Gd5Ge2 (Si2-χAlχ) 合金的结构和显微组织分析

利用金相显微镜、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及差示扫描量热(DSC)等方法对化合物Gd5Ge2 (Si2-χAlχ) (χ=0,0.1,0.2,0.5,1.0)的结构和显微组织进行了研究.结果表明:随着Al替代Si量的增加,晶格常数(a、c)和晶胞体积(V)均增加.χ=1.0时,杂质相明显出现,且主相、杂质相的居里温度会随着χ含量的增加而增加.     

稀土磁致冷Gd5Ge2(Si2-xMnx)化合物的结构及微观机制

利用X射线衍射和扫描电镜对Gd5Ge2(Si2-xMnx)结构及表面形貌进行了研究.并利用差示量热法对Gd5Ge2(Si2-xMnx)的磁热性能进行了研究.x射线衍射(XRD)测量分析表明Mn的替代不会影响母体Gd5Si2Ge2的晶体结构,样品中的主相仍然具有单斜结构(P1121/a),其晶体对称性不会随Mn含量的增加而改变.随着Mn含量的增加,晶粒逐渐变大,晶常数增大,体积膨胀,同时Mn和杂质相的析出量也在增加.少量的Mn元素替代Si可以提高Gd5Si2Ge2化合物的居里温度.     

Sm掺杂La2Mo2O9的合成及其导电性

用固相反应法合成了La2-xSmxMo2O9(x=0~2)。室温XRD测试结果表明,在掺Sm计量x≥0.9时,出现杂质相的衍射峰;x≤0.85时,晶胞参数随Sm掺杂计量增加而线性降低。用直流四电极法和离子阻塞法在723~1 173 K温度范围测定了合成试样的电导率,结果表明电子电导率和电导率均随Sm掺杂量增大而降低,掺Sm增大了电导活化能和电子电导活化能。     

基于ErH2合成ErB2的实验研究

以氢化铒(ErH2)和硼(B)粉为原料,结合球磨工艺,在常压和温度为700,750,800℃的烧结条件下合成ErB_2样品。采用粉末X射线衍射(XRD)和Rietveld精修对样品分别进行物相分析和相含量计算,研究温度和硼补偿量对ErB_2产率的影响。结果表明:烧结温度为700℃时,ErH_2与B反应得到的ErB_2产率仅为43%;烧结温度为800℃时,产物中出现杂质相ErB_4,ErB_2产率为81%;烧结温度为750℃时,ErB_2产率最高,为83%。750℃下,不同硼补偿量ErH_2+(2+x)B (x=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4)中,x=0.2时的ErB_2产率最高,为88%。     

Ni含量对Ca(Al_(1-x)Ni_x)_2合金相结构的影响

研究了Ca(Al1-xNix)2(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)合金的相结构。结果发现,随着合金元素Ni含量的增加,合金的相组成发生显著的变化。当x=0时,合金中仅含C15型Laves相CaAl2;当x=0.1,0.2和0.3时,合金由CaAl2,NiAl和Ca13Al14相组成,并随着x的增大,CaAl2相逐渐减少、NiAl相不断增多;当x增大到0.4时,合金中CaAl2相完全消失,合金由NiAl,Ca8Al3和Ca组成。     

(Gd_(1-x)R_x)_5Si_4(R=Dy、Ho)磁制冷材料的晶体结构以及居里温度研究

为了探索室温附近温度范围内的磁制冷材料 ,作者研究了 (Gd1 xDyx) 5Si4(x =0 1、0 2、0 3、0 3 5 )和 (Gd1 xHox) 5Si4(x =0 0 5、0 15、0 2 5 )系列合金的晶体结构、居里温度。结果发现 :该系列合金仍保持Gd5Si4的Ge4Sm4正交型结构 ;随着x量的增加 ,样品的晶格常数逐渐减小 ,居里温度TC在 3 40K～ 2 60K连续可调 ,并呈线性减小趋势 ;改变R的含量可以得到单一的居里温度值 ,该值和计算值基本吻合     

