透明的石墨烯薄膜可制成优良的太阳能电池

美国鲁特格大学开发出一种制造透明石墨烯薄膜的技术,这是一种几厘米宽、1-5nm厚的薄膜。石墨烯薄膜是一种平坦的单原子碳薄,可用于取代透明导电的ITO电极用于有机太阳能电池。这些薄膜还用于取代显示屏中的硅薄膜晶体管。石墨烯运送电子的速度比硅快几十倍,因而用石墨烯制成的晶体管工作得更快、更省电。     

美首次研制出稳定的单原子层锗

美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。     

一种光聚合共混树脂抗原子氧侵蚀的机理

采用双酚A型环氧树脂E-44与有机硅环氧树脂ES-06的共混改性树脂体系进行紫外光辐照聚合,制备了光聚合含硅聚合物;使用原子氧效应地面模拟设备对光聚合含硅聚合物进行原子氧侵蚀试验,比较了试验前后试样的质量、表面形貌和成分的变化,研究了原子氧的侵蚀机理.结果表明,在紫外光辐照固化后改性树脂的表面形成一层含C的氧化硅(SiOx)膜,经原子氧暴露试验后进一步氧化转变为富含SiO2的保护膜,具有较好的耐原子氧性能.原子氧对含硅共混物的侵蚀是多种效应协同作用的结果,以发生化学反应为主,通过提氢,插入和置换等机理产生含碳挥发性物质和H2O等,导致聚合物的质量损失.生成的硅氧化物留在聚合物表面,能有效地阻止原子氧对基底聚合物材料的进一步侵蚀.     

石墨烯之后又有硅烯科学家找到研究二维材料的新方法

正自石墨烯诞生以来,二维材料一直是材料研究的核心。与碳类似,硅也可以制成一层蜂窝状的原子。这种材料被称为硅烯,它具有一定的粗糙度,因为某些原子会高出其他原子。与由碳构成的超扁平材料石墨烯相比,硅烯表面的不规则会影响其电子性能。现在,来自巴塞尔大学的物理学家已经能够精确地确定这种波纹结构。如他们发表于《美国     

美国科学家研发出直径仅数十纳米的半导体材料纳米线

美国科学家最近成功开发出了一种采用硅锗半导体材料制成的纳米线。该技术的研发团队展示了几种原子级尺寸的,采用不同的硅锗材料制成的分层结构纳米线,这种纳米线可以有效地传输电荷,其接口尺寸可以做到仅有一个原子大小。     

美科学家首次研制出稳定的单原子层锗

近日，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。     

温度和脉冲频率对三维原子探针测试结果的影响

在不同的温度和脉冲频率下,用三维原子探针对Cu-Fe-Ag合金进行测试.结果表明,温度和脉冲频率对原子电离的价态有影响;随着温度的升高,Cu原子以Cu+电离蒸发的比例增加,以Cu2+电离蒸发的比例减少.随着脉冲频率的提高,Cu原子以Cu+电离蒸发的比例减少,以Cu2+电离蒸发的比例增加.温度和脉冲频率对合金成分的测量结果没有影响,对元素同位素丰度的测量结果也没有影响.     

纳米材料

"硅烯"或将赶超石墨烯据报道,7年前,硅烯还只是理论学家的一个梦想。受石墨烯——由仅是单原子厚度的按蜂窝状晶格排列的碳原子构成的著名材料——热情的驱动,研究人员推测,硅原子也可能形成类似的表面。而且如果它们可以被用于制作电子产品,硅烯胶片将会使半导体工业实现微型化的终极梦想。美国得克萨斯州立大学纳米材料研究人员、参与制作这个晶体管的Deji Akinwande说,尽管该设备的性能目前仍比较普通,使用寿命也仅能以分钟来     

纳米工艺器件可制成效率更高的信息存贮器件

IBM公司宣布了两项纳米工艺科研成果,这些成果有一天会造成仅仅利用几个原子或分子即可制成新型器件的局面。在第一份报告中,IBM的科学家们描述了在单个原子中有关磁各向异性的研究进展。这种基础测量具有科技重要性,因为这种特性决定着原子贮存信息的能力。此前,任何人未曾测量到单个原子的磁各向异性。随着工作进一步深入,有可能制成由一群原子甚至单个原子造成的器件,利用这种器件可以有重复性地存贮磁信息。     

德推出世界顶级芯片

德国慕尼黑英特奈瓮半导体公司采用硅-锗双极技术研制出一种新型芯片,其工作频率为110兆赫,运行速度堪称世界之最。迄今为止,如此高的工作频率只有用砷化镓材料制成的芯片才能达到。但是,砷化镓与硅材料相比价格昂贵。为此,研究人员研制该芯片时在硅材料中加入了镓原子,成功解决了硅材料在高频芯片中的使用问题。该芯片的开关时间极短,仅为3.7皮秒(10-12秒),相当于光运行1厘米的时间。据介绍,这种新型开关电路主要用于通讯技术,如无线电通讯的收发机,电气设备及计算机之间的WLAN通讯。此外,它还可以用于汽车工业,即通过车载雷达防止汽车发…     

铝阳极中锌镉铟铁硅的原子发射光谱分析

研究了用原子发射光谱仪对铝阳极中的锌镉铟铁硅进行定量分析的方法,并与化学分析法进行了比较,结果令人满意。     

各向异性胶体基底表面的分形凝聚体

对各向异性胶体基底表面的分枝状金原子凝聚体的生长机制进行了研究，沉积在无规杂质区域的熔融玻璃表面的金原子先形成网状结构的薄膜，然后逐渐演变成分枝状凝聚体，根据这一实验结果，建立了各向异性的团簇-团簇凝聚模型，对此类胶体基底表面的金原子分枝状凝聚体的生长全过程进行了计算机模拟，研究了杂质区域对凝聚体各种参数的影响，其结果与实验相符合。     

