156P.(E)本会议录收集了在美国 San JOSe 召开的微加工中基于计量学的控制会议上发表的16篇论文,内容涉及     

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Y2002-63196-359 0311943碳化硅门电路关断晶闸管(GTOs):静态与动态特性=Silicon carbide GTOs:static and dynarnic characterization[会,英]/Elasser,A.& Park,J.//2001 IEEE IndustryApplications Conference,Vol.1 of 4.—359～364(ME)Y2002-63209-175 0311944硅电力半导体器件的电压控制能力和关断方法=Voltage handling capability and termination techniques ofsilicon power samiconductor devices[会,英]/Charitat,G.//2001 IEEE Proceedings of the 2001 Bipolar/BiC-MOS Gircuits and Technology Meeting.—175～183(TE)     

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0619944 CPLD在DSP实时图像采集系统中的应用[刊,中]／孙咏／／江南大学学报(自然科学版)．-2006,5(2)．- 158-161(G) 0619945 CPLD在某型雷达方位指示器中的应用[刊,中]／张妍瑶／／微处理机．-2006,27(2)．-61-62(G)阐述了在某型雷达的指示器中,CPLD器件的编     

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Y2001-62724-164 0114820无线频率 IC 应用的金属栅 MOSFET 模拟=Metal-over-gare MOSFET modeling for radio frequency IC ap-plications[会,英]/MacEachern,L.& Manku,T.//2000 IEEE International Symposium on Circuits and Sys-terns.Vol.2.—164～167(HC)本文分析了高频特性的金属栅(Metal-Over-gate)MOSFET.研究了栅和金属栅的分布特性,给出小信号参数分析,依据全面分析推导了简化小信号 Y 参数,并用来构成等效小信号抽运电路模型,说明与常用MOSFET 比较,金属栅 MOSFET 育较高 Gmax。参11     

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Y99-61799-365 0007491场发射阵列的技术与材料=Field emitter arrays tech-nologies and materials[会,英]/Kleps,I.& Banoiu,G.//Proceedings of 1998 International SemiconductorConference,Vol.2.—365～368(UG)利用不同的微加工技术已加工出具有各种图形特点的硅发射阵列。其发射极的几何形状能利用变化其技术参数(腐蚀率,选择性和表面形貌)进行修正。为改进其场发射特性,还能用各种材料对硅发射极进行包敷。参10     

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Y2000-62448 00200521999年 IEEE 亚太地区微波会议录,卷1=1999 IEEEproceedings of Asia pacific microwave conference,Vol.1of 3[会,英]/MTT/AP/EMC Chapter,IEEE SingaporeSection.-IEEE,1999.-213P.(EC)本会议录收集了于1999年11月30日至12月3日在新加坡召开的亚太地区微波会议上发表的54篇论文(本书为第一卷),内容涉及微波电路,固体器件与电路,相位与有源阵列技术,计算机辅助设计,微波天线,电磁兼容与计算电磁学。     

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Y98-61429-851 9907339Syrinx 计划的反射二极管韧致辐射的改进=Reflexdiode bremsstrahlung improvement for syrinx project[会,英]/Bonnet,P.& Porte,A.//1997 IEEE 11th Inter-national Pulsed Power Conference,Vol.1.—851～856(AG)     

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介绍了微波器件 MPT(微电子组装)技术的发展过程和芯片互连技术、多层基板技术、三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

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Y2002-63371 03094772001年西伯利亚俄罗斯电子器件与材料专题会议录=2001 Siberian Russian student workshop on electrondevices and materials proceedings[会,英]/NovosibirskState Technical University.—149P.(E)本会议录收集了在阿尔泰 Erlagol 召开的电子器件与材料会议上发表的57篇论文,内容涉及半导体电子器件模拟及电子材料中的物理现象,工业电子学,宽带晶体管放大器,现代控制技术与信息传输,企业运作用因特网,交通灯微处理控制器,钻床控制与检验系统。     

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Y2001-62951 0210595IEEE Tencon会议录,卷3:新千年的智能系统与技术=IEEE Tencon proceedings,Vol.Ⅲ:intelligent sys-tems and technologies for the new millennium〔会,英〕/Texas Instruments & IEEE Region 10.-527P.(E) 本会议录收集了新世纪智能系统与技术会议上发     

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Y2002-63318-3 0327740传输和分布应用中的功率半导体=Power semiconduc-tors in transmission and distribution applications[会,英]/Chokhawala,R.＆Danielsson,B.//2001 IEEE Pro-ceeding of the 13th International Symposium on PowerSemiconductor Devices ＆ICs.—3-10     

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Y2002-63306-541 0307160扫描扩展电阻显微术检测 InP 基器件可靠2维载流子轮廓=Reliable 2-D carrier profiling with SSRM on InP-based devices[会,英]/Xu,M.W.& Hantschel,T.//2001 IEEE International Conference on Indiurn Phos-phide and Related Materials.—541～544(E)Y2002-63352 0307161第4届 Kharkov 国际会议录:物理学与毫米波、亚毫米