基于无颗粒银墨水制备柔性透明导电薄膜

以酒石酸银作为前驱体，1,2-丙二胺为络合剂，乙醇为溶剂制备无颗粒酒石酸银导电墨水。以丙烯酸乳液为原料制备模板，利用模板法和旋涂工艺法，在PET基材上制备透明导电银网格薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)等方法对制备的导电墨水和透明导电银网格薄膜进行表征。结果表明，该方法实现了银网格完全嵌入在裂纹模板凹槽中，通过调控模板的线宽大小及网孔数量可获得透过率为82%、方阻为28 Ω/sq的银网格透明导电薄膜。该导电薄膜的薄膜电阻经过100次弯曲后没有明显的变化，可以有效克服ITO薄膜柔性差的缺点。     

柔性衬底ITO透明导电薄膜的光电性能研究

利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，采用X射线衍射、紫外．可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征，研究了氧含量、薄膜厚度、村底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能的影响，优化了柔性衬底ITO薄膜的制备工艺条件。制得样品的最佳可见光平均透过率为85．6％，方块电阻为6Ω／口。     

旋涂法制备银纳米线透明导电薄膜

以商用银纳米线分散液为原料,利用旋涂法在载玻片上制备透明导电薄膜,并测试其可见光波段透过率,分析银纳米线分散液浓度、旋涂转速和热处理对银纳米线透明导电薄膜性能的影响。实验结果表明,银纳米线分散液浓度为2 mg/mL,旋涂转速为7500 rpm时,制得的银纳米线透明导电薄膜透过率可达98 %,电阻为120 Ω;120 ℃热处理10 min后银纳米线透明导电薄膜的透过率降低至91%,电阻降低至70 Ω。通过旋涂法制备了具有较好光电性能的透明导电薄膜,有望应用于触控设备和有机发光二极管(OLED)等领域。     

透明导电薄膜ZnO:Ga与SnO2:F的光、电和力学性能对比研究

采用磁控溅射的方法制备Ga掺杂的ZnO透明导电氧化物薄膜(GZO),并与商用F掺杂SnO2(FTO)透明导电氧化物薄膜的结构、光、电和力学性能进行系统的对比测量研究。通过数据的分析,发现GZO薄膜的方块电阻约为3Ω/sq,平均透过率高于80%(420～1000nm),平均硬度约为9GPa,临界载荷为76.2mN,比商用FTO薄膜具有更低的方块电阻、更好的光透过性、更高的材料硬度和膜基结合程度。     

低温烧结无颗粒型银导电墨水的制备及其性能研究

导电墨水是柔性印制电子发展的关键,然而,目前导电墨水的烧结温度仍较高,限制了其在某些柔性基材上的使用。本文以乙酸银作为前驱体、氨水为络合剂、乙醇为助剂、甲酸为还原剂,制备了一种可低温烧结的无颗粒型银导电墨水。将该导电墨水滴涂到PET基材后于烘箱中进行烧结成银膜,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)等测试设备对制备的导电墨水和薄膜进行表征。系统研究了还原剂甲酸以及助剂乙醇对导电墨水及薄膜的性能影响。结果表明,该导电墨水具备良好的稳定性,经过90 ℃低温烧结60 min,其电阻率为11.83 μΩ.cm。通过调控墨水配方,银薄膜的粗糙度和均匀性得到显著改善,且薄膜具有良好的弯折性能。     

胶体法制备透明导电ITO薄膜

以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料，通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小；用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征；用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明：ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm～15nm，具有较好的分散性和稳定性：ITO薄膜厚度越大，方电阻越小，平均透过率下降；ITO薄膜在波长为360nm～800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响；退火温度越高，膜方电阻越低；当膜厚为300nm、退火温度600℃时，膜方电阻达到2581Ω／n，其透过率在波长550nm处达到89．6％，且薄膜表面平整。     

通过喷涂的方法使用单壁碳纳米管制备柔性透明导电薄膜

采用喷涂的方法将分散剂SDS和去离子水分散好的单壁碳纳米管（SWCNTs）喷到基底为聚对苯二甲酸乙二酯PET上制备柔性透明导电薄膜（TCFs）,这种柔性透明导电薄膜具有很高的柔韧性和透明度,当然这种柔性透明导电薄膜（TCFs）的面电阻和透明度与单壁碳纳米（SWCNTs）的长度、直径、缺陷、手征、纯度及分散度等相关,而且分散程度对于柔性透明导电薄膜（TCFs）的特性有很大的影响。     

