In—BiCaVIG的晶体生长与性能

本文了用助熔剂法成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的 及实验结果，介绍了该单晶在近红外区的磁光器件中的重要应用。     

In—BiCaVIG晶体的助熔剂生长与性能研究

本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。     

In－BiCaVIG晶体的助熔剂生长与性能研究

本文报道了用助熔剂成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在远红外区的磁光器件中的重要应用。     

低饱和磁化强度、小线宽石榴石铁氧体单晶材料的可控制备

利用助熔剂法制备了不同In、V掺杂浓度的BiCaInV铁氧体单晶材料.通过X射线荧光光谱分析获得了不同掺杂离子的浓度,发现随着V离子浓度的增加,In离子的掺杂浓度明显减小.借助透射电子显微镜测试揭示了In离子对BiCaInV的晶胞起着主导作用,且随着In离子掺杂浓度的减小,BiCaInV单晶的晶面间距逐渐减小.进一步通...     

高灵敏度温度稳定BiGd：YIG磁光光纤电流传感器 性能及其晶体生长研究

法拉第磁光光纤电流传感器因其具有结构简单、安全可靠、高精度和灵敏度等优点而受到国内外的广泛关注。法拉第传感材料的磁光性能对于光纤电流传感器的性能有重要的影响。本文用熔盐法生长了高法拉第旋转角、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶BiGdYIG,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。其法拉第旋转角θ     

微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究

该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。     

稳定提拉法晶体生长界面的装置和方法研究

为了解决传统提拉单晶体生长界面不稳定的难题,该文在传统全自动提拉单晶炉等径控制理论的基础上,通过原料补充装置,不断添加与晶体生长量相等的晶体原料至坩埚内,以稳定晶体生长液面的高度不变;再通过光学放大和电荷耦合器件(CCD)成像装置测量晶体实时直径的变化,以此变化率调整晶体旋转速度,最终使晶体生长界面始终维持在一个相对稳定的理想状态,从而保证晶体外形符合设定要求和内部品质的优良。     

1.55μm In1－x－yGayAlxAs压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式

应用Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱的能带结构．为设计1.55μm发射波长的激光器,对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载流子浓度做了系统分析,得到一些有用的拟合公式．     

1.55μm In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式

应用Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱的能带结构．为设计1.55μm发射波长的激光器,对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载流子浓度做了系统分析,得到一些有用的拟合公式．     

高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性

报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关 ;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关。这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间 ,能够用静磁场消除。     

Crystal growth and equilibrium crystal shapes of silicon in the melt

The crystal growth shape (CGS) and equilibrium crystal shape (ECS) of silicon in Si melt are observed using in situ observation. Fully faceted silicon CGSs, which are dominated by the {111} facets, are observed from the {112} and {110} orientation. Silicon CGS in three‐dimensional in Si melt is octahedral in shape, bounded by {111} facets. Silicon ECSs in the melt are obtained by the relaxation from the CGSs and exhibit the {111} facets separated by curved interface. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.     

InP growth and properties

Bulk polycrystalline InP is synthesized from the elements via a gradient freeze process. Hall data for a typical boule are N_d-N_a= 4.7 × 10¹⁵/cm³ and Μ77 = 28,000 cm²/V-sec. Photoluminescence data indicate that zinc is present as an acceptor impurity in the polycrystalline InP and in nominally undoped LEC single crystals grown using the synthesized InP as charge material. A series of doping experiments have determined the effective segregation coefficient to be 1.6 × 10⁻³ for Fe in InP. Semi-insulating InP crystals with resistivity > 10⁷ ohm—cm have been grown consistently from melts doped with 150 ppm Fe.     

磁滞及磁饱和效应对磁光光纤传感器的影响

给出了ＩｎＢｉＣａＶＩＧ晶体的磁滞回线,详细分析了磁滞及磁饱和效应对磁光光纤传感器的影响。当所测磁场信号为交变量时,磁滞的影响主要是相位延迟,对幅度及频谱分布影响较小;饱和效应不仅使响应幅值减小,同时还导致明显的频谱变化。     

生长气氛对Ti~（3＋）：Al_2O_3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法（ＬＨＰＧ法），生长Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤。作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析．并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。     

化学气相传输法生长ZnO单晶

利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.     

化学气相传输法生长ZnO单晶

利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.     

弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究

采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10～15min。     

新型压电材料-Sr3NbGa3Si2O14单晶的光学性质

采用椭圆偏振光谱法测量了新压电晶体Sr3NbGa3Si2O14（SNGS）在可见光区的折射率，计算了折射率色散系数，拟合得到了Sellmeier方程。并用紫外可见光双光束分光光度计测定了可见光区旋光率以及双折射率。