窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究

采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.     

半磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的光学和磁性质的研究

用透射光谱法报道和讨论了组份x=0.03和x=0.06的Cd_(1-x)Fe_xTe单晶样品的光吸收,同时用提拉法在温度1.5～30K、磁场强度直到7T范围内测量了磁化强度与组份、温度和磁场强度的变化规律。结果表明,随着x组份的增加,Cd_(1-x)Fe_xTe的能隙移向长波(低能)方向。根据分子场理论,采用类布里渊函数,对磁化强度实验结果进行了拟合和分析。在本文的x值范围内,理论与实验符合得很好,证实了铁离子间存在反铁磁的交换耦合。     

Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱

采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn~(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.     

稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS磁化率的研究

用振动样品磁强计和提拉法在1.5K≤T≤300K温度范围内系统测量了组分为0.03≤x≤0.45的Cd_(1-x)Mn_xS稀磁半导体单晶样品的磁化率.磁化率测量表明在高温区服从居里-外斯定律。从定量分析得到Mn~(++)离子间交换积分常数值.低场磁化率与温度变化规律(最低温度达1.5K)表明当样品x≤0.2时,体系仍然为顺磁态;而当样品组分x=0.3时,经零场冷却后磁化率在温度T_f处观测到一个尖峰,对x>0.3样品亦得到类似结果,只是磁化率在不同冻结温度T_f处对应一个较宽的峰。这些结果说明在低温区发生从顺磁态到自旋玻璃态的相变.文中给出Cd_(1-x)Mn_sS的磁相图并对此作了讨论.     

Cd_(1-x)Mn_xTe的远红外吸收光谱

在4.2K到300K的温度范围内和20～400 cm~(-1)的波数范围内研究了x=0.1到0.675的Cd_(1-x)Mn_xTe的远红外吸收光谱。实验结果表明,在Cd_(1-x)Mn_xTe光学声子频段,有一个很强的复合的剩余射线吸收带,其吸收系数通常可达10~3 cm~(-1)的量级,因而即使样品厚度只有数百微米,在室温下仍不能对此进行任何分解或分辨。随着温度的降低,这一复合吸收带逐步变得可以分解或分辨开     

Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究

研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系.     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xTe的巨法拉第旋转和激子能量

在９０～３００Ｋ温度范围测量和研究了组分为０．２≤ｘ≤０．６的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化．利用单振子模型获得了激子能量与组分的关系．还研究了法拉第旋转随温度的变化，得到激子能量的温度系数为－７．３×１０－６ｅＶ／Ｋ（ｘ＝０．３），首次从法拉第旋转测量获得了该晶体的居里温度．     

Cd_(1-x)Mn_xTe光学吸收边的压力效应(英文)

For the Mn-substituted CdTe semiconductors, the anomaly of the concentration-independent optical absorption edge at about 2.0-2.3eV is studied by using the method of linear combinations of atomic orbits. Results show-that at the optical absorption edge, the p-d excitations may occur at higher Mn concentration and that the pressure behavior has the negative effect having the similarity as that of Mn intra-d excitations. The physical reasons of the negative pressure effect of the p-d transition are discussed and the numerical calculated result of the pressure coefficient for Cd0.5Mn0.5 Te is in excellent agreement with the experimental data.     

NixSiO2(1-x)颗粒膜的光学和磁光特性研究

用磁控溅射法制备了一系列NixSiO2(1-x)样品,并对部分样品作快速退火处理,室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别为1．5－4．5eV的光子能量区了样品的复介常数谱和极向复磁光克尔谱,研究了这种金属－绝缘体型颗粒膜的化学和磁光性质,发现调整适合的金属含量或对样品作退火处理,可以观察到复介电常数的实部从正到负的连续变化,而且在一定光子能量区,其值为零;介电张量的非对角元和光学常数对其磁光克尔角的增强起重要作用。     

Cd1—xZnxTe晶体生长技术进展

介绍了Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长国外新进展和国内研究动态。指出Cd(1-x)Zn_xTe晶体研究正在向大面积单晶,组分和结构高均匀性,低位错密度和定向生长等方面发展     

Co2Ag98颗粒膜中磁光克尔效应的增强

通过Ａｒ离子束溅射仪制备了Ｃｏ２Ａｇ９８磁性颗粒膜样品,并且分别在１００、２５０、４００、５００℃下进行了退火,利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量。实验结果表明随着退火温度的升高,磁光克尔旋转角θκ和椭偏率εκ增大,并且在Ａｇ的等离子有收边附近出现在大的类共振增强峰,峰的位置随退火温度的升高发生红移。通过实验数据分析,主种类共振磁光     

(TbBi)3GaxFe5-xO12薄膜/(TbYbBi)3Fe5O12晶体复合结构的生长和在光通信波段的磁光性能

用助熔剂法生长出掺Bi复合稀土铁石榴石晶体((TbYbBi)3Fe5O12),用(TbYbBi)3Fe5O12替代传统的无磁性Gd3Ga5O12晶体作基底液相外延掺Bi稀土铁鎵石榴石薄膜((TbBi)3GaXFe5-XO12).测量了Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体和Tb2.43Bi0.57Ga0.12Fe4.88O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料在光通信波段(波长λ=1500-1620nm)处的光透射谱(T)、饱和磁化强度(Ms,0.5×106A/m)、法拉第旋转温度系数(FTC,5×10-5/K)和法拉第旋转波长系数(FWC,0.05%/nm).所得结果表明:Tb2.43Bi0.57Ga0.1Fe4.9O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料的综合性能适用于宽带和温度稳定的光隔离器及其他光通讯器件.     

光弹效应在光电子器件中的应用

在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.     

碲镉汞在磁量子限的弛豫时间

从对实验的远红外回旋振线形分析中获得了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ导带电子系统的弛豫时间τ，同磁量子限的电离杂质散射理论作了比较，用朗道能级间散射和朗道能级内散射两种机制说明了弛豫时间与磁场强度的关系．     

MnxGe1-x薄膜结构磁性和输运特性的研究

用磁控溅射法制备了Mnx Ge1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品.X射线衍射(XRD) 表明所有样品为Ge立方体结构,没有发现第二相存在.晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加,符合Vegard定律.磁力显微镜(MFM)测量表明没有明显的磁畴结构出现,原子力显微镜(AFM)测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长.X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态.电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加,Mn原子处于深的受主态,电阻率随温度增加而减小,样品仍表现为典型的半导体特性.物理性质测量仪测量表明样品的铁磁性是固有的长程有序的,通过s、p-d载流子的交换耦合来实现.