钛酸钡基PTC陶瓷溅射金属化研究

本文进行了钛酸钡基PTC陶瓷的溅射金属化研究。用直流磁控溅射技术来制备BaTiCO3基的PTC陶瓷电极,提出了Ti/Ni-Cu/Ag、Al/Ni-Cu/Ag这两种复合膜层的电极结构。实验结果表明了制备的底电极能与钛酸钡基PTC陶瓷产生良好的欧姆接触,且电极与瓷片间附着性好,耐高温无铅焊锡熔蚀的能力强。该电极制备方法生产成本较低,可控性强,适合用于大规模的工业生产中。     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷复合材料介电特性的研究

应用标准的陶瓷制备工艺制备掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料,在不同电场频率下测试样品的相对介电常数－温度特性,发现当温度高于居里点后,开始不同掺锰浓度样品的相对介电常数随温升级慢变化,到达某特殊温度时,出现异常跃升;异常跃升的起始温度依赖于掺杂浓度和测试电场频率,其峰值随测试电场频率的降低而增大。通过分析相关的物理过程应用离子极化理论对测试结果进行讨论。     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷的制备工艺及其阻温特性研究

着重研究了掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料的优化制备工艺,测试不同掺锰浓度样口的阻温特性,分析掺锰浓度和测试电阻频率对材料阻温特性的影响,应用Ｗ．ＨｅｙＷａｎｇ模型说明高掺杂,高测试电场频率和低掺杂,低测试电场频率处阻温特性曲线中出现的电阻率双峰现象。     

TiO_2压敏陶瓷晶粒半导化

本文主要研究 TiO_2陶瓷晶粒半导化的途径及晶粒电阻率的测试方法。实验结果表明,通过掺入Nb_2O_5施主杂质可以有效地降低晶粒电阻率,并使 TiO_2系陶瓷具有良好的压敏特性。     

钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述

从变价金属氧化物ｎ型半导化的内在固素出发,分析了ＡＢＯ３型钙钛矿结构的特点,总结归纳结构因素对ｎ型半导体影响的主要规律。对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中的电子导电机制,也作了进一步的阐明。     

半导化BST陶瓷晶粒生长的显微表征

采用显微方法研究半导化（Ｂａ０．９Ｓｒ０．１）（Ｔｉ０．９９９Ｎｂ０．００１）Ｏ３陶瓷晶粒生长的动力学因子,同样化学配方的八种样品在１３００℃中保温时间分别为１,３,６,１０,３０,６０,１００和３００分钟,扫描电镜照片（ＳＥＭ）显示八种样品的平均晶粒大小随保温时间延长而增大,经自动图像处理得到的晶粒生长动力学因子不是常数,在生长初期较小（≈１．５）而在生长后期较大（≈３．５）,该数据与ＡＢＯ３型构造的陶瓷晶粒生长的计算机模拟结果一致。     

钛酸钡陶瓷介温特性测试技术

钛酸钡陶瓷介温特性测试系统主要由介电性能测试软、硬件平台构成,具有信号调理、采集、分析处理、自动生成测试报告等功能,可以实现钛酸钡陶瓷的室温介电常数、相变温度、介电常数-温度特性、介电损耗-温度特性、容量温度变化率特性等多项参数的综合自动测试.系统硬件平台主要包括计算机、参数转换装置、LCR仪、温控箱、显示终端等.自动...     

BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化机理的研究

探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb_2O_5添加量对 BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1～0.7mol%的 Nb_2O_5时,SrTiO_3陶瓷的电导率随 Nb_2O_5添加量的增加而增大,而 BaTiO_3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO_3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb_2O_5添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO_3和 SrTiO_3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO_3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO_3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb_2O_5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb_2O_5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。     

PTC半导瓷用欧姆接触电极的研究

制备了六种不同玻璃的铝电极浆料，研究了这些玻璃料对接触电阻的影响。结果表明，含ＮＯ．２玻璃料的烧渗铝电极试样显现出低的接触电阻和良好的抗老化特性。     

纳米钛酸钡陶瓷的晶体结构

致密的平均尺寸约为30nm钛酸钡陶瓷由压力辅助烧结得到.在变温Raman光谱的基础上,用Rietveld精修方法成功地确定了纳米钛酸钡陶瓷的晶体结构.在室温下,在30nm钛酸钡陶瓷中观测到四方相和正交相的多相共存.这种现象可以用相变产生的内应力来解释.     

