从电子、家用电器元器件到基本电路(廿六)

除N沟道结型场效应管外,还有P沟道结型场效应管,其结构及符号如图198所示。P沟道管中参与导电的是“空穴”,它的工作情况与N沟道管类似,只是各电源的极性接得相反。管子栅极箭头方向也要反过来(向外),P沟道结型场效应管的应用不如N沟道管普遍。 (3)结型场效应管特性曲线与主要参数     

MOS场效应管工作原理简介

MOS场效应管也被称为MOSFET．即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写,有耗尽型和增强型之分。增强型MOS场效应管（C-MOS管）内部结构如图1所示,分为NPN型和PNP型,NPN型常称为N沟道型,PNP型常称为P沟道型。N沟道的场效应管源极和漏极接在N型半导体上,P沟道的场效应管源极和漏极接在P型半导体上。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为：结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（IGFET）；按导电沟道可分为：N型沟道、P型沟道场效应管；按栅极数目可分为：单栅、双栅场效应管。     

场效应晶体管的分类及鉴别

本刊04/9/P29已谈到“场效应管电极质量的判别方法”,但原文仅限于 N 沟道耗尽型的场效应管,尚有 N 沟道增强型、P 沟道场效应管并未提及。面对多种场效应管,单一种测试方法无法应对,且会引起误判。另外,原文中关于增强型场效应管的图形符号画法有误,这里一并补正。1.各种场效应晶体管(FET)的符号场效应管的符号、结构、导电类型及简要特性参见表1所示。其中的图形符号为基本的,有些大功率场效     

用万用表测试场效应管

一、相关基本知识目前场效应管的种类很多,但大体上可分为两大类:一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅场效应管(通常简称为MOS场效应管,而MOS是英语“M(金属)—O(氧化物)—S(半导体)”的缩写。与晶体三极管有PNP和NPN两种极性类型一样,场效应管也根据其导电沟道(所谓沟道,就是电流通道)所采用的半导体材料的不同,又可分为N型沟道和P型沟道两种。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂的P型区,从而构成了两个PN结(又称耗尽层),在两个耗尽层的中间形成一条导电沟道。两侧P型区相连接,引出一个称为栅极(G)的控制极;在N型半导体上下两端分别图2两种结型场效应管的符号图3常见结型管的外形和管脚排列引出漏极(D)和源极(S)。它与普通三极管相比较…     

基于输电线路野外起重设备大功率直流电动机的驱动保护设计

以UCC37324芯片为双路功率驱动核心,驱动多颗并联N沟道增强型场效应管。基于H桥PWM控制原理,利用光电隔离管设计了一种大功率直流电动机驱动控制电路,该电路能够很好地满足直流电动机的正、反转、刹车及连续调速控制,可对电动机运行电流跟踪测量,对电动机异常运行进行保护。实际应用表明,该控制电路功耗低,驱动能力强,使用灵活。     

基于CAN总线协议的固态功率控制器的设计

本文介绍了一款基于CAN2.0B总线通讯协议、PIC单片机和N沟道场效应管器件的高压直流输出的固态功率控制器的设计方案和实现方法.该控制器具有过压、欠压、短路保护和反时限过流保护功能,能够精确检测负载电压、电流和输出开关状态,并可与上位机实时进行高速通讯.     

功率MOSFET在中小功率电机调速中的应用

1引　言功率MOSFET是单极性载流子晶体管,与双极型器件表现出很大不同的特性。由于功率MOSFET没有积蓄载流子现象,所以具有较高的增益和极快的开关速度。解决了高电流、大电压的问题,它的出现,使MOS器件从小功率进入了大功率范围。目前生产的功率MOSFET多数为N沟道增强型,N沟道     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿七)

2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控制漏极电流,而绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少来改变导电沟道的性质。绝缘栅型场效应管的结构是由金属—绝缘体—半导体三层材料构成的,目前应用最广泛的绝缘体是二氧化硅(SiO_2氧化物),故其结构又变为金属—氧化物—半导     