La掺杂BaTi_2O_5薄膜的制备及性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了不同摩尔分数La掺杂BaTi2O5薄膜。研究了不同La掺量的BaTi2O5(Ba1-xLaxTi2O5)薄膜的物相组成、介电性能和铁电性能。XRD分析结果表明,采用溶胶-凝胶法经过850℃退火制备的Ba1-xLaxTi2O5(0≤x≤0.01)薄膜样品结晶较好,无杂相出现。La掺杂提高了薄膜的介电性能和铁电性能,当掺杂量0.004≤x≤0.008,测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数约为630;当x=0.004时,掺La的BaTi2O5薄膜的剩余极化值最大,2Pr=2.1μC/cm2。     

n型(AgSbTe2)x(PbTe)1-x热电材料的制备和性能

采用熔融缓冷法制备了组成为(AgSbTe2)x(PbTe)1-x(x=0.04—0.20)的热电材料,研究了AgSbTe2固溶量对材料微观结构和热电传输性能的影响。结果表明,当AgSbTe2固溶量增大时,样品易发生相结构偏析,样品由富Pb和富AgSb的两相组成。样品热导率随AgSbTe2固溶量增加而降低,电性能也有一定程度的降低。样品的无量纲热电优值(ZT)随AgSbTe2固溶量的减小而增加。     

La0.75Mg0.25Ni3.1-xCo0.3Al0.1Six（x=0.000.20）贮氢合金电化学性能研究

采用中频感应炉熔炼制备铸态La0.75Mg0.25Ni3.1-x Co0.3Al0.1Si x(x=0.00~0.2)合金,通过调控Si的成分,研究Si元素替代Ni对合金电化学性能的影响.研究表明,随着Si替代量增加,合金活化性能基本不变,最大电化学放电容量随Si含量的增加呈线性下降的关系,电化学放电平台压力逐渐降低,电化学循环稳定性得到有效提高.     

锂离子电池正极材料LiCe_xNd_xMn_(2-2x)O_4(x=0～0.018)的Pechini合成及表征

采用X射线衍射仪、电池测试系统等,研究了采用Pechini法合成的锂离子电池正极材料LiCexNdxMn2-2xO4(x=0、0.012、0.014、0.016、0.018)的组织结构、首次充放电性能、循环稳定性能等。结果表明:当稀土元素掺入量较少(x≤0.014)时,样品由尖晶石型LiMn2O4相组成,否则,样品中将出现微量的杂质相(CeO2、Nd2O3);适量的稀土元素掺杂将使LiMn2O4样品的初始容量减小、循环稳定性能增加。LiCe0.014Nd0.014Mn1.972O4样品具有较好的循环稳定性能,其初始放电容量为124.8 mAh/g,经30次循环充放电后的容量保持在116.3 mAh/g,容量保持率为93.2%。     

巨磁热效应合金Gd5Ge2(Si2-xMx)的结构和显微组织

通过用热稳定元素Mn和A l代替Gd5S i2Ge2合金中的(S i Ge)后对合金的晶体结构、显微组织和磁性能的影响研究表明,少量的掺杂量不会改变Gd5S i2Ge2的单斜型晶体结构,但它的晶格常数增大,体积膨胀,居里温度提高,然而掺杂样品的磁热效应降低.样品的显微组织随着热稳定元素Mn和A l掺杂量的增加,晶粒在长大,同时第二相析出量也在增加.     

金属间化合物Sm_3(Fe_(1-x)V_x)_(29)的结构及其微观机制研究

利用X射线衍射,金相显微镜,能谱分析以及差示扫描量热(DSC)等手段对金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29(x=0.01,0.03,0.05,0.08,0.1)的结构及其微观机制进行了研究.结果表明,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29(x=0.01,0.03,0.05,0.08,0.1)的结构均为3:29型结构,并且随V含量增加,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29的晶格常数和晶胞体积V均呈减少趋势.当x>0.05时,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29中的杂质相明显呈现出来.随着V含量的增加,居里温度(TC)呈单调上升趋势.     