PTC陶瓷掺杂高分子PTC材料的研究

研究了PTC陶瓷粉末掺杂高分子PTC材料的电性能,发现掺杂后复合材料的室温体积电阻率降低,PTC强度增加,这为解决高分子PTC材料中室温体积电阻率高与PTC强度低的矛盾提供了一条新的途径,同时发现绝缘高介陶瓷粉末对高分子PTC材料也有改善作用。另外,辐照交联可以很好地加材料的PTC强度和降低NTC强度。对实验现象从理论上进行了定性分析。     

镧掺杂钛酸钡纳米晶陶瓷元件的湿敏特性

用溶胶－凝胶法,以部分醇盐为原料及非醇溶剂醋酸作催化剂,以不同镧源为掺杂物,在不同工艺条件下合成了一系列镧掺杂钛酸钡基纳米晶,经埋渗电极和等静压成型,烧结并封装为陶瓷元件。利用ＲＬＣ阻抗电桥测试了元件室温电阻值与饱和直溶液汽湿度的关系,同时应用ＲＱ－１型气敏测试仪测定地民阻值与饱和盐溶液蒸汽湿度的关系,同时应用ＲＱ＿１型气敏仪测定了元件对乙醇、丙烯、氢气等的敏感特性。实验结果显示：经１３００℃／１     

高性能PTC热敏陶瓷系列及产业化

过流保护用高性能PTC陶瓷材料,该项目已按合同要求全面完成,取得三项研究成果,并在湖北中邦电子有限公司等企业完成了中试,正在进行产业化生产。1 成果 Ⅰ:电子和通信设备过流保护用高耐压PTC热敏元件 该成果主要用于电子系统、网络和通信设备中,防止高压外电搭接或雷击对设备的损坏。50Ω、18Ω产品系列其主要性能指标满足国际电工委员会K30标准和邮电部相关标准外,50Ω还满足650V_(Ac)电力感应冲击和650V_(AC)无异常、无短路等失效模式     

(1-x)BaTiO3-xCaTiO3陶瓷介电特性与La掺杂半导化研究

制备了(1-x)BaTiO3-xCaTiO3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO3-xCaTiO3(x=0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系).研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构.研究发现,BCTLa系陶瓷的性质与预期相差甚远,介电常数增长10倍以上,损耗急剧增大,电阻率锐减,较纯BaTiO3下降5～6个数量级,绝缘性能变差,实现了半导化,并分析了半导化原因.     

PTC铁电半导瓷的宏观电—热性质

BaTiO_3系PTC半导瓷的热物理性质通常用ρ—T(电阻率—温度)曲线来描述。这种描述大都是“零功率”条件下完成的。对实用的材料而言,尤其作为发热体,使用电压很高。ρ—T曲线已不能充分描述其本征性质。本文提出了用ρ—T—E三维空间定量描述(E为电场强度)。用实验方法分析了常见的若干参量后指出:在材料特性与器件特性混淆的情况下,参量不具有唯一性。因此,不同作者报导的材料参量可比性较差,这就有必要对此种材料建立一个统一的描述方法。本文提出的以ρ—T—E三维空间的曲线族可描述PTC半导瓷本征的宏观电一热性质,且具有唯一性。并给出了表征材料本征特性的若干参量。     

晶粒可控钛酸钡致密陶瓷的制备及表征

采用超重力反应沉淀法制备的纳米钛酸钡粉体和常规陶瓷工艺,通过控制烧结温度在 1200 ~1300℃,分别制备了晶粒尺寸 0.45~2.2μm的致密陶瓷。实验结果表明超重力反应沉淀法制备的粉体具有良好的烧结和介电性能。烧结温度为 1200℃时,相对密度即可达到95%,晶粒尺寸为 0.45μm,随烧结温度的升高,晶粒逐渐长大,未出现晶粒的异常长大现象,到1300℃相对密度和晶粒尺寸分别达到 97.7%和2.2μm。钛酸钡陶瓷介电性能有明显的粒度效应,晶粒在1.2μm左右时,室温介电常数达到最大(4143)。由于晶粒内部立方相成分的出现,包含更细晶粒的陶瓷(d=0.45μm)呈现低的介电常数。     

纳米钛酸钡陶瓷的特殊烧结方法和新颖特性的研究进展

对近年来有关纳米钛酸钡陶瓷最新的烧结方法、新颖性质进行了综合评述和讨论。当晶粒尺寸减小到纳米尺度时，钛酸钡陶瓷的晶体结构在不同的温度下出现了不同的多相共存。这可以用纳米钛酸钡陶瓷相变产生的应力来解释。纳米钛酸钡陶瓷的铁电性能表现出新颖的特性。它的介电常数先随晶粒尺寸的减小而降低，但当晶粒尺寸降低到小于50nm甚至小于10m时，介电常数表现出反常的增加，同时铁电向顺电的转变峰变为一个很宽的峰，表现出弥散相变的特征。