斩波型脉宽调制器HA16114FP应用心得

HA16114FP是单通道PWM开关稳压器集成控制器,其输出形式是为使用一个P沟道功率MOS场效应管而设计的。使用该芯片设计的降压器,电路结构简单紧凑,外围元器件少,工作稳定可靠程度高,功耗低,因此特别适合用于制作斩波型直流降压器。     

大功率直流电机速度伺服系统的设计与实现

基于增强型51单片机STC12C5A60S2、高压半桥控制芯片L6384、高压N沟道增强型场效应管IXFK150N10,设计并实现了一种新型大功率直流电机闭环速度伺服系统。实验表明,该系统具有硬件电路简单、驱动能力强等特点,能在智能车、移动机器人等多种应用中发挥作用。     

显示器中场效应管工作特点与检测方法

场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN结在反向偏置下所产生的耗尽区,绝缘栅型则利用栅极电压产生的感应电荷来改变导电沟道的宽窄,从而控制多数载流子在沟道中的漂移运动所产生的漏极电流。所以它属于电压控制类型的器件。从工作性能的角度来看,场     

国内外部分电气图形符号对照一览表

国别符号名称电感器极性电容器单向击穿二极管半导体二极管电阻器电容器NPN型半导体管PNP型半导体管光电池N沟道结型场效应管P沟道结型场效应管接地接机壳屏蔽电缆中国国委际员电会工美国德国日本(续表)国别符号名称端子插头插座开关及动合触点动断触点动合按钮动断按钮双绕组变压器桥式全波整流器熔断器放大器继电器变换器火花间隙电流表中国国际电工日本委员会美国德国(续表)国别符号名称中国国委际员电会工美国德国日本电压表电度表照明灯信号灯“与”门(续表)国别符号名称中国国委际员电会工美国德国日本“或”门“非门”及反相器“…     

功率场效应管在线性功率放大器中的应用

论述了功率场效应管的线性应用。实验结果表明,应用功率场效应管的功率放大器比一般晶体管放大器电路更简单,特性更好。     

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

<正>日前,Vishay宣布推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数,该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。"我们承诺为客户提供支持所有     

用场效应管和晶体管产生负阻

把一个n型沟道场效应管和一个npn型晶体管,连接成共射一共基极放大器。当改变供电电压时,场效应管的偏置从零变负,而晶体管的基极电流从零增到量大。可以看到,供电电压从零增加到满程时,首先,晶体管截止,而场效应管是负偏置,处于导通状态。供电电压增加到最大时则相反,此时场效应管被切断,而晶体管处于完全导通状态。因此,在零电压和最大电压时,通过线路的电流是零和最小。在电源电压的两个极端之间,电流首先是增加,     

基于SG3525半桥型开关电源的研制

美国硅通用半导体公司设计的适用于高频功率MOS管驱动的第二代集成电路脉冲宽度控制器SG3525,用于驱动N沟道的功率MOS管。本文将介绍用该集成电路组成的半桥型开关稳压电源,该稳压电源具有逆变频率高、稳压性能好的特点,适用于工业用电源。     

功率场效应管的检测技巧

功率场效应管具有输入阻抗高、驱动电流小、开关速度快、高频特性好、热稳定性好、耐高压、工作电流大、输出功率大等许多优点。目前,大部分开关电源都应用功率场效应管,如:影碟机、彩色显示器。大屏幕彩色电视机及音频功率放大器等电子产品。由于功率场效应管的结构、原理与晶体三极管不同,因此用万用表判断其性能好坏、类型、电极也不同。由于各厂家制造的场效应管各引脚的排列次序不同,本人在维修过程中,摸索总结出用万用表准确判定其电极、类型、性能好坏的方法。现介绍如下:     

华微电子：率半导体龙头整装待发

近年来陆续开发并量产高频开关电源用功率晶体管、高清电视机用晶体管、半导体保护器件、双向晶闸管、VDMOS功率器件、IGBT等产品,产品技术处于国内领先,部分产品达到国际水平。