柔性AZO/NiCr/Ag/NiCr/AZO透明导电玻璃结构对性能的影响

目的 室温制备柔性透明导电玻璃并提高其光电性能。方法 采用直流磁控溅射法，以柔性玻璃为基底，在室温下沉积(Aluminum-doped ZnO,AZO)/Ni Cr/Ag/NiCr/AZO多层结构透明导电玻璃。通过探针轮廓仪测试、X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测试、拉曼光谱仪测试、分光光度计测量、四探针测试和霍尔效应测试，分别获得了样品的各层薄膜厚度、X射线衍射图谱、拉曼光谱、透光率、方块电阻和电学性能。经过参数优化，选取Ag膜厚度为3～15 nm的样品，研究Ag膜厚度对玻璃样品的结构特征及光电性能的影响。结果 样品光电性能与Ag层厚度密切相关，随着中间Ag层厚度的增加，样品在380～760 nm波长范围内的平均光透光率先增加后降低，吸收边依次发生了红移，样品的方块电阻则随着Ag层厚度的增加单调减小。Ag膜厚度为12nm的样品综合光电性能最佳，其平均透光率为82.4%，载流子浓度为8.32×10²¹cm^-3，载流子迁移率为8.21 cm²/(V·s)，电阻率为9.15×10^-5     

基于石墨烯透明导电薄膜的OLED研究进展

作为透明导电薄膜材料,石墨烯（Graphene）因具有十分优异的力学、光学和电学特性,在未来的柔性光电器件如触摸屏、有机发光二极管（OLED）和有机光伏电池（OPV）中表现出极大的发展潜力和广阔的应用前景。然而,受面电阻大、功函数不匹配以及表面粗糙度等关键因素的影响,基于本征石墨烯薄膜的光电器件的性能较低、稳定性较差,严重阻碍了石墨烯薄膜在柔性光电器件中的发展和应用。主要针对近年来石墨烯透明导电薄膜在OLED中应用的研究进展进行概述,并总结得出可以通过石墨烯薄膜掺杂、表面功函数修饰、清洁无损转移,以及器件结构优化等方法,进一步提高器件的性能。最后分析了石墨烯透明导电薄膜在OLED器件应用中的关键技术瓶颈,并对石墨烯透明导电薄膜在OLED中的应用前景进行了展望。     

还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响

纳米银线和还原氧化石墨烯为导电相,混合纤维素膜为基底,采用真空抽滤法制备了柔性透明导电薄膜。研究了还原氧化石墨烯对柔性透明导电薄膜的光电及机械性能的影响。研究结果表明,随着还原氧化石墨烯含量的增加,导电薄膜的透过率变化不大,但薄膜的方阻逐渐下降。通过胶带测试200次原位监控方阻变化以及弯曲疲劳200次测试原位监控方阻变化研究纳米银线和石墨烯导电相在混合纤维素膜表面的附着力和薄膜的弯曲疲劳特性。研究结果表明,经过200次的胶带测试,薄膜的方阻几乎没有改变。弯曲测试结果表明,薄膜方阻约有3%的改变。说明薄膜具有良好的稳定性。分析认为,纳米银线-石墨烯复合薄膜具有良好的稳定性与纳米银线和石墨烯埋在混合纤维素膜表面有关。     

厚膜导电浆料技术

本文介绍了厚膜导电浆料的配方、工艺流程、主要技术指标和浆料的应用;报道了用于配制Ag基导电浆料的超细银粉的制备方法。     

导电胶的研究进展

导电胶是一种非常重要的无铅连接材料。介绍了导电胶的组成及分类,概括了几种典型的导电胶导电机理,阐述了近年来提高导电胶综合性能的研究进展,展望了导电胶的未来发展形势。     

无颗粒型银导电墨水的研究进展

无颗粒型银导电墨水因其具有较高的稳定性，较低的后处理温度，在印制电子领域中应用广泛。根据银前驱体的选择不同，综述了以新癸酸银、柠檬酸银、草酸银、碳酸银、醋酸银、硝酸银、酒石酸银为前驱体的无颗粒型银导电墨水的研究情况。此外，对墨水作喷墨打印时基板的选择和处理、墨水印制图案的微观组织结构调控及后处理方法、墨水的应用、以及对无颗粒型银导电墨水的前景进行了介绍。     