金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29的结构及基微观机制研究

利用X射线衍射,金相显微镜,能谱分析以及差示扫描量热（DSC）等手段对金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29（x=0．01,0．03,0．05,0．08,0．1）的结构及其微观机制进行了研究．结果表明,金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29（x=0．01,0．03,0．05,0．08,0．1）的结构均为3：29型结构。并且随V含量增加,金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29的晶格常数和晶胞体积V均呈减少趋势．当x〉0．05时,金属间化合物Sm3（Fe1-xVx）29中的杂质相明显呈现出来．随着V含量的增加,居里温度（R）星单调上升趋势．     

金属间化合物Tb(Fe1-xNix)11.3Nb0.7的结构和磁性能研究

利用X射线衍射、扫描电镜和差示扫描量热等方法对化合物Tb（Fe1-xNix）11.3Nb0.7的结构和磁性能进行了研究.结果表明,金属间化合物Tb（Fe1-xNix）11.3Nb0.7（x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25）的结构均为ThMn12型结构,并且随Ni含量x的增大,Tb（Fe1-xNix）11.3Nb0.7金属间化合物的晶格常数a,c和单胞体积V均呈减少趋势,居里温度TC呈单调上升趋势.当x〉0.15时,Tb（Fe1-xNix）11.3Nb0.7金属间化合物中的杂质相明显呈现出来.     

金属间化合物Dy2Co17-xGax的结构及其磁性能机制研究

利用X射线衍射、扫描电镜(SEM)和差示扫描量热(DSC)等方法对化合物Dy2Co17-xGax(x=0,1.0,2.0,3.0,4.0,5.0)的结构和磁性能进行了研究.结果表明,随着Ga替代Co的量的增加,化合物Dy2Co17-xGax由Th2N i17型向Th2Zn17型转变,并最终成为Th2Zn17型结构,且晶格常数(a,c)和晶胞体积(V)及居里温度Tc逐渐增大,同时看到x=5.0时,附相在化合物中已明显呈现了出来.     

Electronic Structure and Chemical Bond of Ti3SiC2 and Adding Al Element

The relation among electronic structure, chemical bond and property of Ti3SiC2 and Al-doped was studied by density function and discrete variation （ DFT- DVM） method. When Al element is added into Ti3 SiC2 , there is a less difference of ionic bond, which does not play a leading role to influent the properties. After adding Al, the covalent bond of Al and the near Ti becomes somewhat weaker, but the covalent bond of Al and the Si in the same layer is obviously stronger than that of Si and Si before adding. Therefore, in preparation of Ti3 SiC2 , adding a proper quantity of Al can promote the formation of Ti3 SiC2 . The density of stnte shows that there is a mixed conductor character in both of Ti3 SiC2 and adding Al element. Ti3 SiC2 is with more tendencies to form a semiconductor. The total density of state near Fermi lever after adding Al is larger than that before adding, so the electric conductivity may increase after adding Al.     

Al2O3-SiC-SiAlON复合材料的制备和性能

以电熔白刚玉、α-Al2O3微粉、Si粉和矾土基β-SiAlON粉为原料,以树脂为结合剂,制备了复合材料试样.研究了1 500℃烧后试样的物相组成、显微结构以及常温物理性能、高温抗折强度和抗热震性.结果表明:(1)在刚玉中引入适量Si粉高温埋碳条件下可合成Al2O3-SiC-SiAlON复合材料,引入适量β-SiAlON可促进Si反应,且复合材料1 500℃烧结良好;(2)复合材料的高温抗折强度和抗热震性随Si粉加入量增加而提高,加入β-SiAlON后材料的高温机械性能进一步提高;(3)材料高温机械性能提高的原因在于Si粉在高温下与C、CO和N2反应生成晶须状或纤维状SiC和絮状O’-SiAlON填充气孔,形成交叉连锁的网络结构,对材料起增强和增韧作用.     

Si_3N_4-doped Zr_(50)Al_(15)Ni_(10)Cu_(25) glassy alloy by mechanical alloying and sintering process

Zr50Al15Ni10Cu25 amorphous powder was synthesized by mechanical alloying.The effect of Si3N4 addition on the crystallization behavior of the alloy during sintering process was studied.Thermal stability of the powders was performed by differential scanning calorimetry(DSC).The phase and microstructure of the powders and bulk specimens sintered were determined by X-ray diffractometry(XRD) and scanning electron microscopy(SEM).The results show that,introducing 0.05%(mass fraction) Si3N4 can enhance the crystallization activation energy of the Zr50Al15Ni10Cu25 amorphous powders,which indicates that Si3N4 addition has hindrance effect on forming crystals from Zr50Al15Ni10Cu25 amorphous powder.However,0.10% Si3N4 results in the decrease of the crystallization activation energy,which makes its crystallization process easy to occur.