用N2O—C2H2原子吸收法测定Ni—Cd浸渍液含硅量

测定Ni—Cd浸渍液含硅量,用重量法、滴定法操作冗长而繁杂,而且操作要求极为严格,稍有不慎即会带来较大误差。用N_2O—C_2H_原子吸收法测定Ni—Cd浸渍液含硅量具有(1)高灵敏度;(2)出色的分析精度;(3)干扰较少,N_2O—C_2H_能消除Ni—Cd浸渍液中在低温火焰中出现的干扰,在高温火焰中可部分或完全消除;(4)分析操作简便。用N_2O—C_2H_尿原子吸收法测定Ni—Cd浸渍液含硅量,在当前分析与测试领域里是属于一种先进的仪器分析方法。     

一氧化二氮—乙炔原子吸收法测定7715D高温钛合金中硅

在航天通讯卫星发动机研制过程中,已成功地选用了一种新型的材料7715D高温钛合金,由于7715D高温钛合金材料的质量和含有元素成份显得十分重要,特别该材料中含硅量对通讯卫星发动机的研制的性能尤为特出。因而提出一种精度好、准确度高,灵敏度好又能达到要求的含硅量分析方法已成为当前的迫切需要。近几年,对含有较多共同被测离子7715D高温钛合金中含硅量的分析,已有的国内外文献没有报道。在这种情况下,作者在周究与应用一氧化二氮一乙炔原子吸收法测定7715L高温钛合金中硅,取得了一定的进展。这一分析方法具有操作简便,易掌握,…     

溶胶-凝胶法制备抗原子氧涂层及性质研究

采用有机无机复合的溶胶-凝胶方法,合成了用于聚合物表面保护层的前驱溶液.采用旋转涂覆方法,将前驱溶液涂覆于聚酰亚胺基片上,制成了表面涂层.将所制得的相应涂层分别进行原子氧暴露试验,其表面形貌的变化通过扫描电镜观测.结果表明,在原子氧辐照下,无保护的聚酰亚胺表面已非常粗糙,与辐照前的光滑表面形成显著的对比.而涂覆有保护层的表面,原子氧辐照前后却没有变化.这表明使用这种有机无机复合的溶液涂层具有很好的抗原子氧能力.     

硅基体表面无钯活化化学镀镍工艺

硅材化学镀镍的活化是为了获取金属原子沉积中心,但现有的活化工艺存在种种不足。金纳米粒子具有小尺寸效应、表面与界面效应,呈现出良好的催化活性。采用金纳米粒子对硅基体进行活化后化学镀镍,并采用浸泡腐蚀试验,SEM及EDS测试将其与传统的钯活化法对比,研究了活化后的沉积速度及镀层形貌、结构、耐腐蚀性能,结果表明：金纳米粒子活...     

原子氧对航天材料表面的作用与防护 I原子氧与航天材料的作用

综述了低地球轨道环境下原子氧与航天材料的相互作用及其机制，介绍了原子氧敏感性材料以及它们在低地球轨道环境下的降解情况。     

原子氧对石墨烯膜电阻的影响

通过对石墨烯膜在原子氧辐照下电阻变化研究,并结合原子氧辐照前后石墨烯膜表面微观形貌分析,发现石墨烯膜会被原子氧剥蚀,膜厚逐渐减小直至完全剥蚀。石墨烯膜的电阻在原子氧辐照初期有所下降,之后开始上升。说明在原子氧辐照初期有石墨烯吸附氧原子的现象,在后期石墨烯膜电性能变化符合电阻定律。利用石墨烯剥蚀厚度或者石墨烯电阻变化数据两种方法都可以得到石墨烯膜剥蚀率,约为(1.2~1.3)×10-25cm3/atom。根据石墨烯膜电阻随原子氧注量的关系,提出一种新的原子氧探测器。     

高气密性芯片级原子气室的制备研究

高性能芯片级原子气室的制备是现阶段芯片级量子传感仪器研制急需解决的关键技术之一。为解决目前芯片级原子气室研制领域存在的碱金属定量填充难、气密性差等问题,开展了高气密性芯片级原子气室制备方法研究,利用微电子机械系统(MEMS)技术实现了芯片级原子气室的批量制备。采用深硅刻蚀技术制备硅气室腔,利用RbN₃的光分解实现碱金属单质的制备及定量填充,采用阳极键合技术对原子气室进行两次硅片/玻璃键合封装,成功获得了以N₂为缓冲气体的Rb碱金属原子气室。对所制备的原子气室进行键合强度、气密性、吸收光谱测试,结果表明原子气室的玻璃/硅片/玻璃键合强度均较高,其中B组原子气室的漏气率平均值为2.2×10^-9Pa·m³·s^-1,其气密性为目前行业内领先水平。最后从制备工艺上分析了两组原子气室的性能差异原因,为推动量子传感仪器的芯片级集成技术发展奠定重要基础。     

单晶硅直径控制研究

直拉法单晶硅制造的具体生产过程是把原料多硅晶块放入石英坩埚中,在单晶炉中加热融化,再将一根直径只有10mm的棒状晶种(称籽晶)浸入融液中,在合适的温度下,融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶,成为单晶体硅。如果把晶种微微地旋转向上提升,融液中的硅