纳米银填充导电浆料的研究进展

导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料。随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展,国内外正在开展金属导电填料纳米化的研究。其中,纳米银填充导电浆料成为该领域的研究热点。纳米银作为导电填料对银浆性能影响是正面还是负面影响还没有一个统一的结论。一般认为纳米银填充到基体中,由于粒子间的接触点面积小,填料粒子数目增多导致接触电阻增加。只有当纳米银间距离在一定范围内时,由于隧道效应等使导电性增强。这主要与其颗粒大小和形貌、表面性质和烧结行为等密切相关。本文从纳米银填充导电浆料的导电机理、纳米银低温烧结、表面处理、填量、形貌和原位添加等方面综述了国内外研究者近年来在纳米银填充导电浆方面的研究进展,并对未来的发展方向进行了展望。     

石墨烯导电涂料的研究进展

石墨烯具有超高的导电性、机械性及导热性,是目前研究最广泛的二维纳米材料,石墨烯作为特殊的功能填料,在导电防腐涂料领域得到广泛研究.首先,简要概述了石墨烯的结构特点,特殊晶体结构使其具有优异的物化性能,石墨烯作填料能够利用优异的导电性及片层结构,提升涂料的导电性及防腐蚀性.其次,针对石墨烯在导电涂料应用过程中的具体问题进行了详细说明,添加助剂以及氧化石墨烯功能化改性解决石墨烯的分散性,适量的添加量是影响导电涂料性能的关键因素,复合材料能够减少石墨烯添加量并产生协同作用,制备工艺主要包括溶液混合法、熔融共混法、原位聚合法.然后,阐述了石墨烯导电涂料的导电机理,竞争机理认为掺杂型导电涂料的导电性是由导电通路、隧道效应、场发射三者竞争的结果,结合导电模型分析了导电机理.最后,对石墨烯导电涂料的应用前景进行了展望,从石墨烯的分散方法、机理研究、制备工艺等方向,提出了石墨烯在导电涂料领域的研究建议.     

用作DC电极的可焊银导体浆料

采用三乙醇胺还原Ａｇ２Ｏ制备Ａｇ粉，结晶完善，呈规则几何形状，粒度分布主要在０．０６￣０．１１μｍ；采用主晶相为ＰｂＺｎＳｉＯ４的玻璃陶瓷，由乙基纤维素、树脂、松油醇等，配制成浆料。在２００℃下烘干，经８００℃烧结后，得光亮致密的Ａｇ层，电极间不粘结。覆盖率为２００ｃｍ＾２／ｇ。于２２０℃（特殊的为３０５℃）的Ｓｎ－Ｐｂ焊料中浸焊１．５ｓ。Ａｇ电极的可焊性、附着力和ＤＣ的容量和损耗等均达到ＤＣ生产     

PVD导热涂层的研究综述

首先从导热涂层的应用背景出发,分析了导热涂层研究的必要性,其次探讨了导热涂层的导热机理和影响涂层导热的宏观和微观因素。在此基础上,阐述了PVD导热涂层的研究现状,重点分析了Si C、AlN、DLC三种常见的具有较大应用潜力的PVD导热涂层。声子散射是影响涂层热导率的直接原因,涂层内部同位素、杂质、缺陷及晶界等均会引起声子发生散射,而界面声子散射引起的界面热阻对涂层导热性能影响巨大,通过合理选择制备技术和精确控制工艺参数,在一定程度上能改善涂层的导热性能,提高热导率。在此基础上,笔者提出了离子源辅助高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)的工艺配合,提高涂层质量和致密度,优化界面结构,降低界面热阻,以期实现涂层的高导热性能。     

纳米银导电墨水的制备及电极性能研究

用硝酸银、己二酸二酰肼和葡萄糖为主要原料,通过化学还原法制备出粒径为30~50 nm的纳米银颗粒;将其分散于特殊配制比例的溶剂中,制备得到纳米银导电墨水。将纳米银导电墨水高精度图案化喷墨打印,分析了纳米银的形貌及其导电性能;研究了烧结温度和烧结时间对打印电极电阻率的影响,结果表明,200℃烧结40 min,电阻率为0.34 m?·cm的较低值。