纳流体忆阻器数学建模及仿真

本文对纳流体忆阻器进行详细建模,计算出不同浓度条件下纳米沟道表面的电荷密度。通过设置纳米沟道中边界条件,计算在电压脉冲条件下,沟道中界面移动的速率和位移以及每一个脉冲条件下纳米沟道的变化。同时将计算模型结果和实验结果进行对比,发现两者结果非常匹配,为纳流体忆阻器的突触行为提供数学支撑。     

抑制性STDP不同学习窗口下的神经元放电特性

为了深入研究不同抑制性突触可塑性机制的功能,在大脑皮层神经网络模型中对Hebbian、anti-Hebbian和Symmetric这3种不同学习窗口的抑制性脉冲时间依赖可塑性(spike timing-dependent plasticity,STDP)突触机制作用下的皮层神经元放电特性进行对比分析。通过分析不同窗口下神经元集群的平均放电频率、同步性、突触权值和突触电流,发现抑制性STDP机制的学习窗口类型会影响该机制对网络神经元放电特性的调节,anti-Hebbian类型学习窗口能根据网络中神经元放电率的变化,自适应调节突触权值以维持神经元放电;Hebbian和Symmetric类型学习窗口对神经元放电的抑制作用较强,不利于皮层神经元的放电。     

Reelin对突触可塑性的调节作用

Reelin是一种细胞外基质糖蛋白,以往的研究认为其主要参与中枢神经系统的发育过程,在神经元的有序排列中起着重要的作用。近来的研究发现,在发育成熟的神经组织中reelin也有较高的表达,并且对突触的功能产生着重要的调节作用。谷氨酸盐受体表达变化及其亚单位重组是突触可塑性调节的重要形式,在学习记忆和疼痛信号的传递等重要的病理生理过程中起着重要作用。本文就reelin调节突触可塑性变化,尤其是调控谷氨酸盐受体的相关机制做一综述。     

忆阻蔡氏对偶混沌电路分析

提出了用分段单调荷控忆阻器代替对偶蔡氏混沌电路中的非线性电阻,构造出基于忆阻器的对偶蔡氏混沌电路。对该忆阻蔡氏对偶混沌电路的理论推导、稳定性、Lyapunov指数和数值仿真等动力学特性进行了分析。研究结果表明:该系统为双涡卷混沌吸引子,该忆阻蔡氏对偶混沌电路的动力学特征对初值敏感异于普通混沌电路。     

纳流体忆阻器在神经网络应用中电学测试

本文首先仿照电化学领域的方法搭建测试平台,使用传统测试忆阻器的方法对纳流体忆阻器进行电学测试,获得I-V特性曲线,脉冲响应曲线和器件保持特性曲线。然后使用荧光显微镜和电学测试设备搭建一套基于时间关系的电学驱动荧光显微平台,通过实时监测荧光在纳米沟道中的变化,验证了纳流体忆阻器界面移动的推测。     

一种基于双忆阻器的文氏桥混沌电路

为了获得更加复杂的非线性特性,在文氏桥电路中引入2个忆阻模型,提出了一种基于双忆阻器的文氏桥混沌电路。在分析该电路系统的局部稳定性时,发现该系统的稳定性不能仅由非零特征根进行确定。在研究该系统随电路参数变化的动力学特征(诸如Lyapunov指数、分岔图及相轨图等)时,该系统表现出复杂的动力学行为,具有双涡旋吸引子和共存分岔等现象。对系统的动力学特性进行硬件实验验证,结果符合预期,能够为忆阻混沌电路的研究提供参考。     

基于蔡氏对偶电路的四阶忆阻混沌电路

通过对广义蔡氏混沌电路的进一步研究,获得了新的基于蔡氏对偶电路的四阶忆阻混沌电路,该电路元器件少,简单易实现,混沌现象明显,并出现了超混沌现象。采用经典的平衡点稳定性分析,以及Lyapunov指数谱、相图、时域波形、分岔图及庞加莱截面等动力学分析方法,研究了系统在电路参数变化及忆阻器初始条件变化时复杂的动力学行为,并利用数值仿真验证了理论分析的正确性。     

文氏桥电路实验的改进

文氏桥电路实验是一个经典的模拟电路实验。本文对文氏桥电路进行了改进,并采用Multisim软件对其进行了电路仿真,当电路接线性电阻时,该电路能产生正弦波信号,当电路接忆阻器时,该电路产生一种新的非正弦信号。它既可完成模拟电路实验,又可探索新的物理现象。     

血管紧张素Ⅱ2型受体与缺血性脑卒中的研究进展

脑卒中是一种神经血管疾病,是导致长期残疾和死亡的首要病因。研究发现,血管紧张素Ⅱ2型受体(AT2R)可能参与了缺血性脑损伤及认知功能障碍过程,它们影响着正常的神经可塑性和学习记忆等认知功能。近年来,AT2R在大脑中的调节功能相关研究日益增多,本文对脑组织中AT2R活化在缺血性脑卒中的作用及调节机制相关进展进行综述。     

浅析运用思维导图指导高职院校“学困生”提升学习记忆能力

在高职院校,由于基础知识薄弱、学习能力弱等原因,很多"学困生"因成绩不及格而无法顺利完成学业。思维导图作为一种将放射性思考具体化的方法,能降低"学困生"的认知负荷,减小"学困生"对学习的抗拒。本文浅析了在传统记忆方法基础上指导"学困生"在思维导图运用中学会思考,提高对知识梳理和归纳的能力,提升学习记忆能力,从而增强学